飛思卡爾推出RF LDMOS功率管 可在阻抗失配條件下使

飛思卡爾半導體日前推出一款RF LDMOS功率管，工作頻率為1.8至600 MHz ，最適于在CO2激光器、等離子體發(fā)生器和磁共振成像（MRI）掃描儀等應用中所遇到的具有潛在破壞性的阻抗失配條件下使用。新MRFE6VP6300H FET是世界首款50V LDMOS晶體管，在電壓駐波比（VSWR）為65:1的負載中提供 300 W CW的全額定輸出功率。

當射頻功率管生成的最大功率到達天線時，所有固態(tài)射頻功率放大器的運行最有效。在理想條件下，這會產(chǎn)生1:1的VSWR，生成的全部額定功率都通過傳輸線到達負載，沒有任何額定功率反射回放大器。大部分應用的VSWR水平很少超過2.5:1，而大部分RF功率管無論其采取什么技術，都可以處理5:1或10:1的VSWR。

但是，RF功率放大器用來點燃CO2 激光器和離子發(fā)生器或在MRI系統(tǒng)里生成電磁場，都會短暫出現(xiàn)生成的額定功率幾乎全部被反射回放大器的情況。這些異常情況給大部分RF功率管帶來了難題。

飛思卡爾新推出的MRFE6VP6300H產(chǎn)品主要針對這類應用，能夠將300W滿CW輸出功率生成高達 65:1的VSWR。它是這個性能級別里唯一商用的50 V LDMOS晶體管產(chǎn)品。

飛思卡爾副總裁兼RF部門總經(jīng)理 Gavin Woods表示，“這一重要技術成果又一次顯示了飛思卡爾在RF功率市場始終保持行業(yè)第一的記錄。有了這款新晶體管，CO2激光器、等離子體發(fā)生器、磁共振成像掃描儀和其他工業(yè)設備的制造商可以獲得前所未有的穩(wěn)定性和射頻功率性能。”

MRFE6VP6300H可用于推拉式或單端配置，并放置在緊湊型NI780 - 4陶瓷封裝中。頻率為130兆赫時，該設備生成300W的CW輸出功率，增益為25分貝，效率達80%。該MRFE6VP6300H還包含創(chuàng)新的靜電放電（ESD）保護技術，這不僅使它成為第三類功率器件，還支持大的柵源電壓范圍（-6V至+10 V），因而在高效模式（如C類）下運行時能提高性能。

定價和供貨情況

MRFE6VP6300H現(xiàn)已推出樣品，計劃將于2010年第四季度全面投產(chǎn)。它的參考設計及其他支持工具現(xiàn)已上市。如需了解樣品和定價信息，請與飛思卡爾半導體、飛思卡爾本地銷售辦事處或授權分銷商聯(lián)系。有關MRFE6VP6300H的更多信息，請訪問：www.freescale.com

關于飛思卡爾半導體

飛思卡爾半導體是全球領先的半導體公司，為汽車、消費、工業(yè)、網(wǎng)絡市場設計并制造嵌入式半導體產(chǎn)品。這家私營企業(yè)總部位于德州奧斯汀，在全球擁有設計、研發(fā)、制造和銷售機構。如需了解其它信息，請訪問www.freescale.com.

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