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邁向更綠色的未來：GaN技術的變革性影響

  • 過去幾十年間，人口和經濟活動的快速增長推動了全球能源消耗的穩(wěn)步增長，并且預計這一趨勢還將持續(xù)。這種增長是線下與線上活動共同作用的結果。因此，數(shù)據(jù)中心的快速擴張顯著增加了全球電力需求。據(jù)估計，2022 年全球數(shù)據(jù)中心耗電量約為240-340 太瓦時（TWh）。近年來，全球數(shù)據(jù)中心的能源消耗以每年20-40% 的速度持續(xù)增長[1]。圖1 1910年以來全球二氧化碳排放量（單位：千兆噸）：總量（上）；按行業(yè)劃分（下）隨著能源消耗的增加，相關的二氧化碳排放量也在2022年達到創(chuàng)紀錄的37 千兆噸。為應對這一問題，
  • 關鍵字： 202412  GaN  CoolGaN  

深度 | GaN還是SiC，電氣工程師該如何選擇？

  • /  編輯推薦 /氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近年來新興的功率半導體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導通電阻小，寄生參數(shù)小等。他們也有各自與眾不同的特性：氮化鎵晶體管的極小寄生參數(shù)，極快開關速度使其特別適合高頻應用。碳化硅MOSFET的易驅動，高可靠等特性使其適合于高性能開關電源中。本文基于英飛凌科技有限公司的氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET產品，對他們的結構、特性、兩者的應用差異等方面進行了詳細的介紹。引 言作為第三代功率半導體的絕代雙驕，氮化鎵晶體
  • 關鍵字： 英飛凌  GaN  SiC  電氣工程師  

安森美將收購碳化硅JFET技術，以增強其針對AI數(shù)據(jù)中心的電源產品組合

  • 安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET) 技術業(yè)務及其子公司United Silicon Carbide。該收購將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產品組合，使其能應對人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB) 等新興市場的部署。SiC JFET的單位面積導通電阻超低，低于任何其他技術的一半。它們還支持使用硅基晶體管幾十年來常用的現(xiàn)成驅動器。綜合這
  • 關鍵字： 安森美  碳化硅JFET  SiC JFET  數(shù)據(jù)中心電源   

安森美收購Qorvo旗下SiC JFET技術

  • 據(jù)安森美官微消息，近日，安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET) 技術業(yè)務及其子公司 United Silicon Carbide。該交易需滿足慣例成交條件，預計將于2025年第一季度完成。據(jù)悉，該收購將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產品組合，使其能應對人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB)等新興市場的部署。安森美電源方案事業(yè)群總裁兼總經理
  • 關鍵字： 安森美  收購  Qorvo  SiC JFET  

碳化硅可靠性驗證要點

  • 從MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導體產品是我們生活中無數(shù)電子設備的核心。從醫(yī)療設備和可再生能源基礎設施，到個人電子產品和電動汽車(EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設備的持續(xù)運行。第三代寬禁帶（WBG）解決方案是半導體技術的前沿，如使用碳化硅（SiC）。與傳統(tǒng)的硅（Si）晶體管相比，SiC的優(yōu)異物理特性使基于SiC的系統(tǒng)能夠在更小的外形尺寸內顯著減少損耗并加快開關速度。由于SiC在市場上相對較新，一些工程師在尚未確定該技術可靠性水平之前，對從Si到SiC的轉換猶豫不決。但是，等待本身也會帶來風
  • 關鍵字： WBG  SiC  半導體  

光伏逆變器市場狂飆，全SiC模組會成為主流嗎？

  • 隨著清潔能源的快速增長，作為光伏系統(tǒng)心臟的太陽能逆變器儼然已經成為能源革命浪潮中的超級賽道。高效的光伏系統(tǒng)，離不開功率器件。全IGBT方案、混合SiC方案和全SiC方案以其在成本、性能、空間、可靠性等方面不同的優(yōu)勢，均在市場上有廣泛應用。但隨著SiC成本下降，全SiC方案被越來越多的廠家采用。未來10年，光伏逆變器市場狂飆目前，風能和太陽能的總發(fā)電量已經超過了水力發(fā)電。預計到2028年，清潔能源的比重將達到42%。中國市場增長勢頭強勁，已成為全球清潔能源增長的主要驅動力。光伏逆變器承載著將太陽能光伏組件產
  • 關鍵字： 功率模塊  SiC  逆變器  

第10講：SiC的加工工藝（2）柵極絕緣層

  • 柵極氧化層可靠性是SiC器件應用的一個關注點。本節(jié)介紹SiC柵極絕緣層加工工藝，重點介紹其與Si的不同之處。SiC可以通過與Si類似的熱氧化過程，在晶圓表面形成優(yōu)質的SiO2絕緣膜。這在制造SiC器件方面具有非常大的優(yōu)勢。在平面柵SiC MOSFET中，這種熱氧化形成的SiO2通常被用作柵極絕緣膜，并已實現(xiàn)產品化。然而，SiC的熱氧化與Si的熱氧化存在一些差異，在將熱氧化工藝應用于SiC器件時必須考慮到這一點。首先，與Si相比，SiC的熱氧化速率低。因此，該過程需要很長時間，而且還需要高溫。在SiC的熱氧
  • 關鍵字： 三菱電機  SiC  柵極絕緣層  

想提高高壓LED照明中的效率和功率密度？上GaN技術！

  • 文章 概述本文介紹了 寬帶隙（ GaN ）技術在高壓 LED照明 中的應用，以及如何解決效率和功率密度挑戰(zhàn)。文章重點討論了利用GaN技術的LED驅動器架構的降壓部分，展示了如何通過寬帶隙技術提高效率和功率密度。文中還介紹了STMicroelectronics的MasterGaN系列，該系列將高電壓智能功率BCD工藝柵極驅動器與高電壓GaN晶體管結合，簡化了設計并提高了功率密度。事實證明， 高壓LED照明可以有效地取代高強度放電 (HID
  • 關鍵字： Digikey  LED照明  GaN  

第9講：SiC的加工工藝（1）離子注入

  • 離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實現(xiàn)對n型區(qū)域和p型區(qū)域導電性控制。本文簡要介紹離子注入工藝及其注意事項。SiC的雜質原子擴散系數(shù)非常小，因此無法利用熱擴散工藝制造施主和受主等摻雜原子的器件結構（形成pn結）。因此，SiC器件的制造采用了基于離子注入工藝的摻雜技術：在SiC中進行離子注入時，對于n型區(qū)域通常使用氮（N）或磷（P），這是容易低電阻化的施主元素，而對于p型區(qū)域則通常使用鋁（Al）作為受主元素。另外，用于Al離子注入的原料通常是固體，要穩(wěn)定地進行高濃度的Al離子注入，需
  • 關鍵字： 三菱電機  SiC  

“LiDAR激光雷達”為智慧物流賦能，羅姆“激光器+GaN”帶來安全精準

  • 1? ?LiDAR（3D感測和距離感測）備受矚目在物流行業(yè)，物流需求持續(xù)擴大，但同時也面臨著嚴重的勞動力短缺問題。越來越多的業(yè)內企業(yè)開始考慮引進智慧物流系統(tǒng)，利用AGV（無人搬運車）和AMR（自主移動機器人）等執(zhí)行工作。然而，也有很多企業(yè)擔心安全性和系統(tǒng)管理等方面的問題。實際上，ISO 對功能安全的要求也很高，能夠確保安全性的智能感測技術和模塊已經逐漸成為不可或缺的存在。在這種背景下，旨在構建更安全、更安心的智慧物流系統(tǒng)，并且能夠更精準地感測更遠的距離、不易受到陽光干擾的激光雷達LiD
  • 關鍵字： 202411  LiDAR  激光雷達  智慧物流  羅姆  激光器  GaN  

全球 33 家 SiC 制造商進展概覽

  • SiC 功率器件市場規(guī)模逐年擴大，并將保持高速增長。
  • 關鍵字： SiC  功率器件  

意法半導體先進的電隔離柵極驅動器STGAP3S為IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護功能

  • 意法半導體的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開關柵極驅動器集成了意法半導體最新的穩(wěn)健的電隔離技術、優(yōu)化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構。STGAP3S 在柵極驅動通道與低壓控制和接口電路之間采用增強型電容隔離，瞬態(tài)隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)達到 200V/ns。通過采用這種的先進的電隔離技術，STGAP3S提高了空調、工廠自動化、家電等工業(yè)電機驅動裝置的可靠性。新驅動器還適合電源和能源應用，包括充電站、儲能系統(tǒng)、功率因數(shù)校正 (PFC)、
  • 關鍵字： 意法半導體  電隔離柵極驅動器  IGBT  SiC MOSFET  

東芝推出具有低導通電阻和高可靠性的適用于車載牽引逆變器的最新款1200V SiC MOSFET

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，最新開發(fā)出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其創(chuàng)新的結構可實現(xiàn)低導通電阻和高可靠性。X5M007E120現(xiàn)已開始提供測試樣品，供客戶評估。當?shù)湫蚐iC MOSFET的體二極管在反向傳導操作[3]期間雙極通電時，其可靠性會因導通電阻增加而降低。東芝SiC MOSFET通過在MOSFET中嵌入SBD（肖特基勢壘二極管）以弱化體二極管工作的器件結構來緩解上述問題，但如若將SBD布置在芯片上
  • 關鍵字： 東芝  低導通電阻  牽引逆變器  SiC MOSFET  

Nexperia的AC/DC反激式控制器可實現(xiàn)更高功率密度的基于GaN的反激式轉換器

  • Nexperia今天推出了一系列新的AC/DC反激式控制器，進一步壯大其不斷擴展的電源IC產品組合。NEX806/8xx和NEX8180x專為基于GaN的反激式轉換器而設計，用于PD(Power Delivery)快速充電器、適配器、壁式插座、條形插座、工業(yè)電源和輔助電源等設備以及其他需要高功率密度的AC/DC轉換應用。?NEX806xx/NEX808xx是準諧振/多模反激式控制器，可在寬VCC范圍(10-83V)下工作，而NEX81801/NEX81802是自適應同步整流控制器。這些IC可與N
  • 關鍵字： Nexperia  AC/DC反激式控制器  GaN  反激式轉換器  

如何在設計中輕松搭載GaN器件？答案內詳~~

  • 如今，圍繞第三代半導體的研發(fā)和應用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導率、更高的電子飽和速度等特點，第三代半導體材料能夠滿足未來電子產品在高溫、高功率、高壓、高頻等方面更高的要求，被認為是突破傳統(tǒng)硅（Si）器件性能天花板的必由之路。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）并稱為第三代半導體界的“雙雄”。其中，SiC在高耐壓和大電流應用方面優(yōu)勢突出，近年來在新能源汽車、可再生能源等功率電子領域風頭無兩；而GaN則憑借出色的擊穿場強特性和電子飽和速度，提供出色的低導通電阻和高速開關（高頻率工作）性能，在
  • 關鍵字： Mouser  GaN  
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