全球加速碳化硅產(chǎn)能擴(kuò)充

受惠于下游應(yīng)用市場的強(qiáng)勁需求，碳化硅產(chǎn)業(yè)正處于高速成長期。據(jù)TrendForce集邦咨詢預(yù)期，至2026年SiC功率元件市場規(guī)?？赏_(dá)53.3億美元，其主流應(yīng)用仍倚重電動(dòng)汽車及可再生能源。

近期，備受關(guān)注的碳化硅市場又有了新動(dòng)態(tài)，涉及三菱電機(jī)、美爾森、芯粵能等企業(yè)。

三菱電機(jī)SiC工廠預(yù)計(jì)4月開建

據(jù)日經(jīng)新聞近日?qǐng)?bào)道，三菱電機(jī)將于今年4月，在日本熊本縣開工建設(shè)新的8英寸SiC工廠，并計(jì)劃于2026年4月投入運(yùn)營。

2023年3月，三菱電機(jī)宣布，計(jì)劃在5年內(nèi)投資約1000億日元（折合人民幣約48.56億元）建設(shè)一個(gè)8英寸SiC工廠，并加強(qiáng)相關(guān)生產(chǎn)設(shè)施。該廠房計(jì)劃于2026年4月投入運(yùn)營。

據(jù)了解，該新工廠共有六層，總建筑面積約4.2萬平方米，將主要負(fù)責(zé)8英寸SiC晶圓的前端工藝。三菱電機(jī)將在全工序段引入自動(dòng)輸送系統(tǒng)，打造生產(chǎn)效率高的生產(chǎn)線，并計(jì)劃逐步提高產(chǎn)能，目標(biāo)在2026財(cái)年將SiC產(chǎn)能提升5倍（與2022財(cái)年相比）。

2023年5月，三菱電機(jī)與Coherent簽署了一份諒解備忘錄，Coherent將為三菱電機(jī)新工廠供應(yīng)8英寸n型4HSiC襯底，雙方共同致力于擴(kuò)大8英寸SiC器件的生產(chǎn)規(guī)模。

芯粵能SiC芯片制造項(xiàng)目加速一期產(chǎn)能爬坡

近日，據(jù)芯粵能晶圓廠廠長邵永華介紹，目前整個(gè)工廠正在擴(kuò)產(chǎn)爬坡，預(yù)計(jì)今年年底實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)24萬片6英寸車規(guī)級(jí)SiC芯片的規(guī)劃產(chǎn)能。預(yù)留的8英寸產(chǎn)線就在6英寸產(chǎn)線隔壁，建成后將具備年產(chǎn)24萬片8英寸車規(guī)級(jí)SiC芯片的能力。

據(jù)此前消息，芯粵能碳化硅（SiC）芯片制造項(xiàng)目是廣東“強(qiáng)芯工程”重大項(xiàng)目，總投資額為75億元，占地150畝，一期投資35億元，建成年產(chǎn)24萬片6英寸SiC芯片的生產(chǎn)線，二期建設(shè)年產(chǎn)24萬片8英寸SiC芯片的生產(chǎn)線，產(chǎn)品包括IGBT、SiC SBD/JBS、SiC MOSFET等功率器件，主要應(yīng)用于新能源汽車、光伏、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。

2022年11月，該項(xiàng)目無塵車間正式啟用，目前已經(jīng)實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)1萬片產(chǎn)能，車規(guī)級(jí)和工控級(jí)芯片成功流片并送樣，即將完成車規(guī)認(rèn)證。截至目前，芯粵能已與40多家客戶簽約流片，覆蓋全國大部分SiC芯片設(shè)計(jì)企業(yè)。

美爾森加碼SiC襯底項(xiàng)目

3月12日，歐洲石墨材料和碳化硅襯底供應(yīng)商美爾森宣布，公司獲得法國政府投資，將用于SiC襯底項(xiàng)目的產(chǎn)能擴(kuò)充。該筆補(bǔ)貼金額或?qū)⒊^1200萬歐元（約合人民幣0.94億），來自于“法國2023計(jì)劃”——微電子和通信技術(shù)歐洲重要聯(lián)合利益項(xiàng)目。

美爾森表示，他們計(jì)劃借此推進(jìn)p-SiC襯底的研發(fā)和工業(yè)生產(chǎn)階段，p-SiC是一種低電阻率多晶SiC襯底，可以與單晶SiC有源層相結(jié)合，有助于SiC器件廠商提高產(chǎn)量和晶體管性能。

美爾森預(yù)計(jì)，在2023至2025年將投資8500萬歐元（約合人民幣6.7億），雇傭80至100名員工，推動(dòng)法國熱訥維耶工廠的產(chǎn)能建設(shè)，并在2027年之前達(dá)到40萬片襯底（150mm）的潛在制造能力。

此外，美爾森將為Soitec公司供應(yīng)碳化硅襯底。2021年11月，美爾森與Soitec達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，憑借各自在基板和材料方面的經(jīng)驗(yàn)，雙方聯(lián)合開發(fā)的極低電阻率多晶SiC襯底將用于Soitec Smart SiC?技術(shù)設(shè)計(jì)的SiC電力電子元件。

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