手把手教你讀懂FET選取合適器件
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由于Cgd在承受正壓時，電容量非常小（Cgd雖然??；但是Qgd=Cgd*Ugd，Qgd仍然是很大的），Cgs遠大于Cgd。因此；脈沖初期，驅動脈沖主要為Cgs充電，直到FET開始開啟為止。開啟時；FET的柵電壓就是門檻電壓Vth。
大多數(shù)情況下；柵電壓達到Vth前，只有很小的電流流過FET。FET一直處于關斷狀態(tài)。
當FET柵電壓達到Vth，F(xiàn)ET開始導電。無論負載在漏極還是在源極，都將因有電流流過而承受部分或全部電壓。這樣FET將經歷由阻斷狀態(tài)時承受全部電壓逐漸變到短路而幾乎沒有電壓降落為止的過程。
這個過程中，Cgd同步經歷了放電過程。放電電流為I=Qgd/ton。
Igd——密勒電流分流了FET的驅動電流！使得FET的柵電壓上升變緩。
彌勒電荷越大；這個斜坡越長。
彌勒電荷不僅和器件有關還和漏極電壓有關。一般；電壓越高；電荷量越大。
FET的柵電壓達到Vth后；電流流過FET的溝道，此時；FET工作在線性區(qū)。FET視在斜率隨Id大小變化而變。但；從Vg、Id的變化量看，兩者之比就是FET跨到S。即S=(Id2-Id1)/(Vgs2-Vgs1)。
其中；同樣粗細的亮色線為一組；代表各自的Vg和Id的關系。
由于在FET開的過程中，柵電壓變緩，是彌勒電容分流引起的，所以；也叫彌勒效應區(qū)。
因此；在斷續(xù)反激電源里，彌勒效應區(qū)的柵電壓斜率基本不變。而正激、半/全橋等；斜率隨負載而變。
彌勒效應時間（開關時間）ton/off=Qgd/Ig
注：1）Ig指FET的柵驅動電流。
FET “ON” Ig=（Vb-Vth）/Rg
2）Vb：穩(wěn)態(tài)柵驅動電壓
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