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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 功率半導(dǎo)體

Kulicke & Soffa推出用于功率半導(dǎo)體應(yīng)用的Asterion-PW

  • Kulicke and Soffa Industries Inc.（“Kulicke & Soffa”、“K&S”、“我們”或“公司”）宣布推出Asterion-PW超聲波針焊接機，通過快速精確的超聲波針焊接解決方案擴大其在功率元件應(yīng)用領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。這種先進(jìn)的解決方案為Pin互連能力設(shè)定了新的標(biāo)準(zhǔn)，重新定義了效率、精度和可靠性。在可再生能源、汽車和鐵路等應(yīng)用中，越來越多的常用功率模塊元件使用超聲波焊接來實現(xiàn)Pin針和DBC的互連以滿足信號傳輸和機械固定的要求。功率模塊市場是增長最快的半導(dǎo)
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SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”！

  • 隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC?JFET將越來越重要。我們將詳細(xì)介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內(nèi)容包括Cascode（共源共柵）關(guān)鍵參數(shù)和并聯(lián)振蕩的分析，以及設(shè)計指南。本文為第一篇，聚焦Cascode產(chǎn)品介紹、Cascode背景知識和并聯(lián)設(shè)計。簡介大電流操作通常需要直接并聯(lián)功率半導(dǎo)體器件。出于成本或布局的考慮，并聯(lián)分立器件通常是優(yōu)選方案。另一種替代方案是使用功率模塊，但這些模塊實際上也是通過并聯(lián)芯片實現(xiàn)的。本文總結(jié)了適用于所
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CGD 獲得3,200萬美元融資，以推動在全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的增長

  • 2025年2月19日 英國劍橋- 氮化鎵（GaN）功率器件的領(lǐng)先創(chuàng)新者 Cambridge GaN Devices (CGD) 已成功完成3,200萬美元的C輪融資。該投資由一位戰(zhàn)略投資者牽頭、英國耐心資本參與，并獲得了現(xiàn)有投資者 Parkwalk、英國企業(yè)發(fā)展基金（BGF）、劍橋創(chuàng)新資本公司（CIC）、英國展望集團(tuán)（Foresight Group）和 IQ Capital 的支持。             &nbs
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驅(qū)動電路設(shè)計（二）——驅(qū)動器的輸入側(cè)探究

  • 驅(qū)動電路設(shè)計是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點，涉及到功率半導(dǎo)體的動態(tài)過程控制及器件的保護(hù)，實踐性很強。為了方便實現(xiàn)可靠的驅(qū)動設(shè)計，英飛凌的驅(qū)動集成電路自帶了一些重要的功能，本系列文章以閱讀雜談的方式講詳細(xì)講解如何正確理解和應(yīng)用這些功能，也建議讀者閱讀和收藏文章中推薦的資料以作參考。驅(qū)動器的輸入側(cè)一個可靠的功率半導(dǎo)體驅(qū)動電路設(shè)計要從輸入側(cè)開始，輸入端可能會受到干擾，控制電路也會發(fā)生邏輯錯誤，可能的誤觸發(fā)會造成系統(tǒng)輸出混亂，甚至損壞器件。一個典型的無磁芯變壓器耦合的隔離型驅(qū)動器輸入測如框圖所示，本文重點講講不起眼的IN
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功率半導(dǎo)體驅(qū)動電源設(shè)計（一）綜述

  • 工業(yè)應(yīng)用中，功率半導(dǎo)體的驅(qū)動電源功率不大，設(shè)計看似簡單，但要設(shè)計出簡單低成本的電路并不容易，主要難點有幾點：1 電路要求簡潔，占用線路板面積要小一個EasyPACK? 2B 1200V 100A六單元IGBT模塊，周長20cm，占板面積27cm2，很小，在四周要安排布置6路驅(qū)動和4-6路隔離電源并不容易，如果需要正負(fù)電源就更復(fù)雜。2 電力電子系統(tǒng)需要滿足相應(yīng)的安規(guī)和絕緣配合標(biāo)準(zhǔn)，保證合規(guī)的爬電距離和電氣間隙，這使得PCB面積更捉襟見肘。3 對于中大功率的功率模塊，驅(qū)動板會放在模塊上方，會受熱和直面較強的電
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羅姆功率半導(dǎo)體產(chǎn)品概要

  • 1.???? 前言近年來，全球耗電量逐年增加，在工業(yè)和交通運輸領(lǐng)域的增長尤為顯著。另外，以化石燃料為基礎(chǔ)的火力發(fā)電和經(jīng)濟(jì)活動所產(chǎn)生的CO2（二氧化碳）排放量增加已成為嚴(yán)重的社會問題。因此，為了實現(xiàn)零碳社會，努力提高能源利用效率并實現(xiàn)碳中和已成為全球共同的目標(biāo)。在這種背景下，羅姆致力于通過電子技術(shù)解決社會問題，專注于開發(fā)在大功率應(yīng)用中可提升效率的關(guān)鍵——功率半導(dǎo)體，并提供相關(guān)的電源解決方案。本白皮書將通過“Power Eco Family”的品牌理念，介紹為構(gòu)建應(yīng)用生
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被神秘的FS7“附體”，解讀兩大最新功率模塊系列的“超能力”

  • 安森美（onsemi）在2024年先后推出兩款超強功率半導(dǎo)體模塊新貴，IGBT模塊系列——SPM31 IPM，QDual 3。值得注意的是，背后都提到采用了最新的FS7技術(shù)，主要性能拉滿，形成業(yè)內(nèi)獨特的領(lǐng)先優(yōu)勢。解密FS7“附體”的超能力眾所周知，IGBT是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件，結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極結(jié)型晶體管（BJT）的優(yōu)點，具有高輸入阻抗和低導(dǎo)通電壓降的特點。而安森美的Field Stop技術(shù)則是IGBT的一種改進(jìn)技術(shù)，通過在器件的漂移區(qū)引入一個場截
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安森美榮獲2024年亞洲金選車用電子解決方案供應(yīng)商獎及年度最佳功率半導(dǎo)體獎

  • 智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者安森美（onsemi）再次榮膺電子行業(yè)資深媒體集團(tuán)ASPENCORE頒發(fā)的2024亞洲金選獎（EE Awards Asia)之車用電子解決方案供應(yīng)商獎，彰顯其在車用領(lǐng)域的卓越表現(xiàn)和領(lǐng)先地位。同期，安森美第 7 代 1200V QDual3 IGBT功率模塊獲得年度最佳功率半導(dǎo)體獎，基于新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術(shù)帶來出色的效能表現(xiàn)獲得業(yè)界肯定。作為全球領(lǐng)先的汽車半導(dǎo)體供應(yīng)商，安森美致力于以創(chuàng)新的智能電源和智能感知技術(shù)推動汽車電氣化和智能化創(chuàng)新。安森美在多個
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德州儀器日本會津工廠開始生產(chǎn)GaN芯片，自有產(chǎn)能將提升四倍

  • 自德州儀器官網(wǎng)獲悉，日前，德州儀器公司（TI）宣布已開始在日本會津工廠生產(chǎn)基于氮化鎵(GaN)的功率半導(dǎo)體。隨著會津工廠的投產(chǎn)，結(jié)合其在德克薩斯州達(dá)拉斯的現(xiàn)有GaN制造能力，德州儀器的內(nèi)部GaN基功率半導(dǎo)體制造能力將翻四倍。德州儀器技術(shù)與制造高級副總裁穆罕默德·尤努斯（Mohammad Yunus）表示，在GaN芯片設(shè)計和制造方面擁有十多年的豐富經(jīng)驗后，TI成功地將200mm GaN技術(shù)（這是目前制造GaN的最具可擴展性和成本競爭力的方法）應(yīng)用于會津工廠的量產(chǎn)。這一里程碑使德州儀器能夠在內(nèi)部制造更多的Ga
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是德科技推出適用于功率半導(dǎo)體的3kV高壓晶圓測試系統(tǒng)

  • ●? ?通過高壓開關(guān)矩陣實現(xiàn)一次性測試，進(jìn)而提高生產(chǎn)效率●? ?該系統(tǒng)旨在提高操作人員與設(shè)備的安全性；同時確保符合相關(guān)法規(guī)要求是德科技推出適用于功率半導(dǎo)體的?3kV高壓晶圓測試系統(tǒng)是德科技（Keysight Technologies, Inc.）近日推出全新的?4881HV?高壓晶圓測試系統(tǒng)，進(jìn)一步擴展了其半導(dǎo)體測試產(chǎn)品組合。該解決方案通過在一次性測試中高效完成高達(dá)3kV的高低壓參數(shù)測試，從而顯著提升了功率半導(dǎo)體制造商的生產(chǎn)效率。傳統(tǒng)上
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三星加碼氮化鎵功率半導(dǎo)體

  • 根據(jù)韓媒報道，9月2日，三星電子在第二季度引入了少量用于大規(guī)模生產(chǎn)GaN功率半導(dǎo)體的設(shè)備。GaN是下一代功率半導(dǎo)體材料，具有比硅更好的熱性能、壓力耐久性和功率效率?；谶@些優(yōu)勢，IT、電信和汽車等行業(yè)對其的需求正在增加。三星電子也注意到了GaN功率半導(dǎo)體行業(yè)的增長潛力，并一直在推動其進(jìn)入市場。去年6月，在美國硅谷舉行的“2023年三星代工論壇”上，該公司正式宣布：“我們將在2025年為消費電子、數(shù)據(jù)中心和汽車領(lǐng)域推出8英寸GaN功率半導(dǎo)體代工服務(wù)?！备鶕?jù)這一戰(zhàn)略，三星電子第二季度在其器興工廠引入了德國愛思
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安森美選址捷克共和國打造端到端碳化硅生產(chǎn)，供應(yīng)先進(jìn)功率半導(dǎo)體

  • ●? ?安森美 (onsemi) 將實施高達(dá) 20 億美元的多年投資計劃，鞏固其面向歐洲和全球客戶的先進(jìn)功率半導(dǎo)體供應(yīng)鏈●? ?垂直整合的碳化硅工廠將為當(dāng)?shù)貛硐冗M(jìn)的封裝能力，使安森美能夠更好地滿足市場對清潔、高能效半導(dǎo)體方案日益增長的需求 ? ? ?●? ?安森美與捷克共和國政府合作制定激勵方案，以支持投資計劃落實●? ?該投資將成為捷克共和國歷史上最大的私營企業(yè)投資項目之一，屬于對中歐先進(jìn)半導(dǎo)
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功率半導(dǎo)體市場起飛！

  • 近期，市場各方消息顯示，功率半導(dǎo)體市場逐漸開啟新一輪景氣上行周期，新潔能、揚杰科技、臺基股份等多家功率半導(dǎo)體公司股價紛紛上漲，包括華潤微、揚杰科技、華虹半導(dǎo)體等在內(nèi)的企業(yè)產(chǎn)能利用率接近滿載，部分高性能功率器件已率先開啟漲價潮。在此市場景氣上行之際，功率半導(dǎo)體市場也將迎來新一輪放量周期，近期士蘭微投資120億元的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線正式開工，除此之外，包括芯聯(lián)集成、捷捷微電、芯粵能多家企業(yè)功率半導(dǎo)體項目也在上半年有最新動態(tài)。多家企業(yè)產(chǎn)能利用率接近滿載從市場需求端看，消費電子行業(yè)從去年末開始緩慢
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一文搞懂IGBT

  • 01IGBT是什么？IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管（MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有（MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（GTR）的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；（因為Vbe=0.7V,而Ic可以很大（跟PN結(jié)材料和厚度有關(guān)））MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。（因為MOS管有Rds，如果Ids比較大，就會導(dǎo)致Vds很大）IGBT綜合了以上兩種器件的
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Transphorm與偉詮電子合作推出新款GaN器件

  • 近日，Transphorm與偉詮電子宣布推出兩款新型系統(tǒng)級封裝氮化鎵（GaN）器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦GaN SiP一起，組成首個基于Transphorm SuperGaN平臺的系統(tǒng)級封裝GaN產(chǎn)品系列。新推出的兩款SiP器件型號分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準(zhǔn)諧振/谷底開關(guān)）反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。與上一款240 mΩ器件（WT7162RHUG24A）相同，兩
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功率半導(dǎo)體介紹

　　《功率半導(dǎo)體 器件 與應(yīng)用》基于前兩章的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)，詳細(xì)介紹了目前最主要的幾類功率半導(dǎo)體器件，包括pin二極管、晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。 [ 查看詳細(xì) ]

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