202006 文章 進(jìn)入202006技術(shù)社區(qū)
非隔離K78-R4電源:創(chuàng)新賦能,匠“芯”升級
- 廣州金升陽科技有限公司 不同于一般公司傾向不斷橫向拓寬產(chǎn)品線,以多產(chǎn)品種類來抓住外部的市場機(jī)會,金升陽更偏愛有難度的、內(nèi)部的產(chǎn)品縱向技術(shù)升級,提供越來越優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品滿足客戶需求。如同我司定電壓系列產(chǎn)品歷經(jīng)4次重大技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品升級一樣,非隔離電源產(chǎn)品K78系列也是這樣逐代升級突破的。 在2017年推出了第三代非隔離電源產(chǎn)品(簡稱“非隔離K78-R3”)后,憑借著在開發(fā)第四代定電壓產(chǎn)品過程中所建立的系統(tǒng)集成封裝技術(shù)Chiplet SiP平臺,金升陽最新推出了第四代芯片級封裝的非隔離電源產(chǎn)品K78系列(簡
- 關(guān)鍵字: 202006 金升陽 K78-R4 DC-DC
memsstar談MEMS刻蝕與沉積工藝的挑戰(zhàn)
- 魯?冰?(《電子產(chǎn)品世界》記者) 不久前,MEMS蝕刻和表面涂層方面的領(lǐng)先企業(yè)memsstar向《電子產(chǎn)品世界》介紹了MEMS與傳統(tǒng)CMOS刻蝕與沉積工藝的關(guān)系,對中國本土MEMS制造工廠和實驗室的建議等。 1 MEMS比CMOS的復(fù)雜之處 MEMS與CMOS的根本區(qū)別在于:MEMS是帶活動部件的三維器件,CMOS是二維器件。因此,雖然許多刻蝕和沉積工藝相似,但某些工藝是MEMS獨有的,例如失效機(jī)理。舉個例子,由于CMOS器件沒有活動部件,因此不需要釋放工藝。正因為如此,當(dāng)活動部件“粘”在表面上
- 關(guān)鍵字: 202006 MEMS CMOS memsstar
“AI自動提取特征”的簡易范例*
- 高煥堂?(臺灣銘傳大學(xué)、長庚大學(xué)?教授)0 引言在人與AI之間,最典型的協(xié)同合作模式是:由人們?nèi)ビ^察而萃取特征,然后AI依據(jù)該特征進(jìn)行分類,這稱為:人工提取特征。此外還有進(jìn)一步的合作模式:讓AI自己來學(xué)習(xí)萃取特征,并且進(jìn)行分類。這稱為:自動提取特征。本文將借由很簡單的范例來展示“自動提取特征”,以便充分發(fā)揮各種AI模型的特色,來促進(jìn)特征提取的效率?! ? 人工提取特征 1.1 機(jī)器學(xué)習(xí) 由于人人對于周遭的現(xiàn)象(或事)都具有觀察、分類和萃取特征的天賦,所以人人都可以把這項智能和能力傳授給AI。其中,
- 關(guān)鍵字: 202006 AI 人工智能 機(jī)器學(xué)習(xí)
Wi-Fi芯片基于IFLEX量產(chǎn)測試開發(fā)淺析
- 張桂玉,任希慶(安普德(天津)科技股份有限公司,天津?300384) 摘?要:本文測試的芯片是一款針對物聯(lián)網(wǎng)市場開發(fā)的高性能2.4 GHz/5 GHz雙頻Wi-Fi射頻芯片,支持802.11 a/b/g/n,Wi-Fi Direct、Soft AP以及STA/AP 模式共存。具有高速性、穩(wěn)定性和傳輸距離遠(yuǎn)等特點,可以高度匹配音視頻流媒體傳輸。廣泛應(yīng)用于無線流媒體音視頻播放、虛擬現(xiàn)實、無人機(jī)、運動相機(jī)、車聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)控制、智能家居等領(lǐng)域。本文將對雙頻Wi-Fi芯片基于IntegraFlex平臺量產(chǎn)測試開
- 關(guān)鍵字: 202006 2.4G/5G 雙頻Wi-Fi芯片 ATE IFLEX 量產(chǎn)測試 硬件和軟件
運用史密斯圓圖對N B-IO T模塊天線進(jìn)行阻抗匹配
- 程學(xué)農(nóng)(中電海康集團(tuán)無錫研究院,江蘇?無錫?214061) 摘?要:介紹了通過史密斯圓圖進(jìn)行阻抗匹配使信號有效的傳輸?shù)截?fù)載,本文著重于RFOUT與天線之間的匹配。NB-IoT模塊提供1個RF天線PAD供天線使用,通過使用電容和電感等元器件組成π形匹配電路,用于調(diào)節(jié)天線端口的性能,線路阻抗保持在50 Ω左右。通過對負(fù)載阻抗進(jìn)行歸一化,畫出其圓。負(fù)載阻抗的實數(shù)部分與阻抗圓和導(dǎo)納圓有2個交點,其對應(yīng)的x值為的x值與負(fù)載阻抗的x值之差,所以兩者的差為匹配網(wǎng)絡(luò)需要串入歸一化電抗值,通過還原,可得串聯(lián)元件值,同
- 關(guān)鍵字: 202006 反射系數(shù) 負(fù)載阻抗 特征阻抗 史密斯圓圖駐波比
基于Tensorflow的智能垃圾分類系統(tǒng)的研究與設(shè)計
- 祝朝坤,魏倫勝(鄭州工商學(xué)院,河南?鄭州?451400) 摘?要:本研究旨在開發(fā)一種基于TensorFlow的深度學(xué)習(xí)應(yīng)用程序,該應(yīng)用程序通過OpenCV圖像處理檢測垃圾中的垃圾類型。為了提供最有效的方法,本研究對眾所周知的深度卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)體系結(jié)構(gòu)進(jìn)行了實驗。經(jīng)測試Inception-v4的準(zhǔn)確率要優(yōu)于其他同類模型。本研究的模型是經(jīng)過精心優(yōu)化的深度卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)體系結(jié)構(gòu),用于對選定的可回收對象類別進(jìn)行分類,其數(shù)據(jù)將通過STM32硬件端進(jìn)行分析進(jìn)而控制整個垃圾分類系統(tǒng)?! £P(guān)鍵詞:TensorFlow;
- 關(guān)鍵字: 202006 TensorFlow Inception-v4 垃圾分類 STM32 OpenCV
5G毫米波TR組件設(shè)計
- 陶長亞(1.電子信息測試技術(shù)安徽省重點實驗室,安徽?蚌埠?2330062.中國電子科技集團(tuán)公司第41研究所,安徽?蚌埠?2330063.中電科儀器儀表(安徽)有限公司,安徽?蚌埠?233006) 摘?要:為了對5G毫米波通信信號進(jìn)行測試,本文利用鎖相技術(shù)、混頻技術(shù)、濾波技術(shù)和功率控制技術(shù)設(shè)計出一種寬帶毫米波TR組件,經(jīng)過實際測試,所有指標(biāo)都達(dá)到了設(shè)計要求。并成功用于5G信號綜合測試儀中,實現(xiàn)了5G頻段24.25 GHz~30 GHz的通信信號測試?! £P(guān)鍵詞:TR組件 5G 毫米波 本振源 基金項
- 關(guān)鍵字: 202006 TR組件 5G 毫米波 本振源
新型微波治療儀研究
- 孫曉偉(天津金米特科技股份有限公司,天津?天津?300100) 摘?要:傳統(tǒng)微波采用頻段為2450 MHz,新型微波治療儀采用433 MHz頻段,不僅具有理療功能,同時對腫瘤消融也有一定功效,使腫瘤細(xì)胞產(chǎn)生不可逆的死亡。本文將詳細(xì)闡述其組成、原理,并提供實驗數(shù)據(jù)驗證其可行性。 關(guān)鍵詞:微波治療儀;腫瘤消融;數(shù)據(jù)驗證 0 微波治療儀組成 微波治療儀由功率源、輻射器和智能控制電路組成。功率源一般采用由磁控管,磁控管的應(yīng)用范圍很廣最常見的應(yīng)用是微波爐,磁控管用于產(chǎn)生高功率信號。輻射器的作用是將功率源
- 關(guān)鍵字: 202006 微波治療儀 腫瘤消融 數(shù)據(jù)驗證
潛油電泵監(jiān)測系統(tǒng)
- 孫曉偉(天津金米特科技股份有限公司,天津?300100) 摘?要:潛油電泵監(jiān)測系統(tǒng)是實時測量潛油電泵工況的儀器,主要監(jiān)測潛油電泵進(jìn)口壓力、出口壓力、電機(jī)溫度,出口溫度、X/Z方向振動、工作電壓/電流等參數(shù)通過上述數(shù)據(jù)判斷潛油電泵運行狀態(tài),根據(jù)參數(shù)調(diào)節(jié)變頻器運行狀態(tài),保證潛油電泵不出現(xiàn)空抽及卡死等現(xiàn)象,降低停產(chǎn)造成的巨額損失?! £P(guān)鍵詞:潛油電泵;實時測量;參數(shù)調(diào)節(jié) 0 潛油電泵監(jiān)測系統(tǒng)組成 潛油電泵監(jiān)測系統(tǒng)主要由三部分組成,地面觀測系統(tǒng)、地面扼流裝置、井下監(jiān)測系統(tǒng)。 地面觀測系統(tǒng)(SURFAC
- 關(guān)鍵字: 202006 潛油電泵 實時測量 參數(shù)調(diào)節(jié)
一種基于電機(jī)轉(zhuǎn)速環(huán)控制的自動泊車系統(tǒng)研究
- 舒?暉(奇瑞新能源汽車股份有限公司,安徽?蕪湖?241002) 摘?要:基于某純電動汽車,針對自動泊車系統(tǒng)的停車問題,提出了一種電機(jī)轉(zhuǎn)速控制策略。低速下,電驅(qū)動系統(tǒng)接收整車控制器的轉(zhuǎn)速模式和轉(zhuǎn)速命令,實現(xiàn)泊車入位;通過臺架測試和實車驗證,轉(zhuǎn)速控制提高了停車的平穩(wěn)性,減少了自動泊車制動的硬件成本?! £P(guān)鍵詞: 電動汽車;自動泊車;轉(zhuǎn)速控制 0 引言 隨著工業(yè)飛速的發(fā)展 [1-2] ,汽車逐漸成為人們工作與生活的重要組成部分,汽車市場保有量的增加以及城市建筑設(shè)施的不斷擴(kuò)增,不僅導(dǎo)致交通擁堵,汽車平均
- 關(guān)鍵字: 202006 電動汽車 自動泊車 轉(zhuǎn)速控制
新能源電動汽車高壓安全系統(tǒng)分析及優(yōu)化方案
- 陶文勇(奇瑞新能源汽車研究院,蕪湖?241000) 摘?要:分析新能源電動汽車高壓安全系統(tǒng)現(xiàn)狀,討論高壓安全系統(tǒng)故障檢測及動力電池高壓繼電器切斷后母線上殘存電量的處理方法,剖析其存在的風(fēng)險。并提出一種新能源電動汽車高壓安全系統(tǒng)設(shè)計方案。在不增加成本的基礎(chǔ)上補(bǔ)充和優(yōu)化現(xiàn)有高壓安全系統(tǒng),使得母線電壓得到完全的泄放。經(jīng)有效的實測驗證該方案能夠快速有效的泄放母線電壓,提高電動汽車高壓安全性能,進(jìn)一步降低觸電風(fēng)險。 關(guān)鍵詞:新能源電動汽車;高壓安全系統(tǒng);故障檢測;快速泄放;安全性能;觸電風(fēng)險 0 引言
- 關(guān)鍵字: 202006 新能源電動汽車 高壓安全系統(tǒng) 故障檢測 快速泄放 安全性能 觸電風(fēng)險
一種基于LDMOS器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化提升功率放大器功率附加效率 的方法
- 吳錦帆(電子科技大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院??四川??成都??610054) 摘?要:本文介紹了一種通過改進(jìn)LDMOS的器件結(jié)構(gòu),提升以LDMOS搭建的功率放大器的功率附加效率大信號指標(biāo)的方法。在器件仿真環(huán)境中,通過對LDMOS的漂移區(qū)進(jìn)行結(jié)構(gòu)優(yōu)化,提升器件的小信號增益,然后利用器件等效建模技術(shù),在電路仿真環(huán)境中,搭建出功率放大器進(jìn)行大信號仿真,在相同的工作條件下功率附加效率提升了約5%左右?! £P(guān)鍵詞:LDMOS;功率放大器;功率附加效率 0 引言 橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(RFLDMO
- 關(guān)鍵字: 202006 LDMOS 功率放大器 功率附加效率
高驅(qū)動電流的隧穿器件設(shè)計
- 陳玉翔(電子科技大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院??四川??成都??610054) 摘?要:隧道場效應(yīng)晶體管(TFET)由于其獨特的帶帶隧穿原理而成為超低功耗設(shè)計中有力的候選者。傳統(tǒng)MOSFET在室溫下的亞閾值擺幅因載流子漂移擴(kuò)散工作原理而高于60 mV/dec;而基于量子隧道效應(yīng)的隧穿場效應(yīng)晶體管,其亞閾值斜率可以突破MOSFET器件的亞閾值擺幅理論極限,并且具有極低的關(guān)態(tài)泄漏電流。本文提出了一種異質(zhì)結(jié)縱向隧穿場效應(yīng)晶體管,用以改善器件導(dǎo)通電流和亞閾值特性,改進(jìn)后的器件開態(tài)電流由36 μA/μm增加到92
- 關(guān)鍵字: 202006 隧穿場效應(yīng)晶體管 帶帶隧穿 異質(zhì)結(jié) 開態(tài)電流
變頻開關(guān)電源高頻變壓器焊接質(zhì)量分析與研究
- 周?平,項永金,張秀鳳,戴銀燕,王少輝(格力電器(合肥)有限公司,安徽??合肥,230088) 摘?要:空調(diào)控制器中使用的高頻變壓器主要用在開關(guān)電源中,高頻變壓器是進(jìn)行能量儲存和傳輸?shù)闹匾考?,目前大多?shù)高頻變壓器都為帶引腳手插式變壓器。高頻變壓器在中性鹽霧箱中放置48小時,引腳被腐蝕產(chǎn)生鐵的氧化物覆蓋在引腳的最外面,呈暗紅色的鐵銹,表現(xiàn)出的現(xiàn)象為氧化、生銹,時間久了會使引腳腐蝕斷裂,解決引腳氧化生銹問題,可以提高高頻變壓器的可靠性和使用壽命。 關(guān)鍵詞:高頻變壓器;引腳生銹氧化;可靠性;使用壽命
- 關(guān)鍵字: 202006 高頻變壓器 引腳生銹氧化 可靠性 使用壽命
PET基ITO 導(dǎo)電薄膜的可靠性研究
- 項永金,戴銀燕(格力電器(合肥)有限公司,安徽合肥??230088) 摘?要:18年A公司高端變頻圓筒柜機(jī)在實際應(yīng)用中出現(xiàn)大量按鍵不靈敏、按鍵失靈故障,在經(jīng)過大量數(shù)據(jù)統(tǒng)計分析及實際主板失效分析確定是柜機(jī)中導(dǎo)電薄膜電極受力彎折開裂開路失效,本文結(jié)合大量失效品分析,對導(dǎo)電薄膜失效原因及失效機(jī)理分析,分析結(jié)果表明:導(dǎo)電薄膜采用ITO電極該電極材質(zhì)抗彎曲能力差,裝配不當(dāng)非常容易導(dǎo)致電極折彎產(chǎn)生開裂,經(jīng)過對ITO電極失效機(jī)理分析確定采取調(diào)整銀漿走線設(shè)計、銀漿線路多邊走線設(shè)計及重新選型ITO電極材質(zhì),經(jīng)過實際實
- 關(guān)鍵字: 202006 導(dǎo)電薄膜 ITO電極 按鍵靈敏度 電極材質(zhì) 多邊電極
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