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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 氮化鎵

AI時(shí)代的數(shù)據(jù)中心成吃電巨獸，氮化鎵會(huì)是能效救星嗎？

  • 數(shù)位經(jīng)濟(jì)正經(jīng)歷一場(chǎng)由兩大趨勢(shì)驅(qū)動(dòng)的巨大變革，即時(shí)數(shù)據(jù)分析的龐大需求為其一，另一則是生成式人工智能（Generative AI）的快速發(fā)展。一場(chǎng)激烈的生成式AI競(jìng)賽正如火如荼的進(jìn)行中，科技巨頭如亞馬遜（Amazon)、谷歌（Google)、微軟（Microsoft）皆大舉投資生成式AI的研發(fā)創(chuàng)新。根據(jù)彭博智庫（Bloomberg Intelligence）預(yù)測(cè)，生成式AI市場(chǎng)將以42%的年增率成長，從2022年400億美元市值，于10年內(nèi)擴(kuò)大至1.3兆美元。在AI的蓬勃發(fā)展下，數(shù)據(jù)中心對(duì)電力與運(yùn)算的
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氮化鎵在采用圖騰柱 PFC 的電源設(shè)計(jì)中達(dá)到高效率

  • 幾乎所有現(xiàn)代工業(yè)系統(tǒng)都涉及交流/直流電源，這些系統(tǒng)從交流電網(wǎng)獲得能量，并將經(jīng)過妥善調(diào)節(jié)的直流電壓輸送到電氣設(shè)備。隨著全球功耗增加，交流/直流電源轉(zhuǎn)換過程中的相關(guān)能量損耗，成為電源設(shè)計(jì)人員整體能源成本考慮的重要部份，特別是高耗電電信和服務(wù)器應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員。 氮化鎵有助于提高能效并減少交流/直流電源的損耗，進(jìn)而有助于降低終端應(yīng)用的擁有成本。例如，透過最低 0.8% 的效率增益，采用氮化鎵的圖騰柱功率因子校正（PFC）有助于100 MW數(shù)據(jù)中心在10年內(nèi)節(jié)省多達(dá)700萬美元的能源成本。 選擇正確的 PFC 級(jí)拓
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GaN Systems推出第四代氮化鎵平臺(tái)

  • 全球氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商GaN Systems?今推出全新第四代氮化鎵平臺(tái)?(Gen 4 GaN Power Platform)，不僅在能源效率及尺寸上確立新的標(biāo)竿，更提供顯著的性能表現(xiàn)優(yōu)化及業(yè)界領(lǐng)先的質(zhì)量因子?(figures of merit)。以GaN Systems 在?2022 年發(fā)表的?3.2kW 人工智能(AI) 服務(wù)器電源供應(yīng)器來看，改采用最新第四代平臺(tái)，不僅效率超過鈦金級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)，功率密度更從?100W/in3提升至&nbs
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如何有效利用氮化鎵提高晶體管的應(yīng)用？

  • 如今，越來越多的設(shè)計(jì)人員在各種應(yīng)用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要，因?yàn)樗兄谔岣吖β示w管的效率，從而減小電源的尺寸并降低工作溫度。如今，越來越多的設(shè)計(jì)人員在各種應(yīng)用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要，因?yàn)樗兄谔岣吖β示w管的效率，從而減小電源的尺寸并降低工作溫度。晶體管，無論是由硅還是氮化鎵制成，都不是理想的器件，有兩個(gè)主要因素導(dǎo)致其效率下降（在簡(jiǎn)化模型中）：一個(gè)是串聯(lián)電阻，稱為 RDS（ON），另一個(gè)是并聯(lián)電容器稱為 C
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中國宣布出口限制之后，美國如何采購鎵？

GaN Systems 與上海安世博能源科技結(jié)盟 推進(jìn)氮化鎵進(jìn)入中國電動(dòng)車應(yīng)用市場(chǎng)

  • 【中國上海 – 2023年8月3日】氮化鎵功率半導(dǎo)體全球領(lǐng)導(dǎo)廠商 GaN Systems 今宣布與上海安世博能源科技策略結(jié)盟，共同致力于加速并擴(kuò)大氮化鎵功率半導(dǎo)體于電動(dòng)車應(yīng)用的發(fā)展。安世博能源科技為電源行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商，擁有完整電源供應(yīng)器、電動(dòng)車充電模塊及車載充電器產(chǎn)品解決方案。結(jié)合 GaN Systems 尖端的氮化鎵功率器件、在車用領(lǐng)域所累積的應(yīng)用實(shí)績，與安世博能源科技在高功率電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)及批量生產(chǎn)的卓越能力，此次策略合作將為中國電動(dòng)車行業(yè)帶來突破性革新。氮化鎵功率半導(dǎo)體將在實(shí)現(xiàn)下世代電動(dòng)車對(duì)尺寸微縮、輕
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意法半導(dǎo)體量產(chǎn)PowerGaN器件，讓電源產(chǎn)品更小巧、更清涼、更節(jié)能

  • 2023年8月3日，中國 -意法半導(dǎo)體宣布已開始量產(chǎn)能夠簡(jiǎn)化高效功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)設(shè)計(jì)的增強(qiáng)模式PowerGaN HEMT(高電子遷移率晶體管)器件。STPOWER? GaN晶體管提高了墻插電源適配器、充電器、照明系統(tǒng)、工業(yè)電源、可再生能源發(fā)電、汽車電氣化等應(yīng)用的性能。該系列先期推出的兩款產(chǎn)品SGT120R65AL 和 SGT65R65AL都是工業(yè)級(jí)650V常關(guān)G-HEMT? 晶體管，采用PowerFLAT 5x6 HV貼裝封裝，額定電流分別為15A和25A，在25°C時(shí)的典型導(dǎo)通電阻(RDS(on))分別為7
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集成一顆“大腦”的ST-ONEHP數(shù)字控制器

  • 日前，在MWC上海2023上意法半導(dǎo)體為我們帶來了各個(gè)領(lǐng)域的產(chǎn)品及應(yīng)用，在眼花繚亂的展品中，這次我們重點(diǎn)來講講這個(gè)“小東西”——ST-ONEHP數(shù)字控制器。數(shù)字控制器有哪些好處？對(duì)于高功率充電器和適配器我們?cè)缫巡荒吧?，ST-ONEHP的內(nèi)部集成了多顆控制芯片，包括初級(jí)的PWM控制器，次級(jí)的同步整流控制器以及USB-PD協(xié)議芯片，在其次級(jí)集成了一顆ARM Cortex M0+的芯片，因此得名數(shù)字控制器。數(shù)字控制器有哪些好處？第一，在控制上面，研發(fā)工程師在使用芯片的時(shí)候，可以通過電腦的UI直接操控這個(gè)芯片，開
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現(xiàn)代戰(zhàn)術(shù)無線電需要氮化鎵

  • 戰(zhàn)術(shù)通信技術(shù)已經(jīng)走了很長一段路，從在現(xiàn)場(chǎng)鋪設(shè)電纜到在傳達(dá)命令時(shí)保持態(tài)勢(shì)感知。在這個(gè)以網(wǎng)絡(luò)為中心的沖突時(shí)代，IT基礎(chǔ)設(shè)施已經(jīng)一路走到戰(zhàn)場(chǎng)邊緣的移動(dòng)指揮所。戰(zhàn)術(shù)通信技術(shù)已經(jīng)走了很長一段路，從在現(xiàn)場(chǎng)鋪設(shè)電纜到在傳達(dá)命令時(shí)保持態(tài)勢(shì)感知。在這個(gè)以網(wǎng)絡(luò)為中心的沖突時(shí)代，IT基礎(chǔ)設(shè)施已經(jīng)一路走到戰(zhàn)場(chǎng)邊緣的移動(dòng)指揮所。軍事現(xiàn)代化繼續(xù)無情地進(jìn)行。軍費(fèi)開支的增加正在推動(dòng)陸地、空中和海上平臺(tái)采購先進(jìn)的無線通信系統(tǒng)。全球戰(zhàn)術(shù)通信市場(chǎng)將在16-2019年期間以2025%的復(fù)合年增長率（CAGR）增長，達(dá)到18.53億美元。1提高移
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Transphorm發(fā)布業(yè)界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型

  • 加州戈利塔--(2023年5月31日)-- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始規(guī)格書。TP120H070WS功率管是迄今為止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導(dǎo)體，領(lǐng)先同類產(chǎn)品。這款產(chǎn)品的發(fā)布展現(xiàn)Transphorm有能力支持未來的汽車電力系統(tǒng)，以及已普遍用于工業(yè)、數(shù)據(jù)通信和可再生能源市場(chǎng)的三相電力系統(tǒng)。與替代技術(shù)相比，這些應(yīng)用可受益于1
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EPC起訴英諾賽科，要求保護(hù)氮化鎵(GaN)專利

  • 案例聚焦新一代替代硅技術(shù)?(加利福尼亞州，埃爾塞貢多）-- 氮化鎵（GaN）技術(shù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者宜普電源轉(zhuǎn)換公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC，以下簡(jiǎn)稱宜普公司）于今日向美國聯(lián)邦法院和美國國際 貿(mào)易委員會(huì)（U.S. International Trade Commission, ITC）提起訴訟，主張其基礎(chǔ)專利組合中的 四項(xiàng)專利受到英諾賽科（珠海）科技有限公司及其子公司（以下統(tǒng)稱英諾賽科）侵犯。 這些專利 涉及宜普公司獨(dú)家的增強(qiáng)型氮化
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氮化鎵器件在D類音頻功放中的應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)

  • 本文檔介紹了D類音頻功放的典型設(shè)計(jì)，概述了氮化鎵器件在D類音頻功放中的基礎(chǔ)應(yīng)用，并簡(jiǎn)單介紹了氮化鎵器件在D類音頻功放設(shè)計(jì)中，相較于硅基器件所帶來的優(yōu)勢(shì)。一 D類音頻功放的典型設(shè)計(jì)1. 什么是D類音頻功率放大器？D類功放最早由英國科學(xué)家Alec Reeves于1950年發(fā)明。簡(jiǎn)單來說，D類功率放大器就是一種電子放大器，也稱為功率開關(guān)放大器，工作于脈寬調(diào)制，它將輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換為脈沖流。D類功率放大器的輸出晶體管級(jí)作為電子開關(guān)運(yùn)行，并且沒有像其他放大器那樣的線性增益。D類功率放大器通過接收傳入的模擬輸入信號(hào)并生成
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深挖 GaN 潛力，中國企業(yè)別掉隊(duì)

  • 氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度達(dá)到 3.4eV，是最具代表性的第三代半導(dǎo)體材料。除了更寬的禁帶寬度，氮化鎵還具備更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率，以及更優(yōu)的抗輻照能力，這些特性對(duì)于電力電子、射頻和光電子應(yīng)用有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。GaN 產(chǎn)業(yè)上游主要包括襯底與外延片的制備，下游是 GaN 芯片元器件的設(shè)計(jì)和制造。襯底的選擇對(duì)于器件性能至關(guān)重要，襯底也占據(jù)了大部分成本，因而襯底制備是降低 GaN 器件成本的突破口。襯底GaN 單晶襯底以 2-4 英寸為主，4 英寸已實(shí)現(xiàn)商用，6 英寸
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氮化鎵 (GaN) 帶來電源管理變革的 3 大原因

  • 作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密度。?氮化鎵技術(shù)，通常稱為 GaN，是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，越來越多地用于高電壓應(yīng)用。這些應(yīng)用需要具有更大功率密度、更高能效、更高開關(guān)頻率、更出色熱管理和更小尺寸的電源。除了數(shù)據(jù)中心，這些應(yīng)用還包括 HVAC 系統(tǒng)、通信電源、光伏逆變器和筆記本電腦充電電源。??了解 GaN 如何突破功率密度和效率界限? 德州儀器 GaN 產(chǎn)品線負(fù)責(zé)人 David Snook 表示：“氮化鎵是提高功率密
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EV消除12V電池成趨勢(shì) PI用技術(shù)引領(lǐng)市場(chǎng)

  • 家用汽車早已邁入電氣時(shí)代，現(xiàn)如今汽車上的電器設(shè)備越來越多，汽車電源系統(tǒng)除了給發(fā)動(dòng)機(jī)啟動(dòng)電機(jī)、燈光、電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向等部件供電用電之外，還要滿足如多媒體影音系統(tǒng)、倒車?yán)走_(dá)、手機(jī)充電、行車記錄儀、GPS導(dǎo)航儀等設(shè)備的用電要求。汽車電源系統(tǒng)一般是由發(fā)電機(jī)和蓄電池共同組成。早在汽車發(fā)展初期，電氣系統(tǒng)并未引入汽車產(chǎn)品，隨后因起動(dòng)機(jī)的應(yīng)用普及，汽車開始裝備了蓄電池，當(dāng)時(shí)的電壓標(biāo)準(zhǔn)是6V。由于各類汽車電氣化設(shè)備得到大量應(yīng)用6V系統(tǒng)所能提供的功率太低，無法滿足更多的“用電需求”，車載標(biāo)準(zhǔn)電壓就從6V提升到了12V。12V電壓
  • 關(guān)鍵字： PI  工業(yè)  新能源汽車  氮化鎵  功率開關(guān)  
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氮化鎵介紹

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