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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

安森美韓國碳化硅工廠擴建完工 年產(chǎn)能將超百萬片

  • 安森美位于韓國富川的先進碳化硅超大型制造工廠的擴建工程已經(jīng)完工，該晶圓廠每年將能生產(chǎn)超過一百萬片200mm SiC晶圓。10月25日消息，安森美發(fā)布消息稱，其位于韓國富川的先進碳化硅（SiC）超大型制造工廠的擴建工程已經(jīng)完工，目標明年完成設(shè)備安裝，到2025年該廠SiC半導(dǎo)體產(chǎn)量預(yù)計將增至每年100萬顆。富川SiC生產(chǎn)線目前主力生產(chǎn)150mm晶圓，在2025年完成200mm SiC工藝驗證后，將轉(zhuǎn)為生產(chǎn)200mm晶圓。為了支持SiC產(chǎn)能的提升，安森美計劃在未來三年內(nèi)雇傭多達1000名當?shù)貑T工來填補大部分高
  • 關(guān)鍵字： 安森美  韓國  碳化硅  

安森美韓國富川碳化硅工廠擴建正式落成

  • 10月24日，安森美宣布其位于韓國富川的先進碳化硅(SiC)超大型制造工廠的擴建工程已經(jīng)完工。全負荷生產(chǎn)時，該晶圓廠每年將能生產(chǎn)超過一百萬片200mmSiC晶圓。據(jù)介紹，新的150mm/200mmSiC先進生產(chǎn)線及高科技公用設(shè)施建筑和鄰近停車場于2022年中期開始建設(shè)，并于2023年9月竣工。150mm/200mmSiC外延(Epi)和晶圓廠的擴建，體現(xiàn)了安森美致力于在棕地（既有地點）建立垂直整合碳化硅制造供應(yīng)鏈的戰(zhàn)略。富川SiC生產(chǎn)線目前主力生產(chǎn)150mm晶圓開始，在2025年完成200mmSiC工藝驗
  • 關(guān)鍵字： 安森美  碳化硅  

2024年中國碳化硅晶圓產(chǎn)能，或超全球總產(chǎn)能的50%

  • 2023 年，中國化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)歷史性突破。在碳化硅（SiC）晶體生長領(lǐng)域，中國尤其獲得國際 IDM 的認可，導(dǎo)致產(chǎn)量大幅增長。此前中國碳化硅材料僅占全球約 5% 的產(chǎn)能，然而業(yè)界樂觀預(yù)計，2024 年中國碳化硅晶圓在全球的占比有望達到 50%。天岳先進、天科合達、三安光電等公司均斥資提高碳化硅晶圓/襯底產(chǎn)能，目前這些中國企業(yè)每月的總產(chǎn)能約為 6 萬片。隨著各公司產(chǎn)能釋放，預(yù)計 2024 年月產(chǎn)能將達到 12 萬片，年產(chǎn)能 150 萬。根據(jù)行業(yè)消息和市調(diào)機構(gòu)的統(tǒng)計，此前天岳先進、天科合達合計占據(jù)全球
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瑞能半導(dǎo)體CEO:碳化硅驅(qū)動新能源汽車邁入“加速時代”

  • 日前，瑞能半導(dǎo)體CEO Markus Mosen先生受邀出席在上海隆重舉行的2023中國國際半導(dǎo)體高管峰會（ISES，原CISES）。作為半導(dǎo)體原廠和設(shè)備制造商云集的平臺，ISES專注于高層管理，來自世界各地的半導(dǎo)體領(lǐng)域高管和領(lǐng)袖受邀聚集于此，旨在探討行業(yè)的未來趨勢和挑戰(zhàn)，分享他們?nèi)绾卧谘杆賱?chuàng)新和變化的行業(yè)中推動技術(shù)進步。ISES通過推動整個微電子供應(yīng)鏈的創(chuàng)新、商業(yè)和投資機會，為半導(dǎo)體制造業(yè)賦能，促進中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。在峰會以“寬禁帶功率半導(dǎo)體在汽車應(yīng)用中的機遇”為主題的單元中，Markus Mose
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2024年全球超過一半的SiC晶圓可能來自中國

  • 2023年，中國化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)歷史性突破。 在碳化硅（SiC）晶體生長領(lǐng)域，尤其得到國際IDM廠商的認可，中國廠商產(chǎn)能大幅提升。 此前，來自中國的SiC材料僅占全球市場的5%。 然而，到2024年，預(yù)計將搶占可觀的市場份額。該領(lǐng)域的主要中國公司，包括SICC、TankeBlue和三安，幾乎都將產(chǎn)能擴大了千倍。我國大約有四到五家從事SiC晶體生長的龍頭企業(yè)，為測算我國SiC晶體生長產(chǎn)能提供了依據(jù)。 目前，他們的月產(chǎn)能合計約為60,000單位。 隨著各公司積極增產(chǎn)，預(yù)計到2024年月產(chǎn)能將達到12萬單位
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IGBT／MOSFET 的基本柵極驅(qū)動光耦合器設(shè)計

  • 本應(yīng)用筆記涵蓋了計算柵極驅(qū)動光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動光耦合器用于驅(qū)動、開啟和關(guān)閉功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動功率計算可分為三部分；驅(qū)動器內(nèi)部電路中消耗或損失的功率、發(fā)送至功率半導(dǎo)體開關(guān)(IGBT/MOSFET)的功率以及驅(qū)動器IC和功率半導(dǎo)體開關(guān)之間的外部組件處（例如外部柵極電阻器上）損失的功率。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅(qū)動器）的 IGBT 柵極驅(qū)動器設(shè)計。本應(yīng)用筆記涵蓋了計算柵極驅(qū)動光耦
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詳解大功率電源中MOSFET功耗的計算

  • 功率MOSFET是便攜式設(shè)備中大功率開關(guān)電源的主要組成部分。此外，對于散熱量極低的筆記本電腦來說，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過多相、同步整流、降壓型CPU核電源中一個30A單相的分布計算示例，詳細說明了上述概念。也許，今天的便攜式電源設(shè)計者所面臨的最嚴峻挑戰(zhàn)就是為當今的高性能CPU提供電源。CPU的電源電流最近每兩年就翻一番。事實上，今天的便攜式核電源電流需求會高達60A或更多，電壓介于0.9V和1.75V之間。但是，盡管電流需求在穩(wěn)步增
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  開關(guān)電源  

SiC主驅(qū)逆變器讓電動汽車延長5%里程的秘訣

  • 不斷增長的消費需求、持續(xù)提高的環(huán)保意識/環(huán)境法規(guī)約束，以及越來越豐富的可選方案，都在推動著人們選用電動汽車 (EV)，令電動汽車日益普及。高盛近期的一項研究顯示，到 2023 年，電動汽車銷量將占全球汽車銷量的 10%；到 2030 年，預(yù)計將增長至 30%；到 2035 年，電動汽車銷量將有可能占全球汽車銷量的一半。然而，“里程焦慮”，也就是擔(dān)心充一次電后行駛里程不夠長，則是影響電動汽車普及的主要障礙之一?？朔@一問題的關(guān)鍵是在不顯著增加成本的情況下延長車輛行駛里程。本文闡述了如何在主驅(qū)逆變器中使用碳化
  • 關(guān)鍵字： 電動汽車  逆變器  SiC  MOSFET  

25 年資深專家?guī)ш?，三星已布局推進碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)

  • IT之家 10 月 19 日消息，根據(jù)韓媒 ETNews 報道，三星電子內(nèi)部組建了新的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體團隊，已經(jīng)任命安森美半導(dǎo)體前董事洪錫?。⊿tephen Hong）擔(dān)任副總裁，負責(zé)監(jiān)管相關(guān)業(yè)務(wù)。洪錫俊是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的專家，在英飛凌、仙童和安森美等全球大型公司擁有約 25 年的經(jīng)驗，加入三星后，他負責(zé)領(lǐng)導(dǎo)這項工作。洪錫俊負責(zé)組建和帶領(lǐng)這支 SiC 商業(yè)化團隊，同時積極與韓國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)和學(xué)術(shù)機構(gòu)合作進行市場和商業(yè)可行性研究。值得注意的是，三星在正式進軍 GaN（氮化鎵）業(yè)
  • 關(guān)鍵字： 三星  SiC  

英飛凌與現(xiàn)代、起亞簽署半導(dǎo)體供應(yīng)長約

  • 英飛凌、現(xiàn)代汽車和起亞汽車三方發(fā)布官方聲明稱，已簽署一項多年期碳化硅和硅功率半導(dǎo)體供應(yīng)協(xié)議。據(jù)外媒，10月18日，英飛凌、現(xiàn)代汽車和起亞汽車三方發(fā)布官方聲明稱，已達成戰(zhàn)略合作，簽署一項多年期碳化硅和硅功率半導(dǎo)體供應(yīng)協(xié)議，以確保功率半導(dǎo)體的供應(yīng)。根據(jù)戰(zhàn)略合作協(xié)議，英飛凌將在2030年前向現(xiàn)代、起亞供應(yīng)碳化硅和硅功率模塊與芯片，而現(xiàn)代、起亞則會出資支持英飛凌的產(chǎn)能建設(shè)與儲備，三方也計劃在提升電動汽車的性能上緊密合作。
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  現(xiàn)代  起亞  碳化硅  硅功率模塊  

SiC MOSFET 器件特性知多少？

  • 對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢。開關(guān)超過 1,000 V的高壓電源軌以數(shù)百 kHz 運行并非易事，即使是最好的超結(jié)硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關(guān)斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應(yīng)用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關(guān)性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場效應(yīng)器件，能夠像 IGBT 一樣進行高壓
  • 關(guān)鍵字： SiC  MOSFET  IGBT  WBG  

三星人事變動，瞄準碳化硅！

  • 10月16日，根據(jù)韓媒ETNEWS的報道，三星電子近期聘請安森美半導(dǎo)體前董事洪錫俊(Stephen Hong)擔(dān)任副總裁，負責(zé)監(jiān)督SiC功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，并在其內(nèi)部組織了SiC功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)V-TF部門。Stephen Hong是功率半導(dǎo)體專家，在加入三星電子之前，曾在英飛凌、仙童、安森美半導(dǎo)體等全球主要功率半導(dǎo)體公司工作約25年。目前，Stephen Hong正在尋找SiC商業(yè)化的團隊成員，同時通過與韓國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈和學(xué)術(shù)界互動，進行市場和商業(yè)可行性研究。早先三星宣布正式進軍GaN業(yè)務(wù)的時候也曾提
  • 關(guān)鍵字： 三星  碳化硅！  

SiC和GaN的應(yīng)用優(yōu)勢與技術(shù)挑戰(zhàn)

  • 1? ?SiC和GaN應(yīng)用及優(yōu)勢我們對汽車、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心和可再生能源等廣泛市場中的碳化硅(SiC) 和氮化鎵（GaN）應(yīng)用感興趣。一些具體的例子包括：●? ?電動汽車（EV）：SiC和GaN 可用于電動汽車，以提高效率、續(xù)航里程和整車性能。例如，SiC MOSFET 分立器件可用于牽引逆變器和車載充電，以減少功率損耗并提高效率?！? ?數(shù)據(jù)中心：SiC 和GaN 可用于數(shù)據(jù)中心電源，以提高效率并降低運營成本。●? ?可再生能
  • 關(guān)鍵字： 202310  SiC  GaN  安世半導(dǎo)體  

SiC和GaN的技術(shù)應(yīng)用挑戰(zhàn)

  • 1 SiC和GaN的優(yōu)勢相比傳統(tǒng)MOSFET和IGBT方案，SiC和GaN器件提供更高的功率密度，具備更低的柵極驅(qū)動損耗和更高的開關(guān)速度。雖然SiC和GaN在某些低于10 kW功率的應(yīng)用上有一些重疊，但各自解決的功率需求是不同的。SiC 器件提供更高的耐壓水平和電流承載能力。這使得它們很適合于汽車牽引逆變器、車載充電器和直流/ 直流轉(zhuǎn)換器、大功率太陽能發(fā)電站和大型三相電網(wǎng)變流器等應(yīng)用。SiC 進入市場的時間略長，因此它有更多的選擇，例如，相比目前可用的GaN 解決方案，SiC 支持更廣泛的電壓和導(dǎo)通電阻。
  • 關(guān)鍵字： 202310  納芯微  SiC  GaN  

為敏感電路提供過壓及電源反接保護！

  • 假如有人將24V電源連接到您的12V電路上，將發(fā)生什么？倘若電源線和接地線因疏忽而反接，電路還能安然無恙嗎？您的應(yīng)用電路是否工作于那種輸入電源會瞬變至非常高壓或甚至低于地電位的嚴酷環(huán)境中?即使此類事件的發(fā)生概率很低，但只要出現(xiàn)任何一種就將徹底損壞電路板。為了隔離負電源電壓，設(shè)計人員慣常的做法是布設(shè)一個與電源相串聯(lián)的功率二極管或 P 溝道 MOSFET。然而——◇ 二極管既占用寶貴的板級空間，又會在高負載電流下消耗大量的功率。◇ P 溝道 MOSFET 的功耗雖然低于串聯(lián)二極管，但 MOSFET 以及所需的
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  二極管  LTC4365  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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