手把手教你讀懂FET選取合適器件 作者： 時間：2011-02-27 來源：網(wǎng)絡 加入技術交流群 掃碼加入和技術大咖面對面交流海量資料庫查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> FET經(jīng)過彌勒區(qū)后；完全導通。原先阻斷D-S的PN結被開啟的溝道短路。由于失去了部分絕緣層，Cgd變大；以至和Cgs相當。并且；Cgd通過低阻抗的開啟溝道；和Cgs實現(xiàn)物理上的并聯(lián)。這樣；使得后期的驅動柵電壓沿發(fā)生了變化。如圖示： FET的關斷過程和開啟過程的物理變化是一樣的，只是過程剛好相反。 自己分析一下！讓我們分享一下你的成果！ 如前面介紹，完整周期的驅動波型如圖示： 貼個典型實測柵＆VD的波型，體驗一下其中的奧妙。 上一頁 1 2 3 4 5 6 7 下一頁
加入技術交流群
評論