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SiC MOSFET應(yīng)用技術(shù)在雪崩條件下的魯棒性評(píng)估

  • ?本文將探討如何在雪崩工作條件下評(píng)估SiC MOSFET的魯棒性。MOSFET功率變換器，特別是電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)電機(jī)功率變換器，需要能夠耐受一定的工作條件。如果器件在續(xù)流導(dǎo)通期間出現(xiàn)失效或柵極驅(qū)動(dòng)命令信號(hào)錯(cuò)誤，就會(huì)致使變換器功率開(kāi)關(guān)管在雪崩條件下工作。因此，本文通過(guò)模擬雪崩事件，進(jìn)行非鉗位感性負(fù)載開(kāi)關(guān)測(cè)試，并使用不同的SiC MOSFET器件，按照不同的測(cè)試條件，評(píng)估技術(shù)的失效能量和魯棒性。
  • 關(guān)鍵字： MOSEFT  VDS  UIS  DUT  

Verkotan采用羅德與施瓦茨的PWC技術(shù)進(jìn)行5G NR OTA基站測(cè)試

  • 測(cè)試與測(cè)量方案供應(yīng)商羅德與施瓦茨（Rohde & Schwarz）近期推出了R&S PWC200，這是市場(chǎng)上第一款平面波轉(zhuǎn)換器（PWC）。Verkotan是第一家選擇此技術(shù)的獨(dú)立測(cè)試機(jī)構(gòu)，以空口（OTA）的方式測(cè)試5G NR FR1基站。羅德與施瓦茨PWC200擴(kuò)展了其5G NR測(cè)試產(chǎn)品組合，該產(chǎn)品是為5G大規(guī)模MIMO基站測(cè)試而開(kāi)發(fā)的，用于生產(chǎn)和研發(fā)環(huán)節(jié)。?平面波轉(zhuǎn)換器支持大部分3GPP認(rèn)證項(xiàng)目，并具有156個(gè)寬帶Vivaldi天線組成的雙向陣列，這些天線放置在靠近被測(cè)設(shè)備（D
  • 關(guān)鍵字： PWC  OTA  DUT  NR  

羅德與施瓦茨和聯(lián)發(fā)科技共同驗(yàn)證 5G NR 動(dòng)態(tài)頻譜共享（DSS）

  • 如今，4G LTE網(wǎng)絡(luò)已經(jīng)成功部署，從而6 GHz以下的頻率被大量利用，如何在這些低頻段上部署5G NR？這給全球網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營(yíng)商帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)。動(dòng)態(tài)頻譜共享（DSS）是一種使移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營(yíng)商可以在同一頻帶中使用LTE和5G NR的技術(shù)。?標(biāo)準(zhǔn)化共存方法的深入驗(yàn)證是該技術(shù)成功的關(guān)鍵。羅德與施瓦茨和聯(lián)發(fā)科技科公司通過(guò)利用獨(dú)特的專業(yè)知識(shí)共同合作，并進(jìn)行了驗(yàn)證，該驗(yàn)證使用了羅德與施瓦茨的R＆S CMX500 5G NR無(wú)線電通信測(cè)試儀平臺(tái)以及聯(lián)發(fā)科技提供的被測(cè)設(shè)備（DUT）。幾乎所有初始的5G NR FR1部
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鼎陽(yáng)科技發(fā)布SSG5000X系列射頻模擬/矢量信號(hào)源

  • 近日，深圳市鼎陽(yáng)科技股份有限公司發(fā)布SSG5000X系列射頻模擬/矢量信號(hào)發(fā)生器。射頻輸出頻率高達(dá)6 GHz, 內(nèi)部基帶源帶寬150 MHz。SSG5000X 可作為本地振蕩器（LO）,發(fā)射器（transmitter），或干擾信源，廣泛應(yīng)用于測(cè)試器件、接收機(jī)及各種通信系統(tǒng)，適用于生產(chǎn)和研發(fā)場(chǎng)景。強(qiáng)大的ARB模式消費(fèi)類電子發(fā)展迅速，工程師在驗(yàn)證產(chǎn)品性能時(shí)，需要模擬多種通信標(biāo)準(zhǔn)和協(xié)議信號(hào)。SSG5000X 支持協(xié)議文件播放，內(nèi)置常用協(xié)議文件，?可產(chǎn)生5G NR, LTE, WLAN, WCDMA,
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CAN一致性測(cè)試隔離和非隔離供電的電路區(qū)別

  • 　　汽車電子中有隔離和非隔離DUT，常用于在與發(fā)動(dòng)機(jī)、BMS等容易產(chǎn)生瞬時(shí)高壓的設(shè)備部分會(huì)采用隔離的通訊連接，隔離DUT的目的是為防止電磁干擾影響DUT通信信號(hào)以及瞬時(shí)高壓脈沖損壞DUT;而非隔離DUT，則常用于與低壓車載電子設(shè)備的通信。根據(jù)DUT類型，CANDT設(shè)計(jì)兩種供電模式，隔離供電與非隔離供電，本文與讀者淺談隔離與非隔離電路原理和接線方式的區(qū)別，以及其對(duì)測(cè)試的影響。常見(jiàn)的CAN設(shè)備分為隔離和非隔離兩類?！　∫?、隔離供電DUT設(shè)備　　隔離ECU內(nèi)部的收發(fā)器和控制器之間有隔離模塊(包括數(shù)字隔離芯片和隔
  • 關(guān)鍵字： CAN  DUT  

如何準(zhǔn)確測(cè)量CAN節(jié)點(diǎn)的信號(hào)邊沿參數(shù)

  • 　　CAN總線設(shè)計(jì)規(guī)范對(duì)于CAN節(jié)點(diǎn)的信號(hào)邊沿各項(xiàng)參數(shù)都有著嚴(yán)格的規(guī)定，如果不符合規(guī)范，則在現(xiàn)場(chǎng)組網(wǎng)后容易出現(xiàn)不正常的工作狀態(tài)，各節(jié)點(diǎn)間出現(xiàn)通信故障。具體要求如表 1所示，為測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)“GMW3122信號(hào)邊沿標(biāo)準(zhǔn)”。 　　表 1 GMW3122信號(hào)邊沿標(biāo)準(zhǔn) 　　所以每個(gè)廠家在產(chǎn)品投入使用前，都要進(jìn)行CAN節(jié)點(diǎn)DUT(被測(cè)設(shè)備)的信號(hào)邊沿參數(shù)測(cè)試。一般是使用GMW3122信號(hào)邊沿測(cè)試的CAN測(cè)試方法，如下描述： 　　如圖 1所示，我們以信號(hào)跳變過(guò)程的20% ~ 80%定義為該
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ICE時(shí)代正在悄然離去

  • 　　硬件仿真是唯一一個(gè)可以部署在多個(gè)操作模式中的驗(yàn)證工具。事實(shí)上，它可應(yīng)用于四個(gè)主要模式中，而且模式間的結(jié)合使用可以增加靈活性。基于以下兩個(gè)特征對(duì)硬件仿真的應(yīng)用模式進(jìn)行分類：對(duì)映射到硬件仿真器中被測(cè)設(shè)計(jì)(DUT)的激勵(lì)類型，以及DUT的響應(yīng)過(guò)程。具體包括： 　　1.內(nèi)電路硬件仿真(ICE)模式： 使用物理目標(biāo)設(shè)備，通過(guò)頻率適配器來(lái)驅(qū)動(dòng)硬件仿真器中的DUT。 　　2. 基于事務(wù)的硬件仿真或加速模式： 使用虛擬目標(biāo)設(shè)備，通過(guò)驗(yàn)證IP來(lái)驅(qū)動(dòng)硬件仿真器中的DUT。 　　3. 軟件仿真測(cè)試平臺(tái)加速模式：通過(guò)程
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理解RF器件性能測(cè)量過(guò)程中的紋波：理論與實(shí)驗(yàn)(下)

  • 　　本小節(jié)將計(jì)算圖1e所示介電模塊多次反射的反射和傳輸系數(shù)。圖2顯示了該介電模塊內(nèi)正常入射層波多次相互作用情況。
  • 關(guān)鍵字： RF  DUT  TEM  

理解RF器件性能測(cè)量過(guò)程中的紋波：理論與實(shí)驗(yàn)(上)

  • 　　在RF器件參數(shù)描述(例如：增益、線性和回波損耗等)期間，我們有時(shí)會(huì)看到紋波。出現(xiàn)這些紋波的原因是，信號(hào)在線纜、連接器、評(píng)估板線路、受測(cè)器件(DUT)和封裝內(nèi)傳播時(shí)存在多次反射情況。這些互連結(jié)點(diǎn)上的阻抗錯(cuò)配，導(dǎo)致這些紋波的出現(xiàn)。
  • 關(guān)鍵字： RF  DUT  TEM  

新的吉時(shí)利電源允許高達(dá)10kV的安全擊穿測(cè)試

  • 　　先進(jìn)電氣測(cè)試儀器與系統(tǒng)的世界級(jí)領(lǐng)導(dǎo)者-吉時(shí)利儀器日前宣布，推出兩款優(yōu)化的高壓電源，用于高電壓的設(shè)備和材料測(cè)試，高能物理和材料科學(xué)研究。2290-5?5kV型電源和2290-10型?10kV電源非常適合于功率半導(dǎo)體器件的高電壓擊穿測(cè)試。包括由當(dāng)前和下一代寬禁帶半導(dǎo)體材料組成的器件，例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，專為“綠色”、高效節(jié)能發(fā)電、傳輸系統(tǒng)、混合動(dòng)力和全電動(dòng)汽車使用。　　2290系列電源所擁有的許多內(nèi)置功能是市場(chǎng)上其他提供10kV電壓產(chǎn)品所不具備的。例如，作為標(biāo)準(zhǔn)配置
  • 關(guān)鍵字： 吉時(shí)利  2290  SMU  DUT  

吉時(shí)利推出經(jīng)濟(jì)型雙通道與三通道可編程電源最高性價(jià)比產(chǎn)品

  • 吉時(shí)利儀器公司，作為先進(jìn)電性測(cè)試儀器與測(cè)試系統(tǒng)的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，日前宣布2200系列可編程直流電源又增加兩款多通道電源產(chǎn)品。同現(xiàn)有競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品相比，這兩款電源產(chǎn)品具有更大的輸出準(zhǔn)確度優(yōu)勢(shì)，不僅價(jià)格優(yōu)勢(shì)明顯，而且提高了易用性，非常適合在電路設(shè)計(jì)、大學(xué)生實(shí)驗(yàn)室、材料研究以及器件測(cè)試等要求使用一臺(tái)以上電源的場(chǎng)合應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字： 吉時(shí)利  測(cè)量?jī)x器  DUT  

支持4個(gè)雙天線DUT的非信令2G/3G/LTE綜測(cè)方案

  • 智能手機(jī)和平板電腦的旺盛市場(chǎng)需求迫使生產(chǎn)線尋求更大吞吐量的無(wú)線綜測(cè)解決方案，專攻生產(chǎn)線測(cè)試解決方案的Litepoint公司今年6月14日應(yīng)時(shí)而動(dòng)，推出了同時(shí)支持1、4和8部DUT的2G/3G/LTE智能手機(jī)和平板電腦無(wú)線綜測(cè)儀I
  • 關(guān)鍵字： 方案  2G/3G/LTE  DUT  天線  支持  

基于NI TestStand 和LabVIEW開(kāi)發(fā)模塊化的軟件架構(gòu)

  • 當(dāng)今企業(yè)所面臨的挑戰(zhàn)之一是測(cè)試成本越來(lái)越高。由于設(shè)備的復(fù)雜性不斷增加，所以測(cè)試這些設(shè)備的成本也在不斷提高。因?yàn)闇y(cè)試對(duì)于產(chǎn)品質(zhì)量至關(guān)重要,而更加復(fù)雜的電子設(shè)備需要更新式、更先進(jìn)的測(cè)試儀器，所以產(chǎn)品的測(cè)試成本過(guò)高，無(wú)法與其較低的制造成本保持一致。
  • 關(guān)鍵字： NI  測(cè)試系統(tǒng)  DUT  

如何提高射頻測(cè)試儀的精度

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： 射頻測(cè)試儀器  射頻測(cè)量  DUT  
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