IR新款高性能PQFN功率MOSFET系列

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3 x 3封裝，為電信、網(wǎng)絡通信和高端臺式機及筆記本電腦應用的DC-DC轉換器提供了高密度、可靠和高效率的解決方案。

IR的新款高性能PQFN 3 x 3封裝是生產(chǎn)技術改進的成果，以全新緊湊的占位空間提供比標準PQFN 3 x 3器件高出多達60%的負載電流能力，同時極大地減少了整體封裝電阻，從而達到極低的導通電阻 (RDS(on)) 。除了低導通電阻，新的高性能PQFN封裝加強了熱傳導率并提高了可靠性，且符合工業(yè)標準及MSL1濕度敏感性測試。

這一高性能PQFN封裝技術也適用于5 x 6 mm占位面積的器件，與標準PQFN 5 x 6 器件相比，在設計要求更多電流時無需增加額外占位面積。

該系列產(chǎn)品包括用作控制MOSFET的優(yōu)化器件，具有低柵極導通電阻 (Rg) ，以減少開關損耗。在同步MOSFET應用方面，新器件以FETKY (單片式FET及肖特基二極管) 配置形式提供，從而縮短反向恢復時間，以提高效率和EMI性能。

IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“全新系列高性能PQFN封裝器件專為DC-DC應用優(yōu)化，是非?？煽壳异`活的高密度解決方案。此外，隨著IR對PQFN產(chǎn)品的擴展，客戶現(xiàn)在可以從眾多封裝組合中挑選出使他們的設計達到最佳效果的產(chǎn)品?！?/P>

新器件的高度小于1 mm，與現(xiàn)有表面貼裝技術兼容，并擁有行業(yè)標準引腳，還符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制指令 (RoHS) 。

產(chǎn)品規(guī)格

器件編號封裝BVDSS (V)最大VGS (V)在10V下典型/最大RDSon (m?)在4.5V下典型/最大RDSon (m?)在4.5V下典型Qg (nC)額外