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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

碳化硅(sic)mosfet 文章 最新資訊

臻驅科技擬投超6億元新增SiC功率模塊項目

  • 2月1日消息，近日，浙江嘉興平湖市政府公示了“年產90萬片功率模塊、45萬片PCBA板和20萬臺電機控制器”建設項目規(guī)劃批前公告。據(jù)披露，該項目建設單位為臻驅科技的全資子公司——臻驅半導體（嘉興）有限公司，臻驅半導體擬投約資6.45億元在平湖市經濟技術開發(fā)區(qū)新明路南側建造廠房用于生產及研發(fā)等，項目建筑面積達45800m2。公開資料顯示，臻驅科技成立于2017年，是一家提供國產功率半導體及新能源汽車驅動解決方案的公司，總部位于上海浦東，在上海臨港、廣西柳州、浙江平湖及德國亞?。ˋachen）等地布局了多家子
  • 關鍵字： 功率模塊  碳化硅  SiC  

Qorvo? 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動汽車設計性能

  • 中國 北京，2024 年 1 月 30 日——全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布一款符合車規(guī)標準的碳化硅（SiC）場效應晶體管（FET）產品；在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ 導通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產品，導通電阻值最高可達 60mΩ，非常適合車載充電器、DC/DC 
  • 關鍵字： Qorvo  SiC FET  電動汽車  

用于模擬IC設計的小信號MOSFET模型

  • MOSFET的小信號特性在模擬IC設計中起著重要作用。在本文中，我們將學習如何對MOSFET的小信號行為進行建模。正如我們在上一篇文章中所解釋的那樣，MOSFET對于現(xiàn)代模擬IC設計至關重要。然而，那篇文章主要關注MOSFET的大信號行為。模擬IC通常使用MOSFET進行小信號放大和濾波。為了充分理解和分析MOS電路，我們需要定義MOSFET的小信號行為。什么是小信號分析？當我們說“小信號”時，我們的確切意思是？為了定義這一點，讓我們參考圖1，它顯示了逆變器的輸出傳遞特性。逆變器的傳輸特性。 圖
  • 關鍵字： MOSFET  模擬IC  

英飛凌與Wolfspeed延長多年期碳化硅150mm晶圓供應協(xié)議

  • 據(jù)外媒，1月23日，英飛凌與美國半導體制造商Wolfspeed發(fā)布聲明，宣布擴大并延長雙方2018年2月簽署的現(xiàn)有150mm碳化硅晶圓長期供應協(xié)議。根據(jù)聲明，雙方延長的的合作關系中包括一項多年期產能預留協(xié)議。新協(xié)議有助于提高英飛凌總體供應鏈的穩(wěn)定性，同時滿足汽車、太陽能和電動汽車應用以及儲能系統(tǒng)對碳化硅晶圓產品日益增長的需求。英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示，希望在全球范圍內保障對于150mm和200mm碳化硅晶圓的高品質、長期供應優(yōu)質貨源。
  • 關鍵字： 英飛凌  碳化硅  晶圓  Wolfspeed  

SiC生長過程及各步驟造成的缺陷

  • 眾所周知，提高 SiC 晶圓質量對制造商來說非常重要，因為它直接決定了 SiC 器件的性能，從而決定了生產成本。然而，具有低缺陷密度的 SiC 晶圓的生長仍然非常具有挑戰(zhàn)性。SiC 晶圓制造的發(fā)展已經完成了從100毫米（4英寸）到150毫米（6英寸）晶圓的艱難過渡，正在向8英寸邁進。SiC 需要在高溫環(huán)境下生長，同時具有高剛性和化學穩(wěn)定性，這導致生長的 SiC 晶片中晶體和表面缺陷的密度很高，導致襯底質量和隨后制造的外延層質量差?。本篇文章主要總結了?SiC 生長過程及各步驟造成的缺陷
  • 關鍵字： SiC  晶圓  

利用低電平有效輸出驅動高端MOSFET輸入開關以實現(xiàn)系統(tǒng)電源循環(huán)

  • 摘要在無線收發(fā)器等應用中，系統(tǒng)一般處于偏遠地區(qū)，通常由電池供電。由于鮮少有人能夠前往現(xiàn)場進行干預，此類應用必須持續(xù)運行。系統(tǒng)持續(xù)無活動或掛起后，需要復位系統(tǒng)以恢復操作。為了實現(xiàn)系統(tǒng)復位，可以切斷電源電壓，斷開系統(tǒng)電源，然后再次連接電源以重啟系統(tǒng)。 本文將探討使用什么方法和技術可以監(jiān)控電路的低電平有效輸出來驅動高端輸入開關，從而執(zhí)行系統(tǒng)電源循環(huán)。 簡介為了提高電子系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)健性，一種方法是實施能夠檢測故障并及時響應的保護機制。這些機制就像安全屏障，能夠減輕潛在損害，確保系統(tǒng)正常運行
  • 關鍵字： MOSFET  系統(tǒng)電源循環(huán)  ADI  

致瞻科技采用意法半導體碳化硅技術，提高新能源汽車電動空調壓縮機控制器能效

  • 2024年1月18日，中國--服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 宣布，與聚焦于碳化硅(SiC)半導體功率模塊和先進電力電子變換系統(tǒng)的中國高科技公司致瞻科技合作，為致瞻科技電動汽車車載空調中的壓縮機控制器提供意法半導體第三代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術。采用高能效的控制器可為新能源汽車帶來諸多益處，以動力電池容量60kWh~90kWh的中型電動汽車為例，續(xù)航里程可延長5到10公里，在夏冬
  • 關鍵字： 致瞻  意法半導體  碳化硅  新能源汽車  空調壓縮機控制器  

Transphorm發(fā)布兩款4引腳TO-247封裝器件，針對高功率服務器、可再生能源、工業(yè)電力轉換領域擴展產品線

  • 加利福尼亞州戈萊塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN? 器件。新發(fā)布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫歐和 50 毫歐的導通電阻，并配有一個開爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶實現(xiàn)更全面的開關功能。新
  • 關鍵字： Transphorm  高功率服務器  工業(yè)電力轉換  氮化鎵場效應晶體管  碳化硅  SiC  

英飛凌已與碳化硅 (SiC) 供應商 SK Siltron CSS 達成協(xié)議

  • 據(jù)英飛凌官網消息，近日，英飛凌已與碳化硅 (SiC) 供應商 SK Siltron CSS 正式達成協(xié)議。據(jù)悉，SK Siltron CSS將為英飛凌提供具有競爭力的高質量150mm SiC晶圓，支持SiC半導體的生產。在后續(xù)階段，SK Siltron CSS將在協(xié)助英飛凌向200 mm 晶圓直徑過渡方面發(fā)揮重要作用。據(jù)了解，英飛凌首席采購官 Angelique van der Burg 表示：“對于英飛凌來說，供應鏈彈性意味著實施多供應商戰(zhàn)略，并在逆境中蓬勃發(fā)展，創(chuàng)造新的增長機會并推
  • 關鍵字： 英飛凌  碳化硅  SK Siltron CSS  晶圓  

安森美：緊握第三代半導體市場，助力產業(yè) 轉型與可持續(xù)發(fā)展

  • 1 轉型成功的2023得益于成功的戰(zhàn)略轉型，在汽車和工業(yè)市場增長的 推動下，安森美在 2023 年前 3 季度的業(yè)績都超預期。 其中，第一季度由先進駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 和能源基 礎設施終端市場帶來的收入均同比增長約 50%，在第 二季度汽車業(yè)務收入超 10 億美元，同比增長 35%，創(chuàng) 歷史新高，第三季度汽車和工業(yè)終端市場都實現(xiàn)創(chuàng)紀錄 收入。安森美大中華區(qū)銷售副總裁Roy Chia2 深入布局碳化硅領域在第三代半導體領域，安森美專注于 SiC，重點聚 焦于汽車、能源、電網基礎設施等應
  • 關鍵字： 安森美  第三代半導體  碳化硅  SiC  

SiC 長期供貨，理想簽協(xié)議

  • 意法半導體與理想汽車簽署碳化硅長期供貨協(xié)議。
  • 關鍵字： SiC  

如何增強系統(tǒng)魯棒性？這三樣法寶請您收下！

  • 本文研究具有背靠背MOSFET的理想二極管以及其他更先進的器件。文中還介紹了一種集成多種功能以提供整體系統(tǒng)保護的理想二極管解決方案。二極管是非常有用的器件，對許多應用都很重要。標準硅二極管的壓降為0.6 V至0.7 V。肖特基二極管的壓降為0.3 V。一般來說，壓降不是問題，但在高電流應用中，各個壓降會產生顯著的功率損耗。理想二極管是此類應用的理想器件。幸運的是，MOSFET可以取代標準硅二極管，并提供意想不到的應用優(yōu)勢。簡介理想二極管使用低導通電阻功率開關（通常為MOSFET）來模擬二極管的單向
  • 關鍵字： MOSFET  二極管  功率開關  

工業(yè)電源模塊對功率器件的要求

  • 工業(yè)電源的作用是將交流電轉換為直流電，在工業(yè)領域為設備提供穩(wěn)定的電力供應，在工業(yè)自動化、通訊、醫(yī)療、數(shù)據(jù)中心、新能源儲能等領域廣泛使用。與普通的電源相比，工業(yè)電源應用環(huán)境苛刻復雜，對電源的穩(wěn)定性要求更高，需滿足一些特殊要求，如低功耗、高功率密度、高可靠性和高耐用性，同時，它對EMI和穩(wěn)定性的要求也比其它應用更為嚴格。按在電能轉換過程中的位置做分類，電源可分為一次電源和二次電源。模塊電源屬于二次電源，是采用優(yōu)化的電路和結構設計，利用先進的工藝和封裝技術制造， 形成的一個結構緊湊、體積小、高可靠的電子穩(wěn)壓電源
  • 關鍵字： 工業(yè)電源  功率器件  碳化硅  

電動汽車市場催生碳化硅新前景

  • 第三代半導體材料是指以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導體材料。與前兩代半導體材料相比，第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度，更高的擊穿電場、熱導率以及電子飽和速率，并且在抗輻射能力方面也具有優(yōu)勢。這些特性使得第三代半導體材料制備的半導體器件適用于高電壓、高頻率場景，并且能夠以較少的電能消耗獲得更高的運行能力。因此，第三代半導體材料在5G基站、新能源車、光伏、風電、高鐵等領域具有廣泛的應用潛力。其中，碳化硅作為第三代半導體材料的典型代表，在汽車電子領域具有廣泛的應用前景。在新能源汽車領域，
  • 關鍵字： 碳化硅  氮化鎵  新能源汽車  汽車電子  

小米汽車發(fā)布CTB一體化電池技術，爭做冬季續(xù)航之王

  • 12月29日消息，昨日，在小米汽車技術發(fā)布會上，小米集團董事長雷軍宣布，發(fā)布CTB一體化電池技術，全球最高體積效率達77.8%，采用小米800V碳化硅高壓平臺，最高電壓達871V，與寧德時代歷時兩年共同研發(fā)。據(jù)雷軍介紹，小米電池通過全球最嚴苛的熱失效安全標準，采用17層高壓絕緣防護，7.8m2同級最大冷卻面積，并使用165片氣凝膠隔熱。同時，采用行業(yè)首創(chuàng)電芯倒置技術，最大程度保證乘員艙安全。同時，該項技術可以達到低溫環(huán)境下“續(xù)航保持率同級更高、空調升溫速度同級更快、充電速度同級更快”，雷軍表示，小米汽車立
  • 關鍵字： 小米汽車  碳化硅  寧德時代  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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