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瑞薩將上市SiC功率半導體

—— 2011年10月開始量產(chǎn)二極管
作者: 時間:2011-03-03 來源:日經(jīng)BP社 收藏

  電子計劃上市SiC(碳化硅)。耐壓600V的SiC肖特基勢壘二極管(SiC-SBD)“RJS6005TDPP”將從2011年3 月底開始樣品供貨。除了空調(diào)等白色家電外,預計還可用于通信基站和服務器等配備的PFC(功率因數(shù)校正)電路以及逆變器電路。計劃從2011年10月開始少量量產(chǎn),2012年3月以后以10萬個/月的規(guī)模量產(chǎn)。該公司還打算在2011年度內(nèi),樣品供貨耐壓提高至1200V的SiC-SBD。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/117412.htm

  此次上市的SiC-SBD,是在與日立制作所共同開發(fā)的技術基礎上開發(fā)的。除了可將開關時的電力損失較Si制SBD降低40%外,還具有驅(qū)動電壓只有1.5V的特點。據(jù)瑞薩介紹,驗證導入PFC電路的效果發(fā)現(xiàn),以SiC-SBD替換與Si制MOSFET相組合的Si制SBD后,工作效率提高了 0.3個百分點。“PFC電路的工作效率已提高到超過95%的水平,使用Si制SBD,效率基本沒有提高。而采用SiC可提高0.3個百分點,這一效果非常顯著”(瑞薩電子模擬&功率業(yè)務本部功率元器件業(yè)務部HV元器件設計部主管技師兼MOSFET•IGBT設計課課長金澤孝光)。樣品價格為5000日元,是Si制SBD的數(shù)十倍。

  瑞薩除了將此次的SiC-SBD作為單獨部件提供外,還計劃以在同一封裝中集成Si制IGBT及MOSFET的模塊和裸片形態(tài)提供。共備有電流容量為 10A、15A、20A和30A的4款產(chǎn)品。封裝目前與該公司Si制制品的相同。備有兩個引線端子,外形尺寸與TO-220實型(Full Mold)相當。工作溫度的上限“采用SiC時雖能保證直到200℃左右,但此次采用現(xiàn)有封裝的產(chǎn)品為175℃左右”(瑞薩電子模擬&功率業(yè)務本部功率元件業(yè)務部副業(yè)務部長飯島哲郎)。今后會考慮開發(fā)能夠耐200℃左右高溫的SiC封裝。

  該公司此為首次采用SiC開發(fā)產(chǎn)品。決定踏入產(chǎn)品化的理由是:“由于在工作效率方面具有較大優(yōu)勢,因此,希望在倡導節(jié)能效果的高端機型中采用SiC的呼聲日益強烈”(飯島)。另外,最近一年里,羅姆和三菱電機等日本國內(nèi)的功率半導體廠商紛紛決定上市SiC功率半導體也起到了推動作用。雖然實現(xiàn)產(chǎn)品化的時間稍顯落后,但“我們可以自行生產(chǎn)與SiC-SBD組合使用的高性能IGBT、MOSFET以及控制IC,能夠靈活地滿足客戶要求的性能指標,這是我們獨有的優(yōu)勢”。



關鍵詞: 瑞薩 功率半導體

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