三星加碼氮化鎵功率半導體

根據(jù)韓媒報道，9月2日，三星電子在第二季度引入了少量用于大規(guī)模生產(chǎn)GaN功率半導體的設(shè)備。

GaN是下一代功率半導體材料，具有比硅更好的熱性能、壓力耐久性和功率效率。基于這些優(yōu)勢，IT、電信和汽車等行業(yè)對其的需求正在增加。三星電子也注意到了GaN功率半導體行業(yè)的增長潛力，并一直在推動其進入市場。

去年6月，在美國硅谷舉行的“2023年三星代工論壇”上，該公司正式宣布：“我們將在2025年為消費電子、數(shù)據(jù)中心和汽車領(lǐng)域推出8英寸GaN功率半導體代工服務(wù)?！?/p>

根據(jù)這一戰(zhàn)略，三星電子第二季度在其器興工廠引入了德國愛思強（Aixtron）的有機金屬化學氣相沉積（MOCVD）設(shè)備。該工廠負責三星電子8英寸晶圓代工，而公司GaN功率半導體工藝目前也是以8英寸為主。三星電子投資用于GaN研發(fā)的設(shè)施也位于該廠。

MOCVD是一種利用金屬有機原料生長薄膜的技術(shù)。它在硅（Si）或碳化硅（SiC）晶圓上沉積GaN材料，制造GaN晶圓，發(fā)揮著關(guān)鍵作用。

目前，用于GaN晶圓的MOCVD設(shè)備主要由愛思強和美國Veeco兩家公司供應。其中，愛思強的市場占有率極高。2023年，三星電子高管還與愛思強首席執(zhí)行官（CEO）費利克斯·格拉伯特（Felix Graft）會面，雙方圍繞設(shè)備供應問題展開了討論。

然而，三星電子這次進行的投資僅涉及購買1~2臺愛思強的最新型MOCVD設(shè)備。目前三星電子并未在GaN領(lǐng)域獲得大客戶訂單，而且公司的設(shè)備投資主要集中在HBM（高帶寬內(nèi)存）等部分領(lǐng)域。因此投資GaN被視為一種控制公司投資步伐的策略。

一位半導體業(yè)內(nèi)人員說：“三星電子已經(jīng)在器興投資了GaN相關(guān)研發(fā)設(shè)施，并在今年年中引入了少量設(shè)備。但是，三星電子對早前預期的大規(guī)模量產(chǎn)投資采取了謹慎的態(tài)度?！?/p>

與此同時，東部高科（DB Hitech）和SK keyfoundry也在為GaN代工業(yè)務(wù)做準備。其中，DB Hitech于去年年底投資了GaN相關(guān)設(shè)施，并計劃明年初開始量產(chǎn)；而SK keyfoundry則最早將于明年開始利用現(xiàn)有設(shè)備進行GaN的初步量產(chǎn)。

據(jù)TrendForce集邦咨詢推出的《2024全球GaN Power Device市場分析報告》顯示，隨著英飛凌、德州儀器對GaN技術(shù)傾注更多資源，功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。

2023年全球GaN功率元件市場規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復合年增長率）高達49%。其中非消費類應用比例預計會從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數(shù)據(jù)中心和電機驅(qū)動等場景為核心。