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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 氮化鎵

英飛凌：功率半導體技術進步為電路創(chuàng)新提供契機

  • 近年來，由于節(jié)能環(huán)保的概念日益深化，在資源有限的現(xiàn)實環(huán)境下，各國政府以及相關機構也相應制定出法律法規(guī)，積極發(fā)展綠色能源。像太陽能、電動車，以及充電站等配套設備，需要依靠高效率的電源轉換器，才能使設備發(fā)揮出最佳性能。
  • 關鍵字： 英飛凌，電源轉換器技術，氮化鎵  

氮化鎵的卓越表現(xiàn)：推動主流射頻應用實現(xiàn)規(guī)?；?、供應安全和快速應對能力

  • 　　數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業(yè)應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術的首選技術?！　∨cLDMOS相比，硅基氮化鎵的性能優(yōu)勢已牢固確立——它可提供超過70%的功率效率，將每單位面積的功率提高4到6倍，并且可擴展至高頻率。同時，綜合測試數(shù)據(jù)已證實，硅基氮化鎵符合嚴格的可靠性要求，其射頻性能和可靠性可媲美甚至超越昂貴的碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)替代技術?！　」杌壋蔀樯漕l半導體
  • 關鍵字： 氮化鎵  LDMOS  

氮化鎵襯底晶片實現(xiàn)“中國造”

  • 　　一枚看似不起眼、“又輕又薄”的晶片，卻能做出高功率密度、高效率、寬頻譜、長壽命的器件，是理論上電光、光電轉換效率最高的材料體系。這個“小身體大能量”的晶片叫作氮化鎵(GaN)襯底晶片，是蘇州納維科技有限公司(以下簡稱蘇州納維)的主打產(chǎn)品。 　　“不會游泳的時候就跳下了水” 　　蘇州納維依托中科院蘇州納米所而建。作為中國首家氮化鎵襯底晶片供應商， 團隊從氮化鎵單晶材料氣相生長的設備開始研發(fā)，逐步研發(fā)成功1英寸、2英寸、4英寸、6
  • 關鍵字： GaN  氮化鎵  

用GaN重新考慮功率密度

  • 用GaN重新考慮功率密度-電力電子世界在1959年取得突破，當時Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實驗室發(fā)明了金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。首款商業(yè)MOSFET在五年后發(fā)布生產(chǎn)，從那時起，幾代MOSFET晶體管使電源設計人員實現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實現(xiàn)的性能和密度級別。
  • 關鍵字： mosfet  氮化鎵  pfc  

氮化鎵有望乘5G起飛 亟需建立產(chǎn)業(yè)鏈

  • 　　隨著氮化鎵(GaN)不斷應用在二極管、場效電晶體(MOSFET)等元件上，不少業(yè)內專家直言，電力電子產(chǎn)業(yè)即將迎來技術的大革命。氮化鎵雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅元件高出一大截，但其開關速度、切換損失等性能指標，也是硅元件難以望其項背的。特別是近年來隨著氮化鎵廣泛被應用于手機快充、電源以及5G市場，氮化鎵即將引領半導體技術革命的呼聲越來越高。 　　有望于手機快充、5G市場起飛 　　當下，氮化鎵的主要應用市場是手機快充、電源產(chǎn)業(yè)。近年來手機快充技術不斷發(fā)展，已成為智能手機標配，而促進其普及的重要推手便是氮化
  • 關鍵字： 氮化鎵  5G  

我國第三代半導體發(fā)展路線圖漸明晰

  • 　　6月26日電(記者余曉潔)到2030年，第三代半導體產(chǎn)業(yè)力爭全產(chǎn)業(yè)鏈進入世界先進行列，部分核心關鍵技術國際引領，核心環(huán)節(jié)有1至3家世界龍頭企業(yè)，國產(chǎn)化率超過70%……第三代半導體發(fā)展戰(zhàn)略發(fā)布會25日在京舉行。第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲如是描述我國第三代半導體的“中國夢”。 　　第二屆國際第三代半導體創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽同日啟動。大賽圍繞第三代半導體裝備、材料、器件、工藝、封裝、應用及設計與仿真方面的技術應用創(chuàng)新，以及商業(yè)模式創(chuàng)新等內容征集參
  • 關鍵字： 半導體  氮化鎵  

5G PA高功率需求增 氮化鎵組件身價看漲

  • 　　具高功率特性的氮化鎵(GaN)，將可滿足5G對功率放大器(PA)的高頻需求，并具有超越砷化鎵(GaAs)的十足潛力。未來氮化鎵將逐步在手機的5G功率放大器中出現(xiàn)，基地臺的功率放大器應用也是其另一項發(fā)展主力。 　　絡達科技技術長林珩之表示，5G基地臺的功率放大器將會以砷化鎵與氮化鎵制程為主，因其是功率主導(PowerHandle)，并以表現(xiàn)度為主要衡量指針。但這樣的制程需更多的校準(Calibration)程序，成本會比較高。不過，基地臺的整體數(shù)量相較于手機應用是比較少的，因此即便其成本略高，仍在客戶
  • 關鍵字： 氮化鎵  

氮化鎵發(fā)展評估

  • 本文介紹了氮化鎵的發(fā)展歷程，并與砷化鎵和LDMOS進行對比與分析，介紹了氮化鎵在軍事、無線基站及射頻能量等方面的特性和未來發(fā)展的廣闊市場。
  • 關鍵字： 氮化鎵  砷化鎵  LDMOS  201701  

日本設立共同研究室 加快氮化鎵功率器件研發(fā)進程

  • 　　據(jù)報道，共同研究室預計將于2017年3月底前后設置、最初由總計10名左右的研究人員參加。該研究室力爭將“氮化鎵”這種物質運用在控制電流的新一代半導體功率器件等中。 　　據(jù)了解，“氮化鎵”是天野研發(fā)的獲諾貝爾獎的藍色發(fā)光二級管(LED)的材料。該研究室力爭把名古屋大學研制氮化鎵結晶的技術與該機構調查物質性質的技術相結合，加快研發(fā)進程。 　　天野是小出在名古屋大學念書時低一屆的學弟。兩人在名城大學終身教授赤崎勇(2014年分享諾貝爾物理學獎)門下一同進行
  • 關鍵字： 氮化鎵  功率器件  

氮化鎵（GaN）晶體管設備越薄越冷

  • 　　伊利諾伊大學研究人員開發(fā)出新的氮化鎵(GaN)熱控制方法 　　GaN晶體管比傳統(tǒng)的硅晶體管具有更高的功率密度，可以在較高溫度下運行(500℃以下)，但像所有半導體那樣，GaN晶體管也產(chǎn)生過多的熱量，這會限制他們的性能。 　　基于散熱器和風扇的冷卻方法增加成本和體積?，F(xiàn)在，一個來自伊利諾伊大學微納米技術實驗室的研究團隊創(chuàng)造了一種新的方法，他們聲稱該方法簡單而且低成本。 　　采用計算機輔助設計，坎·拜拉姆的團隊已經(jīng)證明，GaN層的厚度在過熱中起很大作用，影響設備的熱預期和最終性能。
  • 關鍵字： 氮化鎵  晶體管  

氮化鎵/碳化硅技術真的能主導我們的生活方式？

  • 伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅和氮化鎵為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。
  • 關鍵字： 氮化鎵  碳化硅  

硅襯底氮化鎵基激光器將大幅降低器件制造成本

  • 　　中科院蘇州納米技術與納米仿生所研究員楊輝團隊在硅上研制出第三代半導體氮化鎵基激光器，這也是世界上第一支可以在室溫下連續(xù)工作的硅襯底氮化鎵基激光器。相關研究成果近日刊登在《自然—光子學》。 　　中科院蘇州納米技術與納米仿生所研究員楊輝團隊在硅上研制出第三代半導體氮化鎵基激光器，這也是世界上第一支可以在室溫下連續(xù)工作的硅襯底氮化鎵基激光器。相關研究成果近日刊登在《自然—光子學》。 　　隨著半導體科技的高速發(fā)展，科技工作者發(fā)現(xiàn)基于傳統(tǒng)技術路線來進行芯片與系統(tǒng)之間的數(shù)據(jù)通信越來越難
  • 關鍵字： 氮化鎵  芯片  

氮化鎵功率技術大熱，Transphorm創(chuàng)新HEMT結構“劍走偏鋒”高壓器件

  • 　　氮化鎵技術因其在低功耗、小尺寸等特性設計上的獨特優(yōu)勢和成熟規(guī)模化的生產(chǎn)能力，近年來在功率器件市場大受歡迎。在前不久舉辦的EEVIA第五屆ICT技術趨勢論壇上，這個主題受到國內媒體的集體“圍觀”。富士通電子元器件高級市場經(jīng)理蔡振宇(Eric)的“氮化鎵產(chǎn)品主要的應用場景和未來的趨勢”主題分享，將富士通電子旗下代理產(chǎn)品線Transphorm公司獨特GaN技術和產(chǎn)品方案第一次帶到中國媒體面前，采用創(chuàng)新的Cascode結構的HEMT高壓產(chǎn)品讓Transphorm在氮化鎵功率表技術領域劍走偏鋒，成為該陣營的領頭
  • 關鍵字： 富士通  氮化鎵  

高級教程視頻系列教授如何使用氮化鎵（GaN）功率器件以實現(xiàn)先進的功率轉換系統(tǒng)的設計

  • 　　宜普電源轉換公司(EPC)增加合共九個教程單元的教學視頻系列，擴大它的視頻資源以拓展氮化鎵技術的知識庫，為功率系統(tǒng)設計工程師提供高級技術教程，包括應用范例，教授如何使用氮化鎵晶體管及集成電路設計出更高效的功率轉換系統(tǒng)?！　〕藶楣こ處熖峁┑壘w管的設計基礎及可靠性數(shù)據(jù)外，本視頻系列教授如何把開發(fā)板轉化為實用的原型。此外，該系列提供氮化鎵晶體管在廣泛的功率電子應用中的實用范例，包括面向電信及數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)的DC/DC轉換，以及關于采用氮化鎵器件的無線充電應用的兩個視頻?！　〉?GaN)高級學習視頻
  • 關鍵字： 宜普  氮化鎵  

氮化鎵元件將擴展功率應用市場

  • 　　根據(jù)YoleDeveloppement指出，氮化鎵(GaN)元件即將在功率半導體市場快速發(fā)展，從而使專業(yè)的半導體業(yè)者受惠;另一方面，他們也將會發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際整流器(InternationalRectifier;IR)等大型廠商的競爭或并購壓力。 　　Yole估計，2015年GaN在功率半導體應用的全球市場規(guī)模約為1千萬美元。但從2016-2020年之間，這一市場將以93%的年復合成長率(CAGR)成長，預計在2020年時可望達到3千萬美元的產(chǎn)值。 　　目前銷售Ga
  • 關鍵字： 氮化鎵  GaN  
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氮化鎵介紹

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