碳化硅(sic)mosfet 文章進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)

碳化硅智造升級(jí) 浪潮信息存儲(chǔ)筑基廣東天域MES核心數(shù)據(jù)底座

隨著人工智能技術(shù)的飛速發(fā)展，越來越多的企業(yè)開始探索如何將人工智能技術(shù)融入業(yè)務(wù)流程中，以提升質(zhì)量、降本增效。在高精尖制造業(yè)領(lǐng)域，人工智能、自動(dòng)駕駛等新興產(chǎn)業(yè)對碳化硅材料的需求日益增多，大力發(fā)展碳化硅產(chǎn)業(yè)，可帶動(dòng)原材料與設(shè)備2000億級(jí)產(chǎn)業(yè)，加快我國向高端材料、高端設(shè)備制造業(yè)轉(zhuǎn)型發(fā)展的步伐。廣東天域聯(lián)手浪潮信息，為MES關(guān)鍵業(yè)務(wù)打造穩(wěn)定、高效、智能的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)底座，讓數(shù)字機(jī)臺(tái)、智能制造"有底有數(shù)"。廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司成立于2009年，是我國最早實(shí)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)
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MOSFET開關(guān)損耗簡介

本文將通過解釋MOSFET功耗的重要來源來幫助您優(yōu)化開關(guān)模式調(diào)節(jié)器和驅(qū)動(dòng)器電路。MOSFET的工作可以分為兩種基本模式：線性和開關(guān)。在線性模式中，晶體管的柵極到源極電壓足以使電流流過溝道，但溝道電阻相對較高?？鐪系赖碾妷汉土鬟^溝道的電流都是顯著的，導(dǎo)致晶體管中的高功耗。在開關(guān)模式中，柵極到源極電壓足夠低以防止電流流動(dòng)，或者足夠高以使FET處于“完全增強(qiáng)”狀態(tài)，在該狀態(tài)下溝道電阻大大降低。在這種狀態(tài)下，晶體管就像一個(gè)閉合的開關(guān)：即使大電流流過通道，功耗也會(huì)很低或中等。隨著開關(guān)模式操作接近理想情況，功耗變得可
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Power Integrations升級(jí)你的電池管理系統(tǒng)

電池組，無疑是電動(dòng)汽車心臟般的存在，它不僅是車輛動(dòng)力之源，更是決定車輛成本高低的關(guān)鍵因素。作為電動(dòng)汽車中最昂貴的單個(gè)組件，電池組承載了車輛行駛所需的大部分能量，而其內(nèi)部的每一個(gè)電池單元都需要經(jīng)過精密的監(jiān)測和控制，以維持其長久且安全的使用壽命。電池管理系統(tǒng)（BMS），作為電池組的“大腦”，其任務(wù)繁重且關(guān)鍵。它要實(shí)時(shí)監(jiān)控每一個(gè)電池單元的健康狀況，確保它們的平衡與穩(wěn)定；還要負(fù)責(zé)操作電池組的加熱和冷卻系統(tǒng)，確保電池在各種環(huán)境條件下都能維持最佳的工作狀態(tài)；此外，BMS還需實(shí)時(shí)報(bào)告電池的充電狀態(tài)，以便駕駛員能夠準(zhǔn)確了
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一文詳解電池充電器的反向電壓保護(hù)

處理電源電壓反轉(zhuǎn)有幾種眾所周知的方法。最明顯的方法是在電源和負(fù)載之間連接一個(gè)二極管，但是由于二極管正向電壓的原因，這種做法會(huì)產(chǎn)生額外的功耗。雖然該方法很簡潔，但是二極管在便攜式或備份應(yīng)用中是不起作用的，因?yàn)殡姵卦诔潆姇r(shí)必須吸收電流，而在不充電時(shí)則須供應(yīng)電流。另一種方法是使用圖 1 所示的 MOSFET 電路之一。圖 1：傳統(tǒng)的負(fù)載側(cè)反向保護(hù)對于負(fù)載側(cè)電路而言，這種方法比使用二極管更好，因?yàn)殡娫? (電池) 電壓增強(qiáng)了 MOSFET，因而產(chǎn)生了更少的壓降和實(shí)質(zhì)上更高的電導(dǎo)。該電路的 NMOS 版本比 PM
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解析LLC諧振半橋變換器的失效模式

在功率轉(zhuǎn)換市場中，尤其對于通信/服務(wù)器電源應(yīng)用，不斷提高功率密度和追求更高效率已經(jīng)成為最具挑戰(zhàn)性的議題。對于功率密度的提高，最普遍方法就是提高開關(guān)頻率，以便降低無源器件的尺寸。零電壓開關(guān)(ZVS)拓?fù)湟蚓哂袠O低的開關(guān)損耗、較低的器件應(yīng)力而允許采用高開關(guān)頻率以及較小的外形，能夠以正弦方式對能量進(jìn)行處理，開關(guān)器件可實(shí)現(xiàn)軟開閉，因此可以大大地降低開關(guān)損耗和噪聲。在這些拓?fù)渲?，移相ZVS全橋拓?fù)湓谥小⒏吖β蕬?yīng)用中得到了廣泛采用，因?yàn)榻柚β蔒OSFET的等效輸出電容和變壓器的漏感可以使所有的開關(guān)工作在ZVS狀態(tài)下
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談?wù)剮追N常用的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路

一、MOS管驅(qū)動(dòng)簡述MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。在使用MOSFET設(shè)計(jì)開關(guān)電源時(shí)，大部分人都會(huì)考慮MOSFET的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時(shí)候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個(gè)好的設(shè)計(jì)方案。更細(xì)致的，MOSFET還應(yīng)考慮本身寄生的參數(shù)。對一個(gè)確定的MOSFET，其驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會(huì)影響MOSFET的開關(guān)性能。當(dāng)電源IC與MOS管選定之
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雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開關(guān)特性的影響探究

IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點(diǎn)討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關(guān)特性的影響，本文為第一部分，將主要討論直流鏈路環(huán)路電感影響分析。測試設(shè)置雙脈沖測試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設(shè)置來分析SiC和IGBT模塊的開關(guān)特性
關(guān)鍵字：雜散電感 SiC IGBT 開關(guān)特性

柵極環(huán)路電感對SiC和IGBT功率模塊開關(guān)特性的影響分析

IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點(diǎn)討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關(guān)特性的影響，本文為第二部分，將主要討論柵極環(huán)路電感影響分析。（點(diǎn)擊查看直流鏈路環(huán)路電感分析）測試設(shè)置雙脈沖測試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設(shè)置來分析S
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Microchip推出基于dsPIC? DSC的新型集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器將控制器、柵極驅(qū)動(dòng)器和通信整合到單個(gè)器件

為了在空間受限的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效、實(shí)時(shí)的嵌入式電機(jī)控制系統(tǒng)，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）推出基于dsPIC?數(shù)字信號(hào)控制器（DSC）的新型集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器系列。該系列器件在一個(gè)封裝中集成了dsPIC33 數(shù)字信號(hào)控制器（DSC）、一個(gè)三相MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器和可選LIN 或 CAN FD 收發(fā)器。這種集成的一個(gè)顯著優(yōu)勢是減少電機(jī)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)的元件數(shù)量，縮小印刷電路板（PCB）尺寸，并降低復(fù)雜性。該系列器件的支持資源包括開發(fā)板、參考設(shè)計(jì)、應(yīng)用筆記和 Micr
關(guān)鍵字： dsPIC 數(shù)字信號(hào)控制器 MOSFET 電機(jī)控制

Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優(yōu)勢對比

在之前一篇題為《功率電子器件從硅（Si）到碳化硅（SiC）的過渡》的博文中，我們探討了碳化硅（SiC）如何成為功率電子市場一項(xiàng)“顛覆行業(yè)生態(tài)”的技術(shù)。如圖1所示，與硅（Si）材料相比，SiC具有諸多技術(shù)優(yōu)勢，因此我們不難理解為何它已成為電動(dòng)汽車（EV）、數(shù)據(jù)中心和太陽能/可再生能源等許多應(yīng)用領(lǐng)域中備受青睞的首選技術(shù)。圖1.硅與碳化硅的對比眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝，來開發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)柵場效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣
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英飛凌為汽車應(yīng)用推出業(yè)內(nèi)導(dǎo)通電阻最低的80 V MOSFET OptiMOS? 7

英飛凌科技股份公司近日推出其最新先進(jìn)功率MOSFET?技術(shù)——?OptiMOS? 7 80 V的首款產(chǎn)品IAUCN08S7N013。該產(chǎn)品的特點(diǎn)包括功率密度顯著提高，和采用通用且穩(wěn)健的高電流SSO8 5 x 6 mm2 SMD封裝。這款OptiMOS? 7 80 V產(chǎn)品非常適合即將推出的?48 V板網(wǎng)應(yīng)用。它專為滿足高要求汽車應(yīng)用所需的高性能、高質(zhì)量和穩(wěn)健性而打造，包括電動(dòng)汽車的汽車直流-直流轉(zhuǎn)換器、48 V電機(jī)控制（例如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)（EPS））、48 V電池開關(guān)以及電動(dòng)
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P溝道功率MOSFETs及其應(yīng)用領(lǐng)域

Littelfuse P溝道功率MOSFETs，雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名，在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應(yīng)用需求的增加，P溝道功率MOSFET的應(yīng)用范圍得到拓展。高端側(cè)（HS）應(yīng)用P溝道的簡易性使其對低壓變換器（<120 V）和非隔離的負(fù)載點(diǎn)更具吸引力。因?yàn)闊o需電荷泵或額外的電壓源，高端側(cè)（HS）P溝道MOSFET易于驅(qū)動(dòng)，具有設(shè)計(jì)簡單、節(jié)省空間，零件數(shù)量少等特點(diǎn)，提升了成本效率。本文通過對N 溝道和P溝道MOSFETs進(jìn)行比較，介紹Littelfuse P溝道功率
關(guān)鍵字： 202404 P溝道功率MOSFET MOSFET

高壓功率器件設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)如何破？

不斷提升能效的需求影響著汽車和可再生能源等多個(gè)領(lǐng)域的電子應(yīng)用設(shè)計(jì)。對于電動(dòng)汽車 (EV) 而言，更高效率意味著更遠(yuǎn)的續(xù)航里程；而在可再生能源領(lǐng)域，發(fā)電效率更高代表著能夠更充分地將太陽能或風(fēng)能轉(zhuǎn)換為電能。圖1.在電動(dòng)汽車和可再生能源領(lǐng)域，對更高效率的不懈追求正推動(dòng)著設(shè)計(jì)向前發(fā)展這兩大領(lǐng)域都廣泛采用開關(guān)電子器件，因而又催生了更高電壓器件的需求。電壓和效率之間的關(guān)系遵循歐姆定律，也就是說電路中產(chǎn)生的功耗或損耗與電流的平方成正比。同理，當(dāng)電壓加倍時(shí)，電路中的電流會(huì)減半，因而損耗會(huì)降到四分之一。根據(jù)這個(gè)原理，為了減
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一鍵解鎖熱泵系統(tǒng)解決方案

熱泵是一種經(jīng)過驗(yàn)證的、提供安全且可持續(xù)供暖的技術(shù)，其滿足低排放電力要求，是全球邁向安全、可持續(xù)供暖的核心技術(shù)。盡管逆循環(huán)熱泵也可以同時(shí)滿足供暖和制冷的要求，但熱泵的主要目標(biāo)是提供供暖。由于熱泵能夠回收廢熱并將其溫度提高到更實(shí)用的水平，因此在節(jié)能方面具有巨大的潛力。系統(tǒng)目標(biāo)熱泵的原理與制冷類似，其大部分技術(shù)基于冰箱的設(shè)計(jì)。2021年，全球約有10%建筑的采暖由熱泵來完成，且安裝熱泵的步伐仍在不斷加快。鑒于政府對能源安全的關(guān)注以及應(yīng)對氣候變化的承諾，熱泵將成為減少由建筑采暖以及熱水所產(chǎn)生的碳排放的主要途徑。此
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意法半導(dǎo)體隔離柵極驅(qū)動(dòng)器：碳化硅MOSFET安全控制的優(yōu)化解決方案和完美應(yīng)用伴侶

意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。這些驅(qū)動(dòng)器具有集成的高壓半橋、單個(gè)和多個(gè)低壓柵極驅(qū)動(dòng)器，非常適合各種應(yīng)用。在確保安全控制方面，STGAP系列隔離柵極驅(qū)動(dòng)器作為優(yōu)選解決方案，在輸入部分和被驅(qū)動(dòng)的MOSFET或IGBT之間提供電氣隔離，確保無縫集成和優(yōu)質(zhì)性能。選擇正確的柵極驅(qū)動(dòng)器對于實(shí)現(xiàn)最佳功率轉(zhuǎn)換效率非常重要。隨著SiC技術(shù)得到廣泛采用，對可靠安全的控制解決方案的需求比以往任何時(shí)候都更高，而ST的STGAP系列電氣隔離柵極驅(qū)
關(guān)鍵字： STGAP MOSFET IGBT 驅(qū)動(dòng)器電氣隔離