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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 功率半導(dǎo)體

功率半導(dǎo)體及LED用封裝熱阻檢測(cè)方法JEDEC標(biāo)準(zhǔn)

  • 美國(guó)明導(dǎo)科技宣布，基于該公司MicReD部門與德國(guó)英飛凌科技AutomotivePowerApplication部門2005年共同發(fā)表...
  • 關(guān)鍵字： LED  封裝  JEDEC  功率半導(dǎo)體  

瑞薩將上市SiC功率半導(dǎo)體

  • 　　瑞薩電子計(jì)劃上市SiC(碳化硅)功率半導(dǎo)體。耐壓600V的SiC肖特基勢(shì)壘二極管(SiC-SBD)“RJS6005TDPP”將從2011年3 月底開始樣品供貨。除了空調(diào)等白色家電外，預(yù)計(jì)還可用于通信基站和服務(wù)器等配備的PFC(功率因數(shù)校正)電路以及逆變器電路。瑞薩計(jì)劃從2011年10月開始少量量產(chǎn)，2012年3月以后以10萬個(gè)/月的規(guī)模量產(chǎn)。該公司還打算在2011年度內(nèi)，樣品供貨耐壓提高至1200V的SiC-SBD。 　　
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功率器件：風(fēng)力發(fā)電技術(shù)與功率半導(dǎo)體器件及控制系統(tǒng)

  • 通過風(fēng)能獲得太陽的能量并非新鮮事物，但當(dāng)今的功率半導(dǎo)體器件與控制系統(tǒng)卻使這種能源更加適用。在現(xiàn)...
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英飛凌逆境下依然保持高增長(zhǎng)

  • 　　英飛凌科技股份公司連續(xù)七年高居全球功率半導(dǎo)體和模塊市場(chǎng)榜首。盡管面臨困難的經(jīng)濟(jì)環(huán)境，英飛凌在2009年仍然提高了市場(chǎng)份額。據(jù)IMS Research*最新報(bào)告，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)?？s減21.5%，由2008年的140億美元降至2009年的110億美元。盡管市場(chǎng)規(guī)?？s減，但英飛凌的市場(chǎng)份額卻提高至10.7%。英飛凌在EMEA地區(qū)(歐洲、中東和非洲)繼續(xù)保持著領(lǐng)先地位，市場(chǎng)份額上升1.3個(gè)百分點(diǎn)，達(dá)到24.3%;在北美和南美地區(qū)，其市場(chǎng)份額上升0.4個(gè)百分點(diǎn)，達(dá)到11.5%。
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英飛凌穩(wěn)坐功率半導(dǎo)體市場(chǎng)龍頭位置

  • 　　根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IMSResearch的最新報(bào)告顯示，盡管2009年遭遇全球景氣低潮，英飛凌(Infineon)仍全力達(dá)成鞏固市場(chǎng)地位，并提升市占率之目標(biāo)，亦即2009年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)出現(xiàn)萎縮--從140億美元縮減為110億美元，降幅達(dá)21.5%，但英飛凌的市占率仍逆勢(shì)成長(zhǎng)10.7%。 　　
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英飛凌在節(jié)能應(yīng)用和可再生能源領(lǐng)域增長(zhǎng)強(qiáng)勁

  • 　　英飛凌科技股份公司連續(xù)七年高居全球功率半導(dǎo)體和模塊市場(chǎng)榜首。盡管面臨困難的經(jīng)濟(jì)環(huán)境，英飛凌在2009年仍然提高了市場(chǎng)份額。據(jù)IMS Research*最新報(bào)告，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模縮減21.5%，由2008年的140億美元降至2009年的110億美元。盡管市場(chǎng)規(guī)?？s減，但英飛凌的市場(chǎng)份額卻提高至10.7%。英飛凌在EMEA地區(qū)(歐洲、中東和非洲)繼續(xù)保持著領(lǐng)先地位，市場(chǎng)份額上升1.3個(gè)百分點(diǎn)，達(dá)到24.3%;在北美和南美地區(qū)，其市場(chǎng)份額上升0.4個(gè)百分點(diǎn)，達(dá)到11.5%。
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力挺新能源應(yīng)用 中國(guó)IGBT企業(yè)可另辟蹊徑

  • 　　【 導(dǎo)讀：在新能源領(lǐng)域的大多數(shù)功率變換裝置中，IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是最為重要的器件，與歐洲、日本和美國(guó)相比，中國(guó)在該領(lǐng)域還相對(duì)落后，盡管國(guó)內(nèi)也有一些企業(yè)和科研機(jī)構(gòu)在進(jìn)行研發(fā)，但產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程緩慢，技術(shù)上也落后于國(guó)外?！? 　　今年6月，功率半導(dǎo)體業(yè)界的盛會(huì)“PCIMChina2010”在上海光大會(huì)展中心舉行，國(guó)內(nèi)外知名功率半導(dǎo)體廠商向與會(huì)觀眾展示了各自推出的新產(chǎn)品和眾多高能效解決方案。記者觀察到，功率半導(dǎo)體在新能源領(lǐng)域的應(yīng)用成為本屆展會(huì)的熱點(diǎn)，而中國(guó)功率器件產(chǎn)業(yè)的未來發(fā)展
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電源管理詮釋節(jié)能

  • 電源管理對(duì)于節(jié)能技術(shù)而言至關(guān)重要，本文試圖通過介紹電源管理技術(shù)發(fā)展及設(shè)計(jì)趨勢(shì)，探討電源管理技術(shù)在節(jié)能中的應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字： 電源管理  功率半導(dǎo)體  節(jié)能  智能電網(wǎng)  201006  

功率半導(dǎo)體行業(yè)的春天

  • 　　功率半導(dǎo)體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇勢(shì)頭增強(qiáng)，iSuppli公司預(yù)測(cè)2010年半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)業(yè)收入為2833億美元，增長(zhǎng)率達(dá)到23.2%. 　　MOSFET市場(chǎng)前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷售額占全部功率半導(dǎo)體的比重大約為20%,MOSFET主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子和電力設(shè)備六大領(lǐng)域。 　　IGBT:節(jié)能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷售額大約為31.36億美元，IGBT的銷售額占全部功率半
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瑞薩和NEC電子合并 新航母瑞薩電子揚(yáng)帆起航

  • 　　兩家半導(dǎo)體大鱷且MCU全球市場(chǎng)排名前兩位的瑞薩科技和NEC電子的合并，一直受到業(yè)內(nèi)的重點(diǎn)關(guān)注。其合并的原因?合并后形成的航母級(jí)企業(yè)的整合效果?將對(duì)業(yè)界產(chǎn)生怎樣的影響? 　　問：瑞薩與NEC電子合并后的新名稱?哪些因素促使瑞薩與NEC電子進(jìn)行這次合并?屬于哪種類型的合并? 　　答：瑞薩與NEC電子合并后，于2010年4月1日，以瑞薩電子株式會(huì)社的新公司名稱正式開始商業(yè)運(yùn)營(yíng)，并且得到來自大股東NEC、日立制作所和三菱電機(jī)的總額約2000億日元(約合20億美元)的增資，財(cái)務(wù)實(shí)力大幅增強(qiáng)。 　　NEC電
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華潤(rùn)上華與電子科技大學(xué)共建DMOS聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室

  • 　　華潤(rùn)上華科技有限公司(簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)上華”)與電子科技大學(xué)(簡(jiǎn)稱“電子科大”)共建DMOS聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室的簽約儀式于2010年3月30日在電子科技大學(xué)舉行。華潤(rùn)上華副總經(jīng)理蘇巍和電子科大副校長(zhǎng)楊曉波分別代表雙方在協(xié)議上簽字，華潤(rùn)上華董事長(zhǎng)陳正宇博士、電子科大校長(zhǎng)汪勁松教授出席了簽字儀式，并就合作的未來進(jìn)行了深度交流和展望。 　　在華潤(rùn)上華與電子科技大學(xué)微電子與固體電子學(xué)院張波教授團(tuán)隊(duì)多年的合作基礎(chǔ)上，雙方將充分利用該聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室平臺(tái)，發(fā)揮各自的優(yōu)勢(shì)展開深入密切的
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瑞薩推出8款800V三端雙向可控硅開關(guān)產(chǎn)品

  • 　　2010年2月25日，株式會(huì)社瑞薩科技(以下簡(jiǎn)稱瑞薩)宣布推出包括BCR16CM-16LH在內(nèi)的新型800V三端雙向可控硅產(chǎn)品，其所具有的業(yè)內(nèi)最佳高換向性*特點(diǎn)和150°C結(jié)溫(Tj)，使其成為洗衣機(jī)和真空吸塵器等家電內(nèi)AC電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的理想之選。該產(chǎn)品樣品將于2010年4月起在日本發(fā)售。 　　新型三端雙向可控硅是用于控制AC電路內(nèi)電源開關(guān)的功率半導(dǎo)體器件，具有如下主要特性： 　　(1) 提高換向性，減少元件總量 　　新型三端雙向可控硅具有800V的額定電壓，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高的換向性。其臨
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Microsemi在APEC 2010展示它的全部功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品

  • 　　Microsemi公司今天宣布將于本周在加利福尼亞州棕櫚泉(Palm Springs)的棕櫚泉會(huì)議中心(Palm Springs Convention Center)所舉行的應(yīng)用功率電子學(xué)會(huì)議和展覽會(huì) (APEC 2010)上展出它的一系列功率器件產(chǎn)品，并在2個(gè)技術(shù)交流會(huì)上進(jìn)行演講。 　　Microsem所展示的主要產(chǎn)品(展臺(tái) #122)： 　　· 應(yīng)用于太陽能逆變器的一組超薄功率模塊。 　　· 以太網(wǎng)驅(qū)動(dòng)(PoE)芯片集和模塊，其中包括Microsem公司第四代的I
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全新功率半導(dǎo)體技術(shù)助力數(shù)據(jù)中心節(jié)能

  • 世界各地計(jì)算機(jī)數(shù)量眾多，耗能量也相當(dāng)龐大，而支撐互聯(lián)網(wǎng)運(yùn)作的數(shù)據(jù)中心就是一大耗能實(shí)例。在一個(gè)典型的數(shù)據(jù)中心設(shè)施中，其實(shí)只有不到一半的功耗是用在計(jì)算功能上的。所以數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商千方百計(jì)尋找機(jī)會(huì)來提高功率轉(zhuǎn)換效率和分配效率，例如通過高壓直流源的分配來減小轉(zhuǎn)換級(jí)的數(shù)目。

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功率半導(dǎo)體充當(dāng)節(jié)能先鋒 中國(guó)企業(yè)加快步伐

  • 　　過去，人們常把集成電路比作電子系統(tǒng)的大腦，而把功率半導(dǎo)體器件比作四肢，因?yàn)榧呻娐返淖饔檬墙邮芎吞幚硇畔?，而功率器件則根據(jù)這些信息指令產(chǎn)生控制功率，去驅(qū)動(dòng)相關(guān)電機(jī)進(jìn)行所需的工作。如今，新型功率半導(dǎo)體器件如MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)及功率集成電路應(yīng)用逐漸普及，其為信息系統(tǒng)提供電源的功能也越來越引人注目。功率半導(dǎo)體器件在電子系統(tǒng)中的地位已不僅限于“四肢”，而是為整個(gè)系統(tǒng)“供血”的“心臟&rdq
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功率半導(dǎo)體介紹

　　《功率半導(dǎo)體 器件 與應(yīng)用》基于前兩章的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)，詳細(xì)介紹了目前最主要的幾類功率半導(dǎo)體器件，包括pin二極管、晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。 [ 查看詳細(xì) ]

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