Transphorm推出TOLL封裝FET，將氮化鎵定位為支持高功率能耗人工智能應(yīng)用的最佳器件

加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代電力系統(tǒng)的未來、氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)先供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出三款TOLL封裝的 SuperGaN? FET，導(dǎo)通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，這意味著TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備Transphorm經(jīng)驗(yàn)證的高壓動(dòng)態(tài)(開關(guān))導(dǎo)通電阻可靠性——而市場上主流的代工e-mode氮化鎵則缺乏這樣的可靠性。

這三款表面貼裝型器件(SMD)可支持平均運(yùn)行功率范圍為1至3千瓦的較高功率應(yīng)用，這樣的電力系統(tǒng)常用于高性能領(lǐng)域，如計(jì)算（人工智能、服務(wù)器、電信、數(shù)據(jù)中心）、能源和工業(yè)（光伏逆變器、伺服電機(jī)）以及其他廣泛的工業(yè)市場。目前，氮化鎵在這一市場領(lǐng)域的全球潛在市場規(guī)模(TAM)達(dá)25億美元。值得關(guān)注的是，該新型功率器件是目前快速發(fā)展的人工智能(AI)系統(tǒng)最佳解決方案，AI系統(tǒng)依賴于GPU，而GPU的功耗是傳統(tǒng)CPU的10到15倍。

目前，各種高性能領(lǐng)域的主流客戶開始采用Transphorm的高功率氮化鎵器件，為其高性能系統(tǒng)提供電力支持，應(yīng)用領(lǐng)域包括數(shù)據(jù)中心電源、高功率電競PSU、UPS和微型逆變器等。新型TOLL封裝器件也能夠用于電動(dòng)汽車的DC-DC轉(zhuǎn)換器和車載充電器應(yīng)用，因?yàn)楹诵腟uperGaN芯片已通過汽車行業(yè)(AEC-Q101)標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證。

TOLL形式的SuperGaN FET是Transphorm推出的第六款封裝類型，給予了客戶最廣泛的封裝選擇，以滿足客戶的不同設(shè)計(jì)需求。與所有Transphorm產(chǎn)品一樣，該TOLL封裝器件利用了Transphorm常閉型d-mode SuperGaN平臺(tái)所固有的性能和可靠性優(yōu)勢。如需詳細(xì)了解SuperGaN與 e-mode氮化鎵的對比分析，請下載Transphorm公司最新發(fā)布的白皮書『Normally-off D-Mode 氮化鎵晶體管的根本優(yōu)勢』，該技術(shù)白皮書的結(jié)論與Transphorm今年初發(fā)布的一份對比報(bào)告相一致——該比較顯示，在一款市售280W電競筆記本電腦充電器中，使用72 毫歐 SuperGaN FET直接替代尺寸更大的50毫歐e-mode器件，充電器的性能會(huì)更好。

SuperGaN 器件憑借無比卓越的性能引領(lǐng)市場： 

l可靠性：FIT< 0.03

l柵極安全裕度：± 20 V

l抗噪性：4 V

l電阻溫度系數(shù)（TCR）比 e-mode 器件低 20%

l驅(qū)動(dòng)方式更靈活：利用硅基控制器/驅(qū)動(dòng)器中現(xiàn)成的標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路

器件規(guī)格 

該650V SuperGaN TOLL 封裝器件性能穩(wěn)健，且已獲得JEDEC資格認(rèn)證。由于常閉型d-mode平臺(tái)是將GaN HEMT與低電壓硅管配對，因此，SuperGaN FET 可以簡單的選擇使用常用市售柵極驅(qū)動(dòng)，應(yīng)用于各種軟/硬開關(guān)的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 拓?fù)渲?，提高功率密度，同時(shí)減小系統(tǒng)尺寸、重量和總成本。

供貨情況和設(shè)計(jì)開發(fā)資源

SuperGaN TOLL 封裝器件目前可提供樣品。

基于該TOLL封裝器件的系統(tǒng)開發(fā)和優(yōu)化，請參考如下應(yīng)用指南：

AN0009：Transphorm 氮化鎵 FET 的推薦外部周邊電路

AN0003：針對氮化鎵功率開關(guān)的印刷電路板布局和量測

AN0014：適用于中低功率氮化鎵 FET 應(yīng)用的低成本、高密度、高電壓硅驅(qū)動(dòng)器