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一種基于LDMOS器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化提升功率放大器功率附加效率 的方法
- 吳錦帆（電子科技大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院??四川??成都??610054） 摘?要：本文介紹了一種通過(guò)改進(jìn)LDMOS的器件結(jié)構(gòu)，提升以LDMOS搭建的功率放大器的功率附加效率大信號(hào)指標(biāo)的方法。在器件仿真環(huán)境中，通過(guò)對(duì)LDMOS的漂移區(qū)進(jìn)行結(jié)構(gòu)優(yōu)化，提升器件的小信號(hào)增益，然后利用器件等效建模技術(shù)，在電路仿真環(huán)境中，搭建出功率放大器進(jìn)行大信號(hào)仿真，在相同的工作條件下功率附加效率提升了約5%左右?！ ￡P(guān)鍵詞：LDMOS；功率放大器；功率附加效率 0 引言 橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（RFLDMO
- 關(guān)鍵字： 202006 LDMOS 功率放大器 功率附加效率
埃賦隆推出工作在433MHz頻段的500W LDMOS晶體管
- 近日，埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）現(xiàn)在面向工業(yè)加熱、除霜、等離子照明和醫(yī)療應(yīng)用推出基于LDMOS 的BLP05H9S500P功率放大器晶體管。BLP05H9S500P的工作頻率范圍為423至443MHz，它可在脈沖或連續(xù)波模式下提供高達(dá)500W的輸出功率，并實(shí)現(xiàn)迄今尚未被開(kāi)發(fā)利用的75%的典型漏極效率水平。這種一流特性可使所需的制冷量降至最低，同時(shí)還可節(jié)省空間和運(yùn)營(yíng)成本。此外，該產(chǎn)品還專門設(shè)計(jì)了輕便的推挽式晶體管放大器，它可以在50V電壓下在所有相位上承受10:1的駐波比(VSWR)，而不會(huì)造成損壞或性
- 關(guān)鍵字： LDMOS VSWR
氮化鎵的卓越表現(xiàn)：推動(dòng)主流射頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)規(guī)?；⒐?yīng)安全和快速應(yīng)對(duì)能力
- 數(shù)十年來(lái)，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。 與LDMOS相比，硅基氮化鎵的性能優(yōu)勢(shì)已牢固確立——它可提供超過(guò)70%的功率效率，將每單位面積的功率提高4到6倍，并且可擴(kuò)展至高頻率。同時(shí)，綜合測(cè)試數(shù)據(jù)已證實(shí)，硅基氮化鎵符合嚴(yán)格的可靠性要求，其射頻性能和可靠性可媲美甚至超越昂貴的碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)替代技術(shù)?！ 」杌壋蔀樯漕l半導(dǎo)體
- 關(guān)鍵字： 氮化鎵 LDMOS
意法半導(dǎo)體與遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)簽署LDMOS技術(shù)許可合作協(xié)議
- 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)今天宣布與遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)科技公司簽署一份LDMOS射頻功率技術(shù)許可協(xié)議。遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)是一家總部位于中國(guó)蘇州的無(wú)晶圓廠的半導(dǎo)體公司，專業(yè)設(shè)計(jì)制造射頻功率半導(dǎo)體產(chǎn)品、模塊和子系統(tǒng)集成。 導(dǎo)電通道短且擊穿電壓高使LDMOS器件適用于無(wú)線通信系統(tǒng)基站射頻功率放大器以及商用和工業(yè)系統(tǒng)的功率放大器。意法半導(dǎo)體與遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)的合作協(xié)議將擴(kuò)大意法半導(dǎo)體LDMOS產(chǎn)品的應(yīng)用范圍。 協(xié)議內(nèi)容保密，不對(duì)外披露。
- 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 LDMOS
5G基站射頻市場(chǎng)：LDMOS開(kāi)始下滑、GaN快速增長(zhǎng)
- 2016年8月29日，每年一次循例來(lái)為華為RF工程師講課的Qorvo高級(jí)Fellow Bill Boesch在深圳接受了專訪，他說(shuō)：“4G、5G基站大功率射頻(RF)元件市場(chǎng)正在發(fā)生變革，原有的占主導(dǎo)地位的LDMOS元件雖有成本較低的優(yōu)勢(shì)，但市場(chǎng)份額正在出現(xiàn)下滑態(tài)勢(shì)，代之而起的是新興的GaN元件，它因其能夠節(jié)省更大功率的優(yōu)勢(shì)正在基站RF市場(chǎng)上快速增長(zhǎng)。” 他特別提到，5G現(xiàn)在頻譜標(biāo)準(zhǔn)還沒(méi)有定，有可能會(huì)選擇4-5GHz或更高至毫米波頻段。對(duì)于手機(jī)終端來(lái)說(shuō)，如果5G頻段在4-
- 關(guān)鍵字： 5G LDMOS
寬頻設(shè)計(jì)不能滿足？來(lái)看看這款4G小基站用LDMOS功放
- 隨著人們對(duì)數(shù)據(jù)速率要求越來(lái)越高，直接導(dǎo)致無(wú)線通信系統(tǒng)帶寬的需求也在逐步增加，也同時(shí)推動(dòng)了通信技術(shù)的進(jìn)一步可持續(xù)性發(fā)展。2G、3G、4G技術(shù)的相繼推出，使移動(dòng)業(yè)務(wù)由單一形態(tài)逐漸過(guò)渡到可同時(shí)支持語(yǔ)音、數(shù)據(jù)和視頻等多種業(yè)務(wù)并舉的盛況。目前，隨著4G市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展，中國(guó)移動(dòng)、電信、聯(lián)通都已經(jīng)獲得了4G的牌照，獲得的頻段如下表： 表1：各運(yùn)營(yíng)商4G牌照頻段分布 從上表可以看出，4G的頻率范圍大約覆蓋了從1700～2700MHz的頻率，約1GHz的頻率跨度。這對(duì)采用
- 關(guān)鍵字： 基站 LDMOS
覆蓋TD-SCDMA雙頻段的大功率330W LDMOS
- 國(guó)際領(lǐng)先的微波半導(dǎo)體器件制造廠商英飛凌推出了可以覆蓋TD-SCDMA 兩個(gè)頻段的大功率330W LDMOS，器件型號(hào)為PXAC203302FV。該器件適用于1880-2025MHz頻段，可以用于基站多載波射頻功率放大器。PXAC203302FV采用非對(duì)稱Push-Bull結(jié)構(gòu)，載波功放130W，峰值功放200W，在非對(duì)稱Doherty功放中可以實(shí)現(xiàn)更高的效率。 PXAC203302FV特性： 寬帶內(nèi)部輸入、輸出匹配 適用于非對(duì)稱Doherty設(shè)計(jì)：Main: 130W, Peak:
- 關(guān)鍵字： TD-SCDMA LDMOS
一種適用于RFIC的抗擊穿LDMOS設(shè)計(jì)
- LDMOS(LateralDiffusedMetalOxideSemiconductorTransistor，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)以其高功率增益、高效率及低成本等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信基站、雷達(dá)、導(dǎo)航等領(lǐng)域。射頻大功率LDMOS由于具有P、L波段以上的工作頻率和高的性價(jià)比，已成為3G手機(jī)基站射頻放大器的首選器件。 隨著IC集成度的提高及器件特征尺寸的減小，柵氧化層厚度越來(lái)越薄，其柵的耐壓能力顯著下降，擊穿電壓是射頻LDMOS器件可靠性的一個(gè)重要參數(shù)，它不僅決定了其輸出功率，還決定了器件
- 關(guān)鍵字： LDMOS RFIC 射頻放大器
憑借第二代Airfast功放，飛思卡爾繼續(xù)擴(kuò)大RF領(lǐng)導(dǎo)地位
- RF功率行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者飛思卡爾推出了第二代Airfast? RF功率解決方案，為高級(jí)無(wú)線架構(gòu)設(shè)備(包括GSM/UMTS、CDMA/W-CDMA、LTE和 TD-LTE應(yīng)用)提供了全新級(jí)別的性能。 飛思卡爾最新的Airfast系列RF功率解決方案基于成功且具備卓越性能的上一代產(chǎn)品，包含了28V獨(dú)立和單級(jí)功率放大器。在充分利用并增強(qiáng)了第一代Airfast電路、模具、匹配網(wǎng)絡(luò)和封裝技術(shù)的基礎(chǔ)上，飛思卡爾憑借新一代Airfast技術(shù)(包括首次推出RF功率LDMOS部件，從而在Doherty配置
- 關(guān)鍵字： 飛思卡爾 RF Airfast LDMOS 201407
飛思卡爾發(fā)布LDMOS首批11個(gè)射頻功率產(chǎn)品
- 射頻(RF)功率晶體管領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者飛思卡爾半導(dǎo)體日前宣布11個(gè)全新商用的射頻功率LDMOS產(chǎn)品全面上市，這個(gè)產(chǎn)品可滿足美國(guó)國(guó)防電子產(chǎn)品應(yīng)用的要求，這是2013年6月公布的公司射頻功率業(yè)務(wù)戰(zhàn)略防御計(jì)劃發(fā)布的首套產(chǎn)品?！ ★w思卡爾現(xiàn)在為美國(guó)國(guó)防系統(tǒng)客戶提供與其他市場(chǎng)相當(dāng)?shù)闹С炙剑箍蛻艨梢詢?yōu)化這些射頻器件的性能，適合雷達(dá)、軍用通信和電子戰(zhàn)的應(yīng)用。這些產(chǎn)品包含在飛思卡爾產(chǎn)品長(zhǎng)期供貨計(jì)劃中，根據(jù)不同產(chǎn)品可確保最低10年或15年的產(chǎn)品供應(yīng)。?此外，飛思卡爾射頻國(guó)防市場(chǎng)專家組成的專門團(tuán)隊(duì)擁有符合I
- 關(guān)鍵字： 飛思卡爾 LDMOS RF 國(guó)防
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橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體
LDMOS
lateral double-diffused metal-oxide semiconductor
LDMOS技術(shù)是為900MHz蜂窩電話技術(shù)開(kāi)發(fā)的，蜂窩通信市場(chǎng)的不斷增長(zhǎng)保證了LDMOS晶體管的應(yīng)用，也使得LDMOS的技術(shù)不斷成熟，成本不斷降低，因此今后在多數(shù)情況下它將取代雙極型晶體管技術(shù)。 與雙極型晶體管相比,LDMOS管的增益更高，L [ 查看詳細(xì) ]
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