手把手教你讀懂FET選取合適器件
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時(shí)間：2011-02-27
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
FET是實(shí)實(shí)在在的物質(zhì)構(gòu)成的；里面有導(dǎo)體/半導(dǎo)體/絕緣體。這些物質(zhì)的相互搭配；做成了FET。那么；任何兩個(gè)絕緣的導(dǎo)體，自然構(gòu)成了物理電容——寄生電容。
紅色的就是DS間的寄生電容Coss。藍(lán)色的就是密勒電容Cgd。黑色的就是柵原電容Cgs。
Cgd+Cgs=Ciss——輸入電容
Coss——輸出電容
所以；Cgd/Cds在理論上存在，在數(shù)據(jù)表中也有所列。在微變等效中也可以作為參量計(jì)算分析，但；也僅在線性放大里的微變等效分析中有所使用。在開關(guān)過(guò)程的工程分析中，變態(tài)的變化導(dǎo)致只能用電荷量這個(gè)值來(lái)衡量。
Qgd就是Cdg儲(chǔ)存的電荷量（彌勒電荷），Qds是Cds儲(chǔ)存電荷量。
下面；分析這些電荷在開/關(guān)狀態(tài)下，是如何影響FET工作的。
FET靜態(tài)關(guān)斷時(shí)，Cgd/Cgs充電狀態(tài)如圖示：
柵電壓為零，Qgs=0。Qgd被充滿，Vgd=Vds。
注：由于Cds通常和其它雜散電容并聯(lián)在一起；共同對(duì)電源施加影響，因此；這里暫時(shí)不做分析。問(wèn)題將在后面和雜散參數(shù)一起一并討論。
給FET的柵極施加正脈沖。
評(píng)論