基于LDMOS的TD-SCDMA射頻功率放大器

　TD-SCDMA(時分同步碼分多址接入)是第三代移動通信三大主流標(biāo)準(zhǔn)之一，是我國具有自主知識產(chǎn)權(quán)的通信標(biāo)準(zhǔn)，它標(biāo)志著中國在移動通信領(lǐng)域已經(jīng)進入世界先進行列，目前，TD-SCDMA的商用化進程正在順利地進行之中[1]。TD-SCDMA系統(tǒng)采用的是QPSK/8PSK調(diào)制，在高速的數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用中，更是采用了如16QAM這樣的調(diào)制方式。這些調(diào)制方式都屬于非恒包絡(luò)調(diào)制。由于調(diào)制信號在幅度和相位上都存在誤差，用單純的相位誤差和頻率誤差已不足以反映信號的調(diào)制精度，于是引入了誤差矢量幅度（EVM）指標(biāo)來衡量傳輸信號的質(zhì)量。在現(xiàn)代移動通信系統(tǒng)中，EVM是衡量射頻功率放大器性能的重要指標(biāo)之一[2-3]。在頻分雙工模式的移動通信系統(tǒng)中，由于收發(fā)信的頻率是不同的，因此射頻功率放大器與接收機同時處于工作狀態(tài)，影響射頻功率放大器EVM性能的主要因素是功率放大器的非線性特性以及傳輸信號的峰均比等。而在TD-SCDMA移動通信系統(tǒng)中，由于采用時分雙工模式，收發(fā)信機不能同時工作，即用于發(fā)射信號的射頻功率放大器根據(jù)系統(tǒng)要求分時工作[4]。除上述因素會影響射頻功率放大器的EVM指標(biāo)，本文通過對基于 Freescale 生產(chǎn)的LDMOS 晶體管MW6IC2240構(gòu)成的射頻功率放大器研究，以及建立相應(yīng)的電路模型，主要研究了射頻功率放大器的瞬態(tài)響應(yīng)上升時間對其EVM性能的影響，根據(jù)仿真和測試結(jié)果，得到在TDD模式下影響射頻功率放大器EVM性能的電路參數(shù)，提出了改進的TD-SCDMA射頻功率放大器電路系統(tǒng)設(shè)計，其EVM性能接近頻分雙工模式下的性能。

　　TD-SCDMA射頻功率放大器

　　TD-SCDMA不同于WCDMA、CDMA2000等第三代移動通信體制，它采用了TDD模式，它的接收和發(fā)射是在同一個頻率下分時進行的，這就需要用開關(guān)來保證通信系統(tǒng)收發(fā)信號的正常切換。因此，時分雙工模式下的TD-SCDMA射頻功率放大器也不同于WCDMA和CDMA2000系統(tǒng)中的射頻功率放大器的工作狀態(tài)，而是工作在時分雙工模式下，即只在系統(tǒng)發(fā)射信號的時隙內(nèi)工作，在其他時隙內(nèi)必須關(guān)閉，以避免系統(tǒng)自激。這不僅保證了系統(tǒng)的有序運行，也提高了系統(tǒng)效率和頻譜利用率。

　　射頻功率放大器的工作狀態(tài)是由其偏置來決定的。如果給功率放大器加一個固定的偏置電壓，則其一直處于導(dǎo)通狀態(tài)，這里定義為常開模式；而要使功率放大器工作在時分雙工模式下，可以通過控制功率放大器柵極偏置電壓來實現(xiàn)，該控制信號根據(jù)TD-SCDMA的物理信道信號特點來產(chǎn)生。

　　這里用Freescale的LDMOS功率放大晶體管MW6IC2240設(shè)計了一個輸出功率為2W的三載波TD-SCDMA功率放大器。MW6IC2240的功能框圖如圖1所示，它包含了兩級放大，其飽和輸出功率大于40W。

　　圖1中的VDS1和VDS2是功率放大器的漏極供電，這里加28V的固定電壓；VGS1和VGS2則是功率放大器柵極供電端，分別給其加上固定電壓和受系統(tǒng)控制的偏置電壓就能使其分別工作于常開模式和時分雙工模式。通過實際測試，其常開模式和時分雙工模式下的EVM指標(biāo)如圖2所示。

　　從圖2中可以看出，隨著輸出功率的增大，EVM指標(biāo)不斷惡化，這是由于隨著輸出功率接近功率放大器的1dB壓縮點，非線性失真開始明顯增大，非線性失真則會嚴(yán)重地影響EVM指標(biāo)，這在其他許多文章中都有報道；這里主要研究功率放大器在時分雙工模式下(即正常工作模式）的EVM值總是比常開狀態(tài)下的EVM值大，即功率放大器在時分雙工模式下工作對信號有所惡化，由圖2可以看出，功率放大器處于時分雙工模式下的EVM值比常開模式時高大約0.5%（此時時分雙工方式下功率放大器的瞬態(tài)響應(yīng)上升時間為1.5us）。下面主要分析產(chǎn)生這種差異的原因。

　　功率放大器的瞬態(tài)響應(yīng)對EVM影響分析

　　功率放大器在時分雙工模式下與TD-SCDMA信號幀特點密切相關(guān)。TD-SCDMA的一個子幀的長度為5ms，由7個常規(guī)時隙和3個特殊時隙組成，如圖3所示。這里主要考慮常規(guī)時隙：在TDMA信道上一個時隙中的信息格式稱為突發(fā)，TD- SCDMA系統(tǒng)采用的突發(fā)結(jié)構(gòu)如圖3所示，突發(fā)由兩個長度分別為352chip的數(shù)據(jù)塊、一個長度為144chip的中間碼和一個長度為16chip的保護時隙（GP）組成[5]。

　　由圖3可知，TD-SCDMA的常規(guī)時隙的最前面就是一個352chip的數(shù)據(jù)塊，其中包括了許多TD-SCDMA信號的系統(tǒng)信息。而射頻功率放大器對柵極輸入的脈沖偏置方波電壓總有一個瞬態(tài)響應(yīng)，特別是上升時間的影響。于是產(chǎn)生了對TD-SCDMA信號削波的現(xiàn)象，會造成部分?jǐn)?shù)據(jù)符號丟失，因此造成對 TD-SCDMA傳輸信號EVM指標(biāo)的惡化。如圖2中的時分雙工模式下EVM指標(biāo)就是在偏置電壓上升時間為1.5us情況下的測試數(shù)據(jù)。

　　功率放大器的瞬態(tài)響應(yīng)不僅與器件本身有關(guān)，還與偏置電路的設(shè)計密切相關(guān)。為了更好地分析功率放大器的瞬態(tài)響應(yīng)，這里根據(jù)晶體管的模型用二階R-C網(wǎng)絡(luò)來等效分析功率放大器的瞬態(tài)響應(yīng)，如圖4所示。其中，C1、R1、R2代表功率晶體管的等效參數(shù)；而C2、R3、R4則是功率放大器的供電電路參數(shù)。當(dāng)功率放大器打開時，控制開關(guān)J1的3腳與1腳相連，電源V1對電容進行充電，可見電路的上升時間不僅與功率晶體管的電容C1有關(guān)，還與供電電路的濾波電容C2和電阻R4有關(guān)。在實際的應(yīng)用中，R4一般選取10?贅，而由于上升時間不能太大，濾波電容只能選擇pF量級的。但功率放大器關(guān)斷時，開關(guān)J1的3腳與2腳相連，此時電路通過阻值很小的電阻R3來放電，從而保證功率放大器的瞬態(tài)響應(yīng)下降時間足夠短。

　　功率放大器瞬態(tài)響應(yīng)上升時間與圖4中的C1、R1和R4密切相關(guān)，其中C1和R1是管子內(nèi)部的參數(shù)，由所使用的功率晶體管型決定；而R4與偏置電路有關(guān)，可以通過改變R4的大小來改變整個功率放大器的瞬態(tài)響應(yīng)。圖5就是在R4的不同阻值下的功率放大器電路的瞬態(tài)響應(yīng)。從圖中可以看出，當(dāng)R4=10Ω時，功放的柵極偏置電壓的上升時間為0.6us；當(dāng)R4=20Ω時，上升時間變?yōu)?.1us；當(dāng)R4=30Ω時，上升時間為1.6us。也就是說，隨著電阻R4 阻值的增大，功率放大器柵極偏置電壓的上升時間也隨之增大。