功率半導體 文章 進入功率半導體技術(shù)社區(qū)
汽車結(jié)構(gòu)性缺芯 國產(chǎn)碳化硅功率半導體有望四季度“上車”
- 4月7日，中國汽車芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟功率半導體分會在長沙成立，將加快汽車功率芯片的國產(chǎn)化。在成立大會暨汽車功率芯片發(fā)展研討會期間，第一財經(jīng)記者獲悉，汽車結(jié)構(gòu)性缺芯給國產(chǎn)芯片帶來機會，降本提質(zhì)是國產(chǎn)功率芯片尤其是碳化硅功率半導體“上車”的關鍵；三安光電用于電動車主驅(qū)的碳化硅功率半導體有望今年四季度正式“上車”。 汽車結(jié)構(gòu)性缺芯給國產(chǎn)芯片帶來機會 有行業(yè)專家向第一財經(jīng)記者表示，一輛電動車如果前驅(qū)與后驅(qū)都用功率半導體，功率半導體約占電機控制器的成本50%。奇瑞汽車研發(fā)總院芯片規(guī)劃總監(jiān)郭宇輝告訴第一財經(jīng)記者
- 關鍵字： 汽車電子 功率半導體 碳化硅
強化產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)作，中國汽車芯片創(chuàng)新聯(lián)盟功率半導體分會成立
- 4月7日，由中國汽車芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（以下簡稱：中國汽車芯片創(chuàng)新聯(lián)盟）主辦，湖南三安承辦的“汽車功率半導體分會成立大會暨汽車功率芯片發(fā)展研討會”在長沙舉辦。近80位政府嘉賓、企業(yè)高管、行業(yè)專家、新聞媒體齊聚一堂，共謀中國新能源汽車及功率半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展之道，促進產(chǎn)業(yè)鏈跨界合作和多元融合生態(tài)的形成，攜手共創(chuàng)汽車功率半導體行業(yè)的新局面。成立分會 推進產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展當前，汽車行業(yè)正處在從傳統(tǒng)化石能源驅(qū)動逐步向全電驅(qū)動轉(zhuǎn)換的巨大歷史變革當中。新能源汽車進入發(fā)展快車道，汽車功率芯片是新能源汽車的重要器
- 關鍵字： 產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)作 汽車芯片 功率半導體 湖南三安
功率半導體市場需求攀升，盛美上海首獲Ultra C SiC襯底清洗設備采購訂單
- 今日，盛美上海宣布，首次獲得Ultra C SiC碳化硅襯底清洗設備的采購訂單。盛美上海指出，該訂單來自中國領先的碳化硅襯底制造商，預計將在2023年第三季度末發(fā)貨。當前，以碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）為主的第三代半導體迅速發(fā)揮發(fā)展，其中整體產(chǎn)值又以碳化硅占80%為重。據(jù)悉，碳化硅襯底用于功率半導體制造，而功率半導體被廣泛應用于功率轉(zhuǎn)換、電動汽車和可再生能源等領域。碳化硅技術(shù)的主要優(yōu)勢包括更少的開關能量損耗、更高的能量密度、更好的散熱，以及更強的帶寬能力。汽車和可再生能源等行業(yè)對功率半導體需求的增加
- 關鍵字： 功率半導體 盛美上海 Ultra C SiC 襯底清洗
SiC功率半導體市場分析；廠商談IGBT大缺貨
- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導體研究處最新報告《2023 SiC功率半導體市場分析報告-Part1》分析，隨著Infineon、ON Semi等與汽車、能源業(yè)者合作項目明朗化，將推動2023年整體SiC功率元件市場規(guī)模達22.8億美元，年成長41.4%。與此同時，受惠于下游應用市場的強勁需求，TrendForce集邦咨詢預期，至2026年SiC功率元件市場規(guī)?？赏_53.3億美元，其主流應用仍倚重電動汽車及可再生能源2全球車用MCU市場規(guī)模預估2022年全球車用MCU市場規(guī)模達82
- 關鍵字： SiC 功率半導體 IGBT 美光
一文讀懂功率半導體
- 功率半導體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。凡是在擁有電流電壓以及相位轉(zhuǎn)換的電路系統(tǒng)中，都會用到功率器件，MOSFET、IGBT主要作用在于將發(fā)電設備產(chǎn)生的電壓和頻率雜亂不一的“粗電”通過一系列的轉(zhuǎn)換調(diào)制變成擁有特定電能參數(shù)的“精電”、供給需求不一的用電終端，為電子電力變化裝置的核心器件之一。在分立器件發(fā)展過程中，20世紀50年代，功率二極管、功率三極管面世并應用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。20世紀60至70年代，晶閘管等半導體功率器件快速發(fā)展。20世紀70年代
- 關鍵字： 功率半導體 MOSFET IGBT
日本電子巨頭羅姆將量產(chǎn)下一代半導體：提高用電效率、增加電動車續(xù)航里程
- 據(jù)日本共同社日前報道， 日本電子零部件巨頭羅姆（ROHM）將于今年12月量產(chǎn)下一代功率半導體，以碳化硅（SiC）為原材料。據(jù)悉，羅姆花費約20年推進研發(fā)碳化硅半導體。新一代半導體可讓可提高機器運轉(zhuǎn)的用電效率， 若裝在純電動汽車上，續(xù)航里程可提升一成，電池體積也可更小。據(jù)悉，羅姆將在福岡縣筑后市工廠今年開設的碳化硅功率半導體專用廠房實施量產(chǎn)，還計劃為增產(chǎn)投資最多2200億日元（約合人民幣114億元），并將2025年度的碳化硅銷售額上調(diào)至1100億日元。公開資料顯示， 碳化硅具備
- 關鍵字： 羅姆 功率半導體 碳化硅 新能源車
株洲中車時代功率半導體器件核心制造產(chǎn)業(yè)園項目開工
- 據(jù)石峰發(fā)布消息顯示，10月28日，株洲市中車時代功率半導體器件核心制造產(chǎn)業(yè)園項目開工。據(jù)悉，該項目位于株洲市石峰區(qū)軌道交通雙創(chuàng)園內(nèi)，占地約266畝，計劃總投資逾52億元，項目建成達產(chǎn)后，可新增年產(chǎn)36萬片8英寸中低壓組件基材的生產(chǎn)能力，產(chǎn)品主要面向新能源發(fā)電及工控家電領域。時代電氣9月公告稱，控股子公司株洲中車時代半導體有限公司，擬投資中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化建設項目，包括中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（宜興）一期建設項目和中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（株洲）建設項目（以下簡稱“株洲子項目”），項目投資總額約1,111,869
- 關鍵字： 中車時代 功率半導體
英飛凌在匈牙利設立新廠 擴充大功率半導體模塊產(chǎn)能
- 英飛凌科技（Infineon）于匈牙利采格萊德設立新廠，用于大功率半導體模塊的組裝和測試，以推動作為全球碳減排關鍵的汽車電動化進程。此外，英飛凌還進一步擴大了投資，提高大功率半導體模塊的產(chǎn)能，廣泛用于風力發(fā)電機、太陽能模塊以及高能效馬達驅(qū)動等應用，推動綠色能源的發(fā)展。英飛凌營運長Rutger Wijburg表示，英飛凌遵循的是長期可持續(xù)增長的發(fā)展道路。在低碳化和數(shù)字化趨勢的推動下，英飛凌半導體解決方案的市場需求不斷增長。采格萊德工廠為推動綠色能源的發(fā)展作出了重要貢獻，新工廠的建設將進一步助力英飛凌滿足日益
- 關鍵字： 英飛凌科技 功率半導體
功率半導體組件的主流爭霸戰(zhàn)
- 功率半導體組件與電源、電力控制應用有關，特點是功率大、速度快，有助提高能源轉(zhuǎn)換效率，多年來，功率半導體以硅（Si）為基礎的芯片設計架構(gòu)成為主流，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三類半導體材料出現(xiàn)，讓功率半導體組件的應用更為多元，效率更高。MOSFET與IGBT雙主流各有痛點高功率組件應用研發(fā)聯(lián)盟秘書長林若蓁博士（現(xiàn)職為臺灣經(jīng)濟研究院研究一所副所長）指出，功率半導體組件是電源及電力控制應用的核心，具有降低導通電阻、提升電力轉(zhuǎn)換效率等功用，其中又以MOSFET（金屬氧化半導體場效晶體管）與IGBT（絕緣
- 關鍵字： 硅 碳化硅 氮化鎵 功率半導體
功率半導體冷知識之二：IGBT短路時的損耗
- IGBT主要用于電機驅(qū)動和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運行和安全的保障之一，短路保護可以通過串在回路中的分流電阻或退飽和檢測等多種方式實現(xiàn)。IGBT是允許短路的，完全有這樣的底氣，EconoDUAL?3 FF600R12ME4 600A 1200V IGBT4的數(shù)據(jù)手冊是這樣描述短路能力的，在驅(qū)動電壓不超過15V時，短路電流典型值是2400A，只要在10us內(nèi)成功關斷短路電流，器件不會損壞。IGBT的短路承受能力為短路保護贏得時間，驅(qū)動保護電路可以從容安全地關斷短路電流。短路能力不是免費的器
- 關鍵字： 英飛凌 IGBT 功率半導體
啟方半導體功率半導體用0.18微米高壓BCD工藝開始量產(chǎn)
- 韓國唯一一家純晶圓代工廠啟方半導體（Key Foundry）今天宣布其0.18微米高壓BCD（雙極-CMOS-DMOS）工藝已經(jīng)開始量產(chǎn)。 BCD是一種單片集成工藝技術(shù)，它將用于模擬信號控制的雙極器件、用于數(shù)字信號控制的CMOS和用于高壓處理的DMOS同時制作在同一個芯片上。這種工藝適用于各種功率半導體產(chǎn)品，具有高電壓、高可靠性、低電子干擾等優(yōu)點。近年來，隨著電子設備系統(tǒng)尺寸的縮小和功率效率的提高變得越來越重要，對合適的功率半導體的需求也越來越大，因此對BCD的需求也在增加。啟方半導體為工作電
- 關鍵字： 啟方半導體 功率半導體 0.18微米 高壓BCD
東芝新建12吋晶圓廠 擴大功率半導體產(chǎn)能
- 東芝(Toshiba)日前宣布，將在日本石川縣建造一個新的12吋(300mm)晶圓制造廠，主要用于生產(chǎn)功率半導體。該廠預計于2024財年開始量產(chǎn)，整體供應的產(chǎn)能將會是目前的2.5倍。 東芝指出，新晶圓廠的建設將分兩個階段進行，第一階段的生產(chǎn)計劃在 2024 財年開始。當?shù)谝浑A段的生產(chǎn)滿載時，東芝的功率半導體產(chǎn)能將是之前的2.5 倍（2021財年）。東芝表示，功率半導體是管理和降低各種電子設備的功耗以及實現(xiàn)碳中和社會的重要組件。目前汽車電子和工業(yè)設備自動化的需求正在擴大，對低壓MOSFET（金屬氧
- 關鍵字： 東芝 12吋晶圓廠 功率半導體
功率半導體：新能源需求引領，行業(yè)快速發(fā)展
- 功率半導體：市場空間大，細分品類多1.1. 簡介：能源轉(zhuǎn)換的核心器件，細分品類眾多功率半導體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要指能夠耐 受高電壓或承受大電流的半導體分立器件，主要用于改變電子裝置中 電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。功率半導體主要起源于 1904 年第一個二極管的誕生，而 1957 年的美國 通用電氣公司發(fā)表的第一個晶閘管，標志著電子電力技術(shù)的誕生； 1970 年代，功率半導體進入快速發(fā)展時期，GTO、BJT 和 MOSFET 的 快速發(fā)展，標志著第二代電子電力器件的誕生。之后 1980
- 關鍵字： 功率半導體 新能源
碳化硅在新能源汽車中的應用現(xiàn)狀與導入路徑
- 碳化硅具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率等特點，可以很好地滿足新能源汽車電動化發(fā)展趨勢，引領和加速了汽車電動化進程，對新能源汽車發(fā)展具有重要意義。我國新能源汽車正處于市場導入期到產(chǎn)業(yè)成長期過渡的關鍵階段，汽車產(chǎn)銷量、保有量連續(xù)6年居世界首位，在全球產(chǎn)業(yè)體系當中占了舉足輕重的地位。新能源汽車產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，極大地推動了碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展與技術(shù)創(chuàng)新，為碳化硅產(chǎn)品的技術(shù)驗證和更新迭代提供了大量數(shù)據(jù)樣本。
- 關鍵字： 碳化硅 新能源汽車 功率半導體 202110 MOSFET SiC
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