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碳化硅(sic)mosfet 文章 最新資訊

吉利汽車與ST簽署SiC長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議,成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室

  • ●? ?意法半導(dǎo)體第三代SiC MOSFET助力吉利相關(guān)品牌純電車型提高電驅(qū)能效●? ?雙方成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室,共同推動(dòng)節(jié)能智能化電動(dòng)汽車發(fā)展服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST)近日與全球汽車及新能源汽車龍頭制造商吉利汽車集團(tuán)(香港交易所代碼: HK0175)宣布,雙方簽署碳化硅(SiC)器件長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議,在原有合作基礎(chǔ)上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規(guī)定,意法半導(dǎo)體將為吉利汽車旗下多個(gè)品牌
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意法半導(dǎo)體與吉利汽車簽署SiC長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議

  • 6月4日,意法半導(dǎo)體(ST)與吉利汽車集團(tuán)宣布,雙方簽署碳化硅(SiC)器件長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議,在原有合作基礎(chǔ)上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規(guī)定,意法半導(dǎo)體將為吉利汽車旗下多個(gè)品牌的中高端純電動(dòng)汽車提供SiC功率器件,幫助吉利提高電動(dòng)車性能,加快充電速度,延長(zhǎng)續(xù)航里程,深化新能源汽車轉(zhuǎn)型。此外,吉利和ST還在多個(gè)汽車應(yīng)用領(lǐng)域的長(zhǎng)期合作基礎(chǔ)上,建立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室,交流與探索在汽車電子/電氣(E/E)架構(gòu)(如車載信息娛樂、智能座艙系統(tǒng))、高級(jí)駕駛輔助(ADAS)和新能源汽車等相關(guān)領(lǐng)域的創(chuàng)新解決方案。據(jù)數(shù)據(jù)顯
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吉利汽車與ST簽署SiC長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議,深化新能源汽車轉(zhuǎn)型;成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室,推動(dòng)雙方創(chuàng)新合作

  • 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱ST)與全球汽車及新能源汽車龍頭制造商吉利汽車集團(tuán)宣布,雙方簽署碳化硅(SiC)器件長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議,在原有合作基礎(chǔ)上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規(guī)定,意法半導(dǎo)體將為吉利汽車旗下多個(gè)品牌的中高端純電動(dòng)汽車提供SiC功率器件,幫助吉利提高電動(dòng)車性能,加快充電速度,延長(zhǎng)續(xù)航里程,深化新能源汽車轉(zhuǎn)型。此外,吉利和ST還在多個(gè)汽車應(yīng)用領(lǐng)域的長(zhǎng)期合作基礎(chǔ)上,建立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室,交流與探索在汽車電子/電氣(E/E)架構(gòu)(如車載信息娛樂、智能座艙系統(tǒng))、
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ST宣布50億歐元在意新建8英寸SiC工廠

  • 自意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)官方獲悉,當(dāng)?shù)貢r(shí)間5月31日,意法半導(dǎo)體宣布,將在意大利卡塔尼亞新建一座大批量200mm碳化硅(SiC)工廠,用于功率器件和模塊以及測(cè)試和封裝。新碳化硅工廠的建設(shè)是支持汽車、工業(yè)和云基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用中碳化硅器件客戶向電氣化過渡并尋求更高效率的關(guān)鍵里程碑。據(jù)悉,該項(xiàng)目預(yù)計(jì)總投資約為50億歐元(約合人民幣392.61億元),意大利政府將提供約20億歐元的補(bǔ)助支持。新工廠的目標(biāo)是在2026年投入生產(chǎn),到2033年達(dá)到滿負(fù)荷生產(chǎn),滿產(chǎn)狀態(tài)下每周可生產(chǎn)多達(dá)15,000
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構(gòu)建新型能源體系,充電樁市場(chǎng)將迎來高增長(zhǎng)

  • ? ?能源是人類生存和發(fā)展的重要物質(zhì)基礎(chǔ),能源轉(zhuǎn)型則是當(dāng)今國(guó)際社會(huì)關(guān)注的焦點(diǎn)問題,隨著全球?qū)Νh(huán)境保護(hù)意識(shí)的增強(qiáng)和能源危機(jī)的擔(dān)憂,新能源市場(chǎng)的需求正在快速增長(zhǎng)?! ‘?dāng)前全球汽車產(chǎn)業(yè)電動(dòng)化正在深度推進(jìn),在新能源革命浪潮下,新能源汽車產(chǎn)業(yè)成為各國(guó)重點(diǎn)發(fā)力方向。隨著新能源汽車技術(shù)的日趨成熟,充電基礎(chǔ)設(shè)施快速發(fā)展。近年來,我國(guó)已建成世界上數(shù)量最多、服務(wù)范圍最廣、品種類型最全的充電基礎(chǔ)設(shè)施體系。目前按照1公樁=3個(gè)私樁的測(cè)算,中國(guó)2023年增量市場(chǎng)的純電動(dòng)車的車樁比已經(jīng)1:1,領(lǐng)先世界其它國(guó)家數(shù)倍
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MOSFET基本原理、參數(shù)及米勒效應(yīng)全解

  • 1MOSFET基本工作原理1.1小功率MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是利用輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,由于緊靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電,又稱單極型晶體管。場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型和絕緣柵兩種,因?yàn)榻^緣柵型晶體管(MOSFET,下面簡(jiǎn)稱MOS管)的柵源間電阻比結(jié)型大得多且比結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管溫度穩(wěn)定性好、集成化時(shí)工藝簡(jiǎn)單,因而目前普遍采用絕緣柵型晶體管。MOS管分為N溝道和P溝道兩類,每一類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種,只要柵極-源極電壓uGS為零時(shí)漏極電流也為零的管子均屬于增強(qiáng)型管,只要柵極-源極
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如何增強(qiáng) SiC 功率器件的性能與可靠性?垂直整合是關(guān)鍵!

  • 電動(dòng)汽車 (EV) 市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)推動(dòng)了對(duì)下一代功率半導(dǎo)體的需求,尤其是對(duì)碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體的需求尤為強(qiáng)勁。事實(shí)上,至少在本世紀(jì)下半葉之前,SiC功率器件可能會(huì)供不應(yīng)求。而隨著 SiC 襯底應(yīng)用于 SiC 功率器件,襯底質(zhì)量和制造技術(shù)方面取得了哪些進(jìn)步,以提高器件性能、減少缺陷并增強(qiáng)可靠性?為了優(yōu)化未來 SiC 功率器件的襯底特性,還需要哪些改進(jìn)和發(fā)展?SiC的可靠性挑戰(zhàn)SiC 是硅和碳的化合物,與硅相比有許多優(yōu)點(diǎn)。SiC 芯片可以在更高溫度下運(yùn)行,并能有效處理更高電壓,從而增強(qiáng)電動(dòng)汽車的功率密度
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功率MOSFET的工作原理

  • 功率MOSFET的開通和關(guān)斷過程原理(1)開通和關(guān)斷過程實(shí)驗(yàn)電路(2)MOSFET 的電壓和電流波形:(3)開關(guān)過程原理:開通過程[ t0 ~ t4 ]:-- 在 t0 前,MOSFET 工作于截止?fàn)顟B(tài),t0 時(shí),MOSFET 被驅(qū)動(dòng)開通;-- [t0-t1]區(qū)間,MOSFET 的GS 電壓經(jīng)Vgg 對(duì)Cgs充電而上升,在t1時(shí)刻,到達(dá)維持電壓Vth,MOSFET 開始導(dǎo)電;-- [t1-t2]區(qū)間,MOSFET 的DS 電流增加,Millier 電容在該區(qū)間內(nèi)因DS 電容的放電而放電,對(duì)GS 電容的充電
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第三代電力電子半導(dǎo)體SiC MOSFET:聚焦高效驅(qū)動(dòng)方案

  • 第三代電力電子半導(dǎo)體SiC MOSFET:聚焦高效驅(qū)動(dòng)方案相比傳統(tǒng)的硅MOSFET,SiC MOSFET可實(shí)現(xiàn)在高壓下的高頻開關(guān)。新能源、電動(dòng)汽車、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域,SiC MOSFET(碳化硅-金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)憑借高頻、高功率、低損耗等卓越性能,SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)方案?jìng)涫荜P(guān)注。然而,SiC MOSFET的獨(dú)特器件特性,也意味著它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路有特殊的要求。本文將圍繞SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)方案展開了解,其中包括驅(qū)動(dòng)過電流、過電壓保護(hù)以及如何為SiC MOSFET選擇合
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Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來越受歡迎的D2PAK-7封裝

  • Nexperia近日宣布,公司現(xiàn)推出業(yè)界領(lǐng)先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET,采用D2PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝,有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發(fā)布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產(chǎn)品,它將使其SiC MOSFET產(chǎn)品組合迅速擴(kuò)展到包括RDSon值為17、30、40、60和80 mΩ 且封裝靈活的器件。隨著NSF0xx120D7A0的發(fā)布,Nexperia正在滿足市場(chǎng)對(duì)采用D2
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用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器

  • Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司,致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。 這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。IX4352NE的主要優(yōu)勢(shì)在于其獨(dú)立的9A拉/灌電流輸出,支持量身定制的導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)序,同時(shí)將開關(guān)損耗降至最低。 內(nèi)部負(fù)電荷調(diào)節(jié)器還能提供用戶可選的負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)偏置,以實(shí)現(xiàn)更高的dV/dt抗擾度和更快的關(guān)斷速度。 該驅(qū)動(dòng)器
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布局海外市場(chǎng),兩家半導(dǎo)體企業(yè)開展合作

  • 根據(jù)合肥安賽思半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱:安賽思)官方消息,5月18日,安賽思與新加坡三福半導(dǎo)體科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱:三福半導(dǎo)體)簽署戰(zhàn)略合作備忘錄儀式暨安徽大學(xué)與三福半導(dǎo)體聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室揭牌儀式正式舉行。據(jù)介紹,安賽思是一家致力于研發(fā)新一代半導(dǎo)體功率器件智能驅(qū)動(dòng)技術(shù)及衍生產(chǎn)品的高新技術(shù)企業(yè),目前已成功開發(fā)了IGBT和SiC智能驅(qū)動(dòng)模塊以及工業(yè)電力電子變換器、電力電子繼電器等產(chǎn)品,應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋電動(dòng)汽車、智能制造、機(jī)電設(shè)備和航空航天等。三福半導(dǎo)體聚焦集成電路設(shè)計(jì)、制造和封裝測(cè)試,致力于先進(jìn)技術(shù)研發(fā)、成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化
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這家GaN外延工廠開業(yè)!

  • 作為第三代半導(dǎo)體兩大代表材料,SiC產(chǎn)業(yè)正在火熱發(fā)展,頻頻傳出各類利好消息;GaN產(chǎn)業(yè)熱度也正在持續(xù)上漲中,圍繞新品新技術(shù)、融資并購(gòu)合作、項(xiàng)目建設(shè)等動(dòng)作,不時(shí)有新動(dòng)態(tài)披露。在關(guān)注度較高的擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目方面,上個(gè)月,能華半導(dǎo)體張家港制造中心(二期)項(xiàng)目在張家港經(jīng)開區(qū)再制造基地正式開工建設(shè)。據(jù)悉,能華半導(dǎo)體張家港制造中心(二期)項(xiàng)目總投資6000萬元,總建筑面積約10000平方米,將新建GaN外延片產(chǎn)線。項(xiàng)目投產(chǎn)后,將形成月產(chǎn)15000片6英寸GaN外延片的生產(chǎn)能力。而在近日,又有一個(gè)GaN外延片項(xiàng)目取得新進(jìn)展。5
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多款車型相繼發(fā)布,SiC技術(shù)加速“上車”

  • SiC技術(shù)似乎已成為蔚來旗下新車型標(biāo)配。蔚來在去年12月發(fā)布的行政旗艦車型ET9,搭載了蔚來自研自產(chǎn)的1200V SiC功率模塊,以及面向900V的46105大圓柱電芯和電池包,單顆電芯能量密度高達(dá)292Wh/kg,充電效率達(dá)到5C,呈現(xiàn)出來的效果就是充電5分鐘,續(xù)航255公里。近日,蔚來旗下又一款搭載SiC技術(shù)的車型正式發(fā)布,這便是其全新品牌樂道的首款車型L60。據(jù)悉,樂道全域采用900V高壓架構(gòu),包括電驅(qū)系統(tǒng)、熱泵空調(diào)、輔助加熱器(PTC)、車載充電機(jī)(OBC)、直流電壓變換器(DC-DC)均為900
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英飛凌為小米新款SU7智能電動(dòng)汽車供應(yīng)一系列產(chǎn)品

  • Source:Getty Images/Natee Meepian英飛凌科技在5月6日發(fā)布的一篇新聞稿中表示,將為小米最近發(fā)布的SU7電動(dòng)汽車供應(yīng)碳化硅(SiC)功率模塊HybridPACK Drive G2 CoolSiC和裸片產(chǎn)品直至2027年。英飛凌CoolSiC功率模塊支持更高的工作溫度。例如,基于該技術(shù)的牽引逆變器可以進(jìn)一步增加電動(dòng)汽車的續(xù)航里程。英飛凌為小米SU7 Max車型提供兩顆HybridPACK Drive G2 CoolSiC 1200 V模塊。此外,英飛凌還為小米電動(dòng)汽車供應(yīng)了一系
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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