ldmos 文章進(jìn)入ldmos技術(shù)社區(qū)

基站功率放大器ADS仿真設(shè)計

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： ADS 晶體管基站功率放大器仿真 LDMOS

LDMOS結(jié)構(gòu)特點和使用優(yōu)勢

LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體)是為900MHz蜂窩電話技術(shù)開發(fā)的，蜂窩通信市場的不斷增長保證了LDMOS晶體管的應(yīng)用，也使得LDMOS的技術(shù)不斷成熟，成本不斷降低，因此
關(guān)鍵字：優(yōu)勢使用特點結(jié)構(gòu) LDMOS

飛思卡爾推出RF LDMOS功率管可在阻抗失配條件下使

飛思卡爾推出RF LDMOS功率管可在阻抗失配條件下使用,飛思卡爾半導(dǎo)體日前推出一款RF LDMOS功率管，工作頻率為1.8至600 MHz ，最適于在CO2激光器、等離子體發(fā)生器和磁共振成像（MRI）掃描儀等應(yīng)用中所遇到的具有潛在破壞性的阻抗失配條件下使用。新MRFE6VP6300H FET是世界
關(guān)鍵字： LDMOS 飛思卡爾功率管阻抗

基于LDMOS的TD-SCDMA射頻功放設(shè)計

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： LDMOS TD-SCDMA 射頻功率放大器 EVM指標(biāo)

基于LDMOS的TD-SCDMA射頻功率放大器

　TD-SCDMA(時分同步碼分多址接入)是第三代移動通信三大主流標(biāo)準(zhǔn)之一，是我國具有自主知識產(chǎn)權(quán)的通信標(biāo)準(zhǔn)，它標(biāo)志著中國在移動通信領(lǐng)域已經(jīng)進(jìn)入世界先進(jìn)行列，目前，TD-SCDMA的商用化進(jìn)程正在順利地進(jìn)行之中[1]。TD-
關(guān)鍵字：功率放大器射頻 TD-SCDMA LDMOS 基于

LDMOS結(jié)構(gòu)/優(yōu)點

LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體)是為900MHz蜂窩電話技術(shù) ...
關(guān)鍵字： LDMOS

LDMOS的性能與制造工藝

LDMOS的性能概述　　與雙極型晶體管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可達(dá)14dB以上，而雙極型晶體管在5~6d ...
關(guān)鍵字： LDMOS 性能制造工藝

檢測LDMOS漏端電壓判斷是否過流方案

摘要：本文介紹采用直接檢測LDMOS 漏端電壓來判斷其是否過流的設(shè)計方案，給出了電路結(jié)構(gòu)。通過電路分析，并利用BCD 高壓工藝，在cadence 環(huán)境下進(jìn)行電路仿真驗證。結(jié)果證明：該方法能夠快速、實時地實現(xiàn)過流保護(hù)功能
關(guān)鍵字：是否方案判斷電壓 LDMOS 檢測

基于超薄外延技術(shù)的雙擴散新型D-RESURF LDMOS設(shè)計

摘要：文中針對高壓節(jié)能應(yīng)用領(lǐng)域，開發(fā)了一種基于超薄外延技術(shù)的雙擴散BCD兼容工藝，實現(xiàn)了一種新型D-RESURF結(jié)構(gòu)的700V LDMOS設(shè)計。結(jié)構(gòu)中N型外延的厚度減小為4．5mu;m，漂移區(qū)長度縮減至70mu;m，使得芯片面積和制
關(guān)鍵字： D-RESURF LDMOS 設(shè)計新型擴散超薄外延技術(shù) 基于

飛思卡爾的先進(jìn)射頻功率處理技術(shù)LDMOS降低蜂窩發(fā)射器成本和功耗

飛思卡爾半導(dǎo)體近日推出其下一代橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）射頻功率晶體管，以滿足蜂窩發(fā)射器降低功耗的...
關(guān)鍵字： LDMOS

世強電訊推出Infineon 推動功放參考設(shè)計及Demoboard

　　Infineon的LDMOS功放管憑優(yōu)良的產(chǎn)品質(zhì)量性能已廣泛應(yīng)用在移動通信設(shè)備中，在國內(nèi)外不少知名通信設(shè)備生產(chǎn)商的設(shè)備中Infineon的功放管都占有一定的份額。　　其中，Infineon專門為了滿足移動通信市場需求設(shè)計了應(yīng)用頻率范圍為700MHz到2.2GHz的4W、8W、12W寬帶功放管，增益在900MHz為19dB,2.1GHz為16dB，漏極供電為直流28V，線性指標(biāo)良好，效率高。這三個不同功率等級的功放管封裝結(jié)構(gòu)完全一樣，電路簡單可相互兼容。該類功放管超寬的工作帶寬及同封裝不同功率等級的
關(guān)鍵字： Infineon LDMOS 移動通信

英飛凌向中國通信市場推出新一代LDMOS晶體管

　　英飛凌科技(Infineon TEchnologies)公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一，其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門。在中國，英飛凌先進(jìn)的半導(dǎo)體解決方案已廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域，該公司憑借其雄厚的技術(shù)實力和全球領(lǐng)先的經(jīng)驗，與包括中興、華為、方正、握奇等國內(nèi)領(lǐng)先廠商展開深入合作，為中國電子行業(yè)的騰飛做出應(yīng)有的貢獻(xiàn)。　　在LDMOS (橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管方面，英飛凌立足于最先進(jìn)的LDMOS工藝技術(shù)和改善散熱性能的封裝，這家公司可制造門類齊全的RF功
關(guān)鍵字：英飛凌晶體管 LDMOS

恩智浦射頻產(chǎn)品技術(shù)中心落戶上海及波士頓近郊

　　恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)近日宣布，公司增加在射頻研發(fā)的投資，2010年上半年先后在中國上海以及美國馬塞諸塞州比爾里卡市(近波士頓)開設(shè)兩家恩智浦高性能射頻(RF)產(chǎn)品技術(shù)中心。中心主要從事射頻/微波集成電路(IC)設(shè)計，涉及領(lǐng)域包括國防航空、工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)學(xué)衛(wèi)星接收器及寬帶通信中等。其中，于年內(nèi)第一季度成立的上海恩智浦高性能射頻產(chǎn)品技術(shù)中心，特別致力于為大中華區(qū)域的客戶提供更及時周到的服務(wù)，包括從射頻前端到末級放大器的射頻器件設(shè)計開發(fā)、技術(shù)支持、售后服務(wù)等一條龍全方位射頻解
關(guān)鍵字： NXP 射頻 LDMOS

3G基站：LDMOS技術(shù)提升3G基站能效

　　我國的3G網(wǎng)絡(luò)發(fā)展?jié)摿εe世矚目，3G建設(shè)中最為關(guān)鍵的基站部署也已成為業(yè)界關(guān)注的核心。以高效功放、多載頻技術(shù)、分布式架構(gòu)、增強型室內(nèi)覆蓋等為代表的新一代基站創(chuàng)新性技術(shù)，將會讓運營商實現(xiàn)高性能、低成本的網(wǎng)絡(luò)部署。其中，功放效率問題是所有廠家追求的一個熱點。因為提高功放效率不僅能夠為運營商節(jié)省電費、節(jié)省電源等配套設(shè)施的投資，還能降低整機散熱的要求，增強設(shè)備的穩(wěn)定性。　　從成本上看，功率放大器是基站上最昂貴的器件，其成本約占基站總成本的60%，而功放管又是功率放大器上最貴的器件，其成本約占80%。除成本之
關(guān)鍵字：恩智浦 3G基站 LDMOS

共34條 2/3 « 1 2 3 »

ldmos介紹

橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體 LDMOS lateral double-diffused metal-oxide semiconductor 　　LDMOS技術(shù)是為900MHz蜂窩電話技術(shù)開發(fā)的，蜂窩通信市場的不斷增長保證了LDMOS晶體管的應(yīng)用，也使得LDMOS的技術(shù)不斷成熟，成本不斷降低，因此今后在多數(shù)情況下它將取代雙極型晶體管技術(shù)。　　與雙極型晶體管相比,LDMOS管的增益更高，L [ 查看詳細(xì) ]