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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 功率半導體

“十三五”期間，功率半導體產(chǎn)業(yè)應有怎樣的路線圖？

  • 　　如果說中央處理器(CPU)是一臺計算機的心臟，功率半導體就是電機的心臟，它可以實現(xiàn)對電能的高效產(chǎn)生、傳輸、轉(zhuǎn)換、存儲和控制。我國發(fā)布《中國制造2025》，勾勒出未來十年產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級的整體方向與發(fā)展規(guī)劃，在此過程中，功率半導體發(fā)揮的作用不可替代。 　　然而，與集成電路產(chǎn)業(yè)相似，我國功率半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平與國際先進水平也存在著巨大差距。人們常拿我國每年集成電路進口額與石油進行比較，其實如果按比例計算，我國功率半導體的進口替代能力可能更弱。隨著“節(jié)能減排”、“開發(fā)綠色
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技術(shù)路線圖指導 做強中國功率半導體

  • 在我國綠色能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展的推動下，功率半導體已經(jīng)成為建設(shè)節(jié)約型社會、促進國民經(jīng)濟發(fā)展、踐行創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略的重要支撐。
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“十三五”期間，功率半導體產(chǎn)業(yè)應有怎樣的路線圖？

  • 　　如果說中央處理器(CPU)是一臺計算機的心臟，功率半導體就是電機的心臟，它可以實現(xiàn)對電能的高效產(chǎn)生、傳輸、轉(zhuǎn)換、存儲和控制。我國發(fā)布《中國制造2025》，勾勒出未來十年產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級的整體方向與發(fā)展規(guī)劃，在此過程中，功率半導體發(fā)揮的作用不可替代。 　　然而，與集成電路產(chǎn)業(yè)相似，我國功率半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平與國際先進水平也存在著巨大差距。人們常拿我國每年集成電路進口額與石油進行比較，其實如果按比例計算，我國功率半導體的進口替代能力可能更弱。隨著“節(jié)能減排”、“開發(fā)綠色
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功率半導體產(chǎn)業(yè)展新局 　碳化矽躋身電源元件主流

  • 　　過去幾年來，碳化矽(SiC)型功率半導體解決方案的使用情形大幅成長，成為各界仰賴的革命性發(fā)展。SiC這項全新的寬帶隙技術(shù)，不僅是向前邁進的革命性發(fā)展(例如過去幾年來每一代新型的矽功率裝置)，也具有真正改變局勢的能力。 　　過去幾年來，碳化矽(SiC)型功率半導體解決方案的使用情形大幅成長，成為各界仰賴的革命性發(fā)展。推動此項市場發(fā)展的力量包括下列趨勢：節(jié)能、縮減體積、系統(tǒng)整合及提升可靠性。 　　IGBT搭配SiC二極體　寬帶隙技術(shù)改變局勢 　　SiC裝置定位能夠充分因應上述市場挑戰(zhàn)。這項全新的寬帶
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8英寸功率半導體器件生產(chǎn)線建設(shè)工程昨在莊河開工

  • 　　大連宇宙半導體有限公司8英寸功率半導體器件生產(chǎn)線項目昨日在莊河市蘭店鄉(xiāng)金場村開工，項目投資24億元，計劃年產(chǎn)24萬片8英寸功率半導體器件芯片。 　　國家“十三五”集成電路生產(chǎn)力布局重大項目 　　大連宇宙半導體有限公司8英寸功率半導體器件生產(chǎn)線項目昨日在莊河市蘭店鄉(xiāng)金場村開工，項目投資24億元，計劃年產(chǎn)24萬片8英寸功率半導體器件芯片，其中部分產(chǎn)品填補國內(nèi)空白，5年內(nèi)將在產(chǎn)品種類和技術(shù)能力上達到可與德國英飛凌科技公司、美國仙童公司等世界著名企業(yè)競爭的水平。該項目已被列入發(fā)改委
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24億8英寸功率半導體器件生產(chǎn)線項目在莊河開工

  • 　　連宇宙半導體有限公司8英寸功率半導體器件生產(chǎn)線項目昨日在莊河市蘭店鄉(xiāng)金場村開工，項目投資24億元，計劃年產(chǎn)24萬片8英寸功率半導體器件芯片，其中部分產(chǎn)品填補國內(nèi)空白，5年內(nèi)將在產(chǎn)品種類和技術(shù)能力上達到可與德國英飛凌科技公司、美國仙童公司等世界著名企業(yè)競爭的水平。該項目已被列入發(fā)改委和工信部聯(lián)合制定的國家“十三五”集成電路生產(chǎn)力布局重大項目庫。 　　產(chǎn)品主要應用于新能源發(fā)電、儲能、超級計算機、云計算網(wǎng)絡、伺服器、個人電腦、UPS電源、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，項目投產(chǎn)后年銷售收入可達30億
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全球十大功率半導體廠商排名，英飛凌超德儀

  • 　　IHS報告指出，受到整體經(jīng)濟環(huán)境不佳影響，2015年全球功率半導體市場規(guī)模為340.11億美元，比2014年小幅衰退2.6%。在大環(huán)境不佳的情況下，個別廠商的經(jīng)營策略對其營運表現(xiàn)好壞，影響更為關(guān)鍵。英飛凌(Infineon)藉由購并國際整流器(International Rectifier, IR)及LS Power Semitech，在市占率方面以些微差距險勝長年盤據(jù)功率半導體市場龍頭寶座的德州儀器(TI)。但德儀的表現(xiàn)亦相當不錯，在整體市場衰退的情況下，營收仍成長了0.7%。 　　就個別產(chǎn)品細項
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美國西北大學侯振宇團隊開發(fā)新型高功率半導體放大器

  • 　　半導體光放大器(Semiconductor Optical Amplifier)是光放大器的一種。光放大器是在光通信或者其他光學應用中對光信號進行放大的一種子系統(tǒng)產(chǎn)品。光放大器的原理基本上是基于激光的受激輻射，通過將泵浦源的能量轉(zhuǎn)變?yōu)樾盘柟獾哪芰繌亩鴮崿F(xiàn)放大作用。泵浦的類別主要有光泵浦和電泵浦。目前研究比較廣泛的光放大器是光纖放大器。它使用的泵浦是光泵浦。光纖放大器自從1990年代商業(yè)化以來，已經(jīng)極大的改變了光纖通信工業(yè)，是直接導致20世紀末互聯(lián)網(wǎng)爆炸(通常所說的”dot com&rdqu
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SiC功率半導體市場將開始高速發(fā)展

  • 　　SiC功率半導體正進入多個應用領(lǐng)域 　　當首款碳化硅(SiC)二極管于2001年推出時，整個產(chǎn)業(yè)都對SiC功率半導體的未來發(fā)展存在疑慮，它會有市場嗎?它能夠真正實現(xiàn)商業(yè)化嗎?然而15年之后的今天，人們不再會有這樣的疑慮。SiC功率半導體市場是真實存在的，而且具有廣闊的發(fā)展前景。2015年，SiC功率半導體市場(包括二極管和晶體管)規(guī)模約為2億美元，到2021年，其市場規(guī)模預計將超過5.5億美元，這期間的復合年均增長率預計將達19%。毫無懸念，消耗大量二極管的功率因素校正(powerfactorcor
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中國大陸功率半導體專利大飛躍，日企如何競爭？

  • 功率半導體器件是日本的優(yōu)勢領(lǐng)域，如今在這個領(lǐng)域，中國的實力正在快速壯大。日本要想在這個領(lǐng)域繼續(xù)保持強大的競爭力，重要的是大力研發(fā)SiC、GaN、組裝等關(guān)鍵技術(shù)，以確保日本的優(yōu)勢地位，并且向開發(fā)高端IGBT產(chǎn)品轉(zhuǎn)型，以避開MOSFET領(lǐng)域的價格競爭。
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功率半導體的新機遇在哪里？

  • 　　隨著功率半導體器件在移動通訊、消費電子、新能源交通、發(fā)電與配電領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用，“中國智造”時代的來臨給功率半導體行業(yè)帶來新的發(fā)展機遇和增長動力。氮化鎵、碳化硅寬禁帶半導體材料和器件、IGBT、射頻通訊等最新技術(shù)都將推動應用市場的快速發(fā)展。 　　蘇州能訊高能半導體有限公司總裁張乃千在“用于4G基站GaN功率放大器”的演講中表示，未來移動通信對于基站而言，需要的頻率更高，更寬的帶寬，更高效率的功率放大器。由于出色的物理特性，氮化鉀射頻設(shè)備在功率
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重慶萬國打造國家重要集成電路產(chǎn)業(yè)基地

  • 　　美國萬國半導體(簡稱“AOS公司”)成立于2000年，總部位于美國硅谷，是一家集半導體設(shè)計、晶圓制造、封裝測試為一體的企業(yè)，主要從事功率半導體器件(含功率MOSFET、IGBT和功率集成電路產(chǎn)品)的產(chǎn)品設(shè)計和生產(chǎn)制造。目前AOS公司在美國俄勒岡有一座8英寸晶圓廠、在上海松江有二座封裝工廠，在美國硅谷、臺灣、上海均設(shè)有研發(fā)中心。產(chǎn)品市場涉及筆記本電腦、液晶電視、手機、家電、通訊設(shè)備、工業(yè)控制、照明應用、汽車電子等領(lǐng)域。 　　重慶項目概況 　　重慶萬國半導體12英寸功率半導體芯
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SiC功率半導體接合部的自我修復現(xiàn)象，有望改善產(chǎn)品壽命

  • 　　大阪大學和電裝2016年3月28日宣布，在日本新能源及產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機構(gòu)(NEDO)的項目下，發(fā)現(xiàn)了有望提高碳化硅(SiC)功率半導體長期可靠性的接合材料自我修復現(xiàn)象。研究人員發(fā)現(xiàn)，在高溫的設(shè)備工作環(huán)境下，用作接合材料的銀燒結(jié)材料自行修復了龜裂，這大大提高了SiC半導體在汽車等領(lǐng)域的應用可能性。 　　此次的SiC接合使用銀膏燒結(jié)粘接法，該方法使用微米級和亞微米級的混合銀顆粒膏，以250℃低溫在空氣環(huán)境實施30分鐘接合工藝，獲得了裸片粘接構(gòu)造。與常見的使用納米顆粒施加高壓的接合方法相比有很多優(yōu)點，包
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功率半導體市場蓬勃 并木精密攻研鉆石單晶襯底

  • 　　并木精密寶石株式會社(Namiki) 多年來為全球前5大藍寶石晶體生長及襯底加工廠， 此次于慕尼黑上海電子展暨國際電子電路展(SEMICON China展會)上并木精密寶石株式會社原田裕幸部長接受了媒體采訪，透露了并木精密寶石在2016年至2020年的發(fā)展策略。 　　   　　雖然目前藍寶石市場混亂且未來應用規(guī)模尚不明朗，并木精密寶石因在技術(shù)及成本上具優(yōu)勢，2016年仍會維持產(chǎn)能規(guī)模，并持續(xù)加速改善熱場及工藝，使得單臺長晶爐產(chǎn)能再提高25%;同時面向市場上藍寶石手機屏幕片應用的殷切
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新一代功率半導體氧化鎵，開始提供外延晶圓

  • 　　日本風險企業(yè)Novel Crystal Technology公司(總部：埼玉縣狹山市)將于2015年10月開始銷售新一代功率半導體材料之一——氧化鎵的外延晶圓(β型Ga2O3)。這款晶圓是日本信息通信研究機構(gòu)(NICT)、日本東京農(nóng)工大學和田村制作所等共同研究的成果。Novel Crystal Technology公司是從田村制作所分離出來的風險企業(yè)，定位于“NICT技術(shù)轉(zhuǎn)移企業(yè)”。該公司的目標是2016年度實現(xiàn)銷售額6000萬日元，2020年
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功率半導體介紹

　　《功率半導體 器件 與應用》基于前兩章的半導體物理基礎(chǔ)，詳細介紹了目前最主要的幾類功率半導體器件，包括pin二極管、晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場效應晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。 [ 查看詳細 ]

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