英飛凌：功率半導體技術(shù)進步為電路創(chuàng)新提供契機

近年來，由于節(jié)能環(huán)保的概念日益深化，在資源有限的現(xiàn)實環(huán)境下，各國政府以及相關(guān)機構(gòu)也相應制定出法律法規(guī)，積極發(fā)展綠色能源。像太陽能、電動車，以及充電站等配套設備，需要依靠高效率的電源轉(zhuǎn)換器，才能使設備發(fā)揮出最佳性能。

電源轉(zhuǎn)換器技術(shù)著重在高功率密度以及高轉(zhuǎn)換效率，可進一步縮小轉(zhuǎn)換器的重量與體積，提高能源的利用率。目前電源技術(shù)拓撲架構(gòu)發(fā)展已經(jīng)趨于成熟，不同的功率都有與其相適應的轉(zhuǎn)換器架構(gòu)，如果想要進一步提升效率，重點在于新的功率元件材料的使用。功率半導體技術(shù)進步也為電路創(chuàng)新提供契機，新的電源拓撲結(jié)構(gòu)不斷創(chuàng)新，傳統(tǒng)簡單的拓撲得以重生。

為了滿足上述趨勢需求，近年來像碳化硅和氮化鎵這樣的寬能隙材料應運而生且被成功地商品化。作為一家創(chuàng)新公司，英飛凌致力于不斷的推出全新的產(chǎn)品，如最新一代氮化鎵系列產(chǎn)品，已經(jīng)實現(xiàn)了功率轉(zhuǎn)化效率達到硅芯片10到100倍的突破性改善效果，這必將成為未來半導體產(chǎn)業(yè)的顛覆性解決方案。

英飛凌碳化硅和氮化鎵領(lǐng)域產(chǎn)品

英飛凌持續(xù)關(guān)注基于復合半導體的新技術(shù)，擴展碳化硅和氮化鎵領(lǐng)域的產(chǎn)品。

從碳化硅誕生以來，英飛凌在市場上一直是這個技術(shù)的領(lǐng)導者。2017財年，我們在碳化硅MOSFET產(chǎn)品方面實現(xiàn)首次營收，這一關(guān)鍵技術(shù)的突破性進展為持續(xù)成功奠定基礎(chǔ)。2017年我們推出了分立器件和模塊。分立器件就是TO-247的三管腳、四管腳封裝。模塊包括EasyB系列和62毫米封裝系列，分別都可以用在太陽能，傳動UPS和電源應用上。首先，1200 V SiC MOSEFT采用的溝槽柵技術(shù)的一大優(yōu)勢在于持久的堅固耐用性，失效率很低，這得益于門級氧化層的可靠性。第二，實現(xiàn)業(yè)界碳化硅器件導通、開關(guān)損耗最低，溫升最低，效率最高。第三，我們SiC器件卓越的可靠性。這是由于其具備較低的失效率（FIT）和有效的短路能力，可適應不同的應用挑戰(zhàn)。得益于4 V的閾值電壓（V th）和+15 V的推薦接通閾值（V GS），可以像驅(qū)動IGBT一樣驅(qū)動英飛凌的SiC MOSEFT，在發(fā)生故障時得以安全關(guān)閉。這就是說，用戶不需要專門再設計特別的驅(qū)動電力，這樣就大大提高了碳化硅產(chǎn)品普及的速度。

如前面提到的，英飛凌最新一代氮化鎵系列產(chǎn)品，已經(jīng)實現(xiàn)了功率轉(zhuǎn)化效率達到硅芯片10到100倍的突破性改善效果，這必將成為未來半導體產(chǎn)業(yè)的顛覆性解決方案。

展望未來，英飛凌將繼續(xù)專注于關(guān)鍵的增長市場，堅持創(chuàng)新，并借助于在碳化硅和氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域的不斷突破，進一步擴大產(chǎn)品組合，實現(xiàn)先進技術(shù)和產(chǎn)品在諸如電動汽車、可再生能源、物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的成功應用。