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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術社區(qū)

onsemi NCD57000 IGBT MOSFET 驅(qū)動IC 應用于工業(yè)馬達控制器

  • 1.方案介紹:NCD57000 是一種具有內(nèi)部電流隔離的高電流單通道驅(qū)動器，專為高功率應用的高系統(tǒng)效率和高可靠性而設計。其特性包括互補的輸入端（IN+ 和 IN-）、漏極開路或故障偵測功能、有源米勒箝位功能、也配備了精確的 UVLO和DESAT保護能力(Programmable Delay) ，其中DESAT 時的軟關斷以及獨立的高低驅(qū)動器輸出（OUTH 和 OUTL）皆可用以方便系統(tǒng)設計及開發(fā)。       NCD57000 可在輸入側(cè)提供 5
  • 關鍵字： NCD57000  驅(qū)動器  IGBT  MOSFET  onsemi  馬達控制  

保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡

  • 在工業(yè)、汽車和可再生能源應用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術的組件，比如 SiC，對提高能效至關重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展，從而實現(xiàn)更高的能效和更小的尺寸，并討論對于轉(zhuǎn)用 SiC 技術的公司而言，建立穩(wěn)健的供應鏈為何至關重要。在廣泛的工業(yè)系統(tǒng)（如電動汽車充電基礎設施）和可再生能源系統(tǒng)（如太陽能光伏 (PV)）應用中，MOSFET 技術、分立式封裝和功率模塊的進步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能對于設計人員來說是一項持續(xù)的挑戰(zhàn)，必須在不增加太陽
  • 關鍵字： 安森美  SiC  

如何更好的使用EiceDRIVER IC驅(qū)動SiC MOSFET

  • 碳化硅（SiC MOSFET）和氮化鎵(GaN)因其高頻率、低損耗的特性得到廣泛的應用，但對驅(qū)動系統(tǒng)的性能提出了更高的要求。英飛凌最新一代增強型EiceDRIVER? 1ED34X1系列可提供高的輸出電流、米勒鉗位保護、精準的短路保護、可調(diào)的軟關斷等功能，為新一代的功率器件保駕護航。EiceDRIVER?增強型1ED34X1主要特色：●? 單通道隔離型柵極驅(qū)動芯片●? 輸出電流典型值+3/6/9A●? 功能絕緣電壓高達2300V●? 帶米勒鉗位、Desat短路保護、
  • 關鍵字： MOSFET  EiceDRIVER  MOSFET  

保障下一代碳化硅(SiC)器件的供需平衡

  • 在工業(yè)、汽車和可再生能源應用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術的組件，比如 SiC，對提高能效至關重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展，從而實現(xiàn)更高的能效和更小的尺寸，并討論對于轉(zhuǎn)用 SiC 技術的公司而言，建立穩(wěn)健的供應鏈為何至關重要。在廣泛的工業(yè)系統(tǒng)（如電動汽車充電基礎設施）和可再生能源系統(tǒng)（如太陽能光伏 (PV)）應用中，MOSFET 技術、分立式封裝和功率模塊的進步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能對于設計人員來說是一項持續(xù)的挑戰(zhàn)，必須在不增加太陽
  • 關鍵字： 碳化硅  SiC  

意法半導體為博格華納提供SiC，“上車”沃爾沃？

  • 近日，意法半導體官微宣布，將為博格華納的Viper功率模塊提供最新的第三代750V碳化硅功率MOSFET芯片。博格華納將該功率模塊用于沃爾沃和未來多款純電動汽車設計電驅(qū)逆變器平臺。為了充分發(fā)揮意法半導體SiC MOSFET 芯片的優(yōu)勢，意法半導體和博格華納技術團隊密切合作，力爭讓意法半導體的芯片與博格華納的Viper功率開關匹配，最大限度提高逆變器性能，縮小電驅(qū)架構(gòu)尺寸并提升經(jīng)濟效益。意法半導體汽車和分立器件產(chǎn)品部（ADG）總裁Marco Monti表示，意法半導體和博格華納合作有助于提升沃爾沃的車輛性能
  • 關鍵字： 意法半導體  博格華納  SiC  沃爾沃  

國內(nèi)8英寸碳化硅加速布局！

  • 近期，三安半導體發(fā)布消息稱，公司攜碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品亮相SEMICON Taiwan 2023。除了推出650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET外，三安半導體還首發(fā)了8英寸碳化硅襯底。三安半導體表示，展會上有多家重要客戶在詳細詢問三安半導體產(chǎn)品參數(shù)后，表示已經(jīng)確認采購意向。圖：三安半導體湖南三安半導體屬于三安光電下屬子公司，主要業(yè)務涵蓋碳化硅、氮化鎵化合物半導體功率芯片的研發(fā)、設計、制造及服務，目前建立具有自主知識產(chǎn)權(quán)的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。湖南三安半導體是三安
  • 關鍵字： 8英寸  碳化硅  

基于STM32G474RBT6 MCU的數(shù)字控制3KW通信電源方案

  • STDES-3KWTLCP參考設計針對5G通信應用的3 kW/53.5V AC-DC轉(zhuǎn)換器電源，使用完整的ST數(shù)字電源解決方案。STDES-3KWTLCP參考設計針對5G通信應用的3 kW/53.5V AC-DC轉(zhuǎn)換器電源，使用完整的ST數(shù)字電源解決方案。電路設計包括前端無橋圖騰柱PFC和后端LLC全橋架構(gòu)。前級圖騰柱PFC提供功率因數(shù)校正（PFC）和諧波失真（THD）抑制，后記全橋LLC轉(zhuǎn)換器提供安全隔離和穩(wěn)定的輸出電壓。該參考設計為高效率緊湊型解決方案，在230 VAC輸入時，測量峰值效率為96.3%
  • 關鍵字： ST  第三代半導體  SIC  GNA  圖騰柱PFC  無橋PFC  全橋LLC  數(shù)字電源  

意法半導體SiC技術助力博格華納Viper功率模塊設計

  • ●? ?意法半導體為博格華納的Viper功率模塊提供碳化硅(SiC)功率MOSFET，支持沃爾沃汽車在2030年前全面實現(xiàn)電動化目標●? ?博格華納將采用意法半導體碳化硅芯片為沃爾沃現(xiàn)有和未來的多款純電動汽車設計電驅(qū)逆變器平臺服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)將與提供創(chuàng)新和可持續(xù)移動解決方案的全球領導者博格華納公司(紐約證券交易所股票代碼：BWA)合作，為博格華納專有的基于 Viper 功率模塊
  • 關鍵字： 意法半導體  SiC  博格華納  功率模塊  沃爾沃  電動汽車  

從硅到碳化硅，更高能效是功率器件始終的追求

  • 隨著新能源汽車和電動飛機概念的興起，在可預見的未來里，電能都將會是人類社會發(fā)展的主要能源。然而，隨著電氣化在各行各業(yè)的滲透率不斷提升，每年全社會對電能的消耗量都是一個天文數(shù)字。比如在中國，根據(jù)國家能源局發(fā)布的數(shù)據(jù)，2022年全社會用電量86,372億千瓦時，同比增長3.6%；其中，高速發(fā)展的新能源汽車在整車制造方面，用電量大幅增長71.1%。圖1：全社會用電量統(tǒng)計（圖源：貿(mào)澤電子）各行業(yè)電氣化進程逐漸深入后，我們也必須要考慮到一個嚴峻的問題，那就是節(jié)能。當前，任何一種用電設備在設計之初，都會將高能效和低能
  • 關鍵字： Mouser  碳化硅  功率器件  

100W MOSFET功率放大器電路

  • 我們設計了一個使用 MOSFET 的功率放大電路，可產(chǎn)生 100W 的輸出功率，驅(qū)動約 8 歐姆的負載。 所設計的功率放大電路具有效率高、交叉失真和總諧波失真的優(yōu)點。工作原理：該電路采用多級功率放大原理，包括前置放大器、驅(qū)動器和使用 MOSFET 的功率放大。 前置放大器采用差分放大器，驅(qū)動級是帶有電流鏡負載的差分放大器，功率放大采用 MOSFET AB 類工作方式。與 BJT 相比，MOSFET 具有驅(qū)動電路簡單、熱穩(wěn)定性較低、輸入阻抗高等優(yōu)點。前置放大器由兩級差分放大器電路組成，用于產(chǎn)生無噪聲放大信號
  • 關鍵字： 功率放大器  MOSFET  

自動執(zhí)行寬禁帶SiC/GaN器件的雙脈沖測試

  • _____減少碳排放的迫切需求推動了對電氣技術的投資，特別是數(shù)據(jù)中心和電動汽車領域。根據(jù)彭博社最新的電動汽車展望報告，到 2050 年，幾乎所有道路運輸都將實現(xiàn)電氣化，預計將導致全球電力需求激增 27%。這一趨勢凸顯了電氣解決方案在遏制溫室氣體排放和塑造更具可持續(xù)性的未來方面的重要意義。越來越多的氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙 (WBG) 半導體取代開關模式電源和電機驅(qū)動器中的硅基功率 MOSFET 和 IGBT。這種轉(zhuǎn)變是由 GaN 和 SiC 器件的出色性能帶來的，包括比硅器件更快
  • 關鍵字： 寬禁帶  SiC  GaN  雙脈沖測試  

碳化硅芯片是否即將主宰市場？阿斯麥臉色不再重要！

  • 在科技領域中，碳化硅芯片正如一顆閃耀的明星，逐漸嶄露頭角。隨著移動互聯(lián)網(wǎng)、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等領域的迅速發(fā)展，芯片技術也不斷突破創(chuàng)新。而在這股技術浪潮中，碳化硅芯片憑借其獨特的優(yōu)勢正愈發(fā)引起人們的矚目。伴隨著阿斯麥這位傳統(tǒng)芯片巨頭的重磅投資，人們開始紛紛關注，碳化硅芯片是否即將主宰市場？更高的溫度耐受性碳化硅芯片，作為一種新興的半導體材料，因其出色的性能和優(yōu)異的耐受性而備受關注。其中，其更高的溫度耐受性是其最大的優(yōu)勢之一。碳化硅芯片的高溫耐受性是由其特殊的晶格結(jié)構(gòu)決定的。碳化硅是由碳原子和硅原子組成的晶體，
  • 關鍵字： 碳化硅芯片  SiC  阿斯麥  

東芝開發(fā)出業(yè)界首款2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏極電流（DC）額定值為250A，適用于光伏發(fā)電系統(tǒng)和儲能系統(tǒng)等使用DC 1500V的應用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。類似上述的工業(yè)應用通常使用DC?1000V或更低功率，其功率器件多為1200V或1700V產(chǎn)品。然而，預計未來幾年內(nèi)DC?1500V將得到廣泛應用，因此東芝發(fā)布了業(yè)界首款
  • 關鍵字： 東芝  2200V  雙碳化硅  SiC  MOSFET模塊  

大功率、高性能汽車類 SiC 牽引逆變器參考設計

  • TIDM-02014 是一款由德州儀器 (TI) 和 Wolfspeed 開發(fā)的基于 SiC 的 800V、300kW 牽引逆變器系統(tǒng)參考設計，該參考設計為 OEM 和設計工程師創(chuàng)建高性能、高效率的牽引逆變器系統(tǒng)并更快地將其推向市場提供了基礎。該解決方案展示了 TI 和 Wolfspeed 的牽引逆變器系統(tǒng)技術（包括用于驅(qū)動 Wolfspeed SiC 電源模塊、具有實時可變柵極驅(qū)動強度的高性能隔離式柵極驅(qū)動器）如何通過降低電壓過沖來提高系統(tǒng)效率。隔離式柵極驅(qū)動器與 TI 的隔離式輔助電源解決方案配合使用
  • 關鍵字： SiC  牽引逆變器  

碳化硅下游市場需求旺盛 企業(yè)紛紛擴張產(chǎn)能加速出貨

  • 隨著碳化硅（SiC）在電動汽車、新能源等領域的應用日益廣泛，市場需求不斷增長。近期，一批碳化硅項目集中開工，部分公司接到批量訂單，推動了碳化硅加速量產(chǎn)。傳播星球App聯(lián)合創(chuàng)始人由曦向《證券日報》記者介紹，碳化硅的應用場景主要包括電動汽車、光伏發(fā)電、充電樁、電力電子等領域。近年來，我國在碳化硅領域的研究和應用取得快速發(fā)展，一些項目已經(jīng)落地實施。例如，在新能源汽車的高壓充電技術方面，碳化硅作為其中的關鍵材料，其需求正日益增長?！疤蓟枳鳛橐环N優(yōu)良的半導體材料，具有耐高壓、導熱好、耐高溫等優(yōu)點，是實現(xiàn)高壓快充技
  • 關鍵字： 碳化硅  新能源  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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