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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 氮化鎵

“主流GaN”的發(fā)展和未來(lái)

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： GaN  恩智浦  氮化鎵  射頻功率晶體管  

IR率先推出氮化鎵集成功率級(jí)器件iP2010和iP2011

  • 　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出行業(yè)首個(gè)商用集成功率級(jí)產(chǎn)品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺(tái)。嶄新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負(fù)載點(diǎn) (POL) 應(yīng)用設(shè)計(jì)的，包括服務(wù)器、路由器、交換機(jī)，以及通用POL DC-DC轉(zhuǎn)換器。 　　iP2010和iP2011集成了非常先進(jìn)的超快速PowIRtune驅(qū)動(dòng)器IC，并匹配一個(gè)多開關(guān)單片氮化鎵功率器件。這些器件貼裝在一個(gè)倒裝芯片封裝平臺(tái)上，可帶來(lái)比最先進(jìn)的硅集成功率級(jí)器件
  • 關(guān)鍵字： IR  功率器件  氮化鎵  DC-DC  
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氮化鎵介紹

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