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功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少?
- 在關斷狀態(tài)下,功率MOSFET的體二極管結構的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級。之前我們討論過功率MOSFET的雪崩效應,今天,我們將繼續(xù)分享相關UIS (UIL)數(shù)據(jù)表的額定值。除了Ipk vs tav圖之外,大多數(shù)功率MOSFET數(shù)據(jù)表還包含一個UIS能量額定值,通常列在最大值表中。這有點誤導,因為很明顯 (E=0.5Vav*Ipk*tav) 功率 M
- 關鍵字: 安森美 MOSFET UIS
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表,第1部分—UIS/雪崩額定值
- 在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時,你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼,也一目了然,其它的一些參數(shù)會十分的含糊不清、模棱兩可,而其它的某些參數(shù)自始至終就毫無用處(比如說:開關時間)。在這個即將開始的博文系列中,我們將試著破解FET數(shù)據(jù)表,這樣的話,讀者就能夠很輕松地找到和辨別那些對于他們的應用來說,是最常見的數(shù)據(jù),而不會被不同的生產(chǎn)商為了使他們的產(chǎn)品看起來更吸引人而玩兒的文字游戲所糊弄。 自從20世紀80年代中期在MOSFET 數(shù)據(jù)表中廣泛使用的以來,無鉗位電感開關 (UIS) 額定值就已經(jīng)被
- 關鍵字: MOSFET UIS
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