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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術社區(qū)

通用智能SiC晶錠8寸剝離產(chǎn)線正式交付客戶

  • 據(jù)通用智能官微消息，日前，通用智能裝備有限公司SiC晶錠8寸剝離產(chǎn)線正式交付客戶。目前，SiC晶錠主要通過砂漿線/金剛石線切割，效率低和損耗高。據(jù)悉，通用智能采用激光隱切技術完成SiC晶錠分割工藝過程，并成功實現(xiàn)8寸碳化硅晶錠剝離設備的量產(chǎn)。
  • 關鍵字： 碳化硅  晶錠    

8英寸碳化硅襯底材料裝備開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究項目順利通過中期驗收

  • 據(jù)科友半導體官微消息，12月10日，“8英寸碳化硅襯底材料裝備開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究”項目階段驗收評審會召開。會上，以黑龍江省科學院原院長郭春景研究員為組長的評審專家組認為，科友半導體圓滿完成了計劃任務書2023年度階段任務，成功獲得了8英寸碳化硅單晶生長的新技術和新工藝，建立了碳化硅襯底生產(chǎn)的工藝流程，制定了相關工藝流程的作業(yè)指導書，一致同意項目通過階段驗收評審。據(jù)了解，8英寸碳化硅襯底材料裝備開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究項目是2021年哈爾濱市科技專項計劃項目，由哈爾濱科友半導體承擔，旨在推動8英寸碳化硅裝備國
  • 關鍵字： 碳化硅  科友半導體  第三代半導體材料  

SiC是否會成為下一代液晶

  • 碳化硅作為下一代功率半導體的本命，進入了全面的市場拓展階段。加上面向再生能源的市場，汽車使用市場的增長比最初的預想早了一年多，功率半導體的投資增長也顯示出SiC的一方面。不久前，行業(yè)也有研究在300mm的SIC增產(chǎn)的動向。然而，解決SiC容量增強問題現(xiàn)在成為主流。這一趨勢不僅限于日本和歐洲的功率半導體制造商。美國和中國之間的摩擦導致了SiC的國產(chǎn)化和量產(chǎn)化，這也是影響SIC的一方面。據(jù)電子器件行業(yè)報道，2023年9月7日，該公司表示，“中國SiC市場全方位戰(zhàn)略已擴大工業(yè)化加速進入公司約100家?！敝袊鳶i
  • 關鍵字： SIC，液晶，半導體  

Power Integrations推出具有快速短路保護功能且適配62mm SiC和IGBT模塊的門極驅(qū)動器

  • 美國加利福尼亞州圣何塞，2023年12月12日訊 – 深耕于中高壓逆變器應用門極驅(qū)動器技術領域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日推出全新系列的即插即用型門極驅(qū)動器，新驅(qū)動器適配額定耐壓在1700V以內(nèi)的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊，具有增強的保護功能，可確保安全可靠的工作。SCALE?-2 2SP0230T2x0雙通道門極驅(qū)動器可在不到2微秒的時間內(nèi)部署短路保護功能，保護緊湊型SiC MOSFET免受過電流的損壞。新驅(qū)動器還具有高
  • 關鍵字： Power Integrations  短路保護  SiC  IGBT模塊  門極驅(qū)動器  

碳化硅MOS管在三相逆變器上的應用

  • 三相逆變器的定義是將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的轉(zhuǎn)換器，其基本原理就是SPWM，硬件架構為四個功率模塊組成單相、三相橋式電路，橋式輸出至負載間串接低通濾波元件，控制回路具有兩個信號產(chǎn)生源，一個是固定幅值的三角波（調(diào)制波）發(fā)生器，一個為正弦波發(fā)生器，利用三角波對正弦波進行調(diào)制，就會得到占空比按照正弦規(guī)律變化的方波脈沖列，調(diào)制比不同，一個正弦周期脈沖列數(shù)等于調(diào)制波頻率除以基博頻率）。再用方波脈沖列去控制上述橋式電路，在輸出上就得到了符合要求的正弦電壓電流了。一、前言 三相逆變是指轉(zhuǎn)換出的交流電壓為三相，
  • 關鍵字： RS瑞森半導體  碳化硅  MOS管  

ROHM開發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝的600V耐壓Super Junction MOSFET

  • ～產(chǎn)品陣容新增具有低噪聲、高速開關和超短反向恢復時間特點的5款新產(chǎn)品～全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐壓Super Junction MOSFET*1“R6004END4?/ R6003KND4?/ R6006KND4?/ R6002JND4?/ R6003JND4”，新產(chǎn)品非常適用于照明用小型電源、電泵和電機等應用。?近年來，隨著照明用的小型電源
  • 關鍵字： ROHM  Super Junction MOSFET  

英飛凌推出首款采用OptiMOS? 7技術15 V PQFN封裝的溝槽功率MOSFET

  • 數(shù)據(jù)中心和計算應用對電源的需求日益增長，需要提高電源的效率并設計緊湊的電源。英飛凌科技股份公司順應系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢，推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務器、計算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應用上提升DC-DC轉(zhuǎn)換率。該半導體產(chǎn)品組合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置（Source-Down）封裝，標準門級和門級居中引腳排列形式均提供底部冷卻型和雙面冷卻型以供選擇；此外，該產(chǎn)品組合還包含穩(wěn)定可靠的超小型的PQFN
  • 關鍵字： 英飛凌  溝槽功率  MOSFET  

“四兩撥千斤”，寬禁帶技術如何顛覆性創(chuàng)新

  • 在半導體行業(yè)，新的材料技術有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢的寬禁帶半導體材料脫穎而出。在整個能源轉(zhuǎn)換鏈中，寬禁帶半導體的節(jié)能潛力可為實現(xiàn)長期的全球節(jié)能目標作出貢獻。寬禁帶技術將推動電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在數(shù)據(jù)中心、智能樓宇、個人電子設備等應用場景中為能效提升作出貢獻。寬禁帶材料讓應用性能炸裂，怎么做到的？寬禁帶材料的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在：? 與傳統(tǒng)的硅基半導體材料相比，寬禁帶產(chǎn)品具有更寬更高的禁帶寬度、電場強度，更高的擊穿
  • 關鍵字： GaN  寬禁帶  SiC  

意法半導體將斥資50億歐元在意大利新建SiC晶圓廠

  • 12月1日消息，近日，據(jù)外媒報道，意法半導體（STMicroelectronics）將于意大利西西里島Catane投資50億歐元，新建一座碳化硅、超級半導體晶圓廠。該晶圓廠將專門生產(chǎn)碳化硅芯片，為電動車關鍵技術并具強大成長潛力。報道稱，此舉是意法半導體繼與格芯在法國東南部Crolles的75億歐元晶圓廠計劃后為平衡集團在意法兩國布屬所為。值得一提的是，今年6月，意法半導體宣布將與三安光電在中國重慶成立200mm碳化硅器件制造合資企業(yè)，預計2025年第四季度投產(chǎn)，預計到2030年碳化硅收入將超過50億美元。
  • 關鍵字： 意法半導體  ST  格芯  晶圓廠  碳化硅  電動車  

Nexperia首款SiC MOSFET提高了工業(yè)電源開關應用的安全性、穩(wěn)健性和可靠性標準

  • 奈梅亨，2023年11月30日：基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后Nexperia將持續(xù)擴大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高，可滿足電動
  • 關鍵字： Nexperia  SiC  MOSFET  工業(yè)電源開關  

英飛凌已開始生產(chǎn)8英寸SiC晶圓樣片

  • 11月28日消息，據(jù)外媒報道，日前，英飛凌綠色工業(yè)動力部門（GIP）總裁Peter Wawer在受訪時透露，英飛凌正在其位于Villach的工廠生產(chǎn)8英寸SiC晶圓的電子樣品。他表示，英飛凌目前使用6英寸晶圓，但已經(jīng)在工廠制備了第一批8英寸晶圓機械樣品，很快將它們轉(zhuǎn)化為電子樣品，并將在2030年之前大規(guī)模量產(chǎn)應用。在產(chǎn)能方面，英飛凌正在通過大幅擴建其Kulim工廠（在2022年2月宣布的原始投資之上）獲得更多產(chǎn)能，信息稱，英飛凌將建造世界上最大的200毫米晶圓廠SiC（碳化硅）功率工廠。值得一提的是該計劃
  • 關鍵字： 英飛凌  碳化硅  晶圓  

三菱電機將與安世攜手開發(fā)SiC功率半導體

  • 11月，日本三菱電機、安世半導體（Nexperia）宣布，將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產(chǎn)品功率半導體。雙方將聯(lián)手開發(fā)，將促進SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度，同時滿足對高效分立式功率半導體快速增長的需求。目前芯片供應量尚未確認，預計最早將于2023年內(nèi)開始供應。公開消息顯示，安世半導體總部位于荷蘭，目前是中國聞泰科技的子公司。11月初，安世半導體被迫轉(zhuǎn)手出售其于2021年收購的英國NWF晶圓廠。盡管同屬功率半導體公司，三菱電機與安世半導體的側(cè)重點不同，前者以“多個離散元件組合
  • 關鍵字： 三菱電機  安世  SiC  功率半導體  

理想自研芯片進展曝光：在新加坡設立辦公室，團隊規(guī)模已超160人

  • 11 月 21 日消息，據(jù)晚點 LatePost 報道，在芯片自研方面，理想同時在研發(fā)用于智能駕駛場景的 AI 推理芯片，和用于驅(qū)動電機控制器的 SiC 功率芯片。報道稱，理想目前正在新加坡組建團隊，從事 SiC 功率芯片的研發(fā)。在職場應用 LinkedIn 上，已經(jīng)可以看到理想近期發(fā)布的五個新加坡招聘崗位，包括：總經(jīng)理、SiC 功率模塊故障分析 / 物理分析專家、SiC 功率模塊設計專家、SiC 功率模塊工藝專家和 SiC 功率模塊電氣設計專家。報道還稱，用于智能駕駛的 AI 推理芯片是理想目前的研發(fā)重
  • 關鍵字： 理想  自研芯片  新能源汽車  智能駕駛  AI  推理芯片  驅(qū)動電機  控制器  SiC  功率芯片。  

Omdia：人工智能將在電動汽車革命中超越下一代半導體

  • 倫敦2023年11月15日 /美通社/ -- 隨著Omdia預測電動汽車 (EV) 革命將引發(fā)新型半導體激增，電力半導體行業(yè)的幾十年舊規(guī)范正面臨挑戰(zhàn)。人工智能熱潮是否會產(chǎn)生類似的影響？功率分立器件、模塊和IC預測Omdia半導體元件高級分析師卡勒姆·米德爾頓表示：“長期以來依賴硅技術的行業(yè)正受到新材料制造的設備的挑戰(zhàn)和推動。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的開發(fā)始于上個世紀，但它們的技術成熟度與可持續(xù)發(fā)展運動相匹配，新材料制造的設備在能源匱乏的世界中有著顯著的效率提升?！?018 年，特斯拉首次
  • 關鍵字： 新能源  氮化鎵  碳化硅  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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