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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

碳化硅(sic)mosfet 文章 最新資訊

新型OptiMOS 7 MOSFET改進汽車應用中的導通電阻、設計穩(wěn)健性和開關效率

  • 英飛凌科技股份公司正在擴大其用于汽車應用的下一代OptiMOS? 7 MOSFET產品組合，在40 V?產品組合中新增了采用穩(wěn)健且無鉛封裝的器件，并且推出了80 V和100 V型號的OptiMOS? 7 MOSFET。這些MOSFET針對各項標準和未來的48 V汽車應用進行了優(yōu)化，包括電動助力轉向、制動系統(tǒng)、新區(qū)域架構中的功率開關、電池管理、電子保險絲盒，以及各種12 V和48 V電氣系統(tǒng)應用中的直流/直流和BLDC驅動器等。這些產品還適用于輕型電動汽車（LEV）、電動二輪車、電動踏板車、電動摩
  • 關鍵字： 英飛凌科技  汽車應用  OptiMOS? 7   MOSFET  

使用先進的SPICE模型表征NMOS晶體管

  • 為特定CMOS工藝節(jié)點設計的SPICE模型可以增強集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫了一系列關于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫中預加載的nmos4和pmos4模型。雖然這種方法完全適合這些文章，但如果我們的主要目標是準確模擬集成電路MOSFET的電學行為，那么結合一些外部SPICE模型是有意義的。在本文中，我將介紹下載用于IC設計的高級SPICE模型并在LTspice原理圖中使用它們的過程。然后，我們將使用下載的模型對NMOS晶體管進
  • 關鍵字： CMOS，MOSFET  晶體管，Spice模型  

低導通電阻SiC器件在大電流高功率應用中的優(yōu)越性

  • 眾所周知，SiC作為一種性能優(yōu)異的第三代半導體材料，因其高擊穿場強、寬禁帶寬度、高熱導率、高載流子飽和漂移速度等特性可以輔助電子器件更好地在高溫、高壓、高頻應用中使用，可有效突破傳統(tǒng)Si基半導體材料的物理極限。目前使用最廣泛的SiC開關器件是SiC MOSFET，與傳統(tǒng)Si IGBT相比，SiC材料的優(yōu)異性能配合MOSFET單極開關的特點可以在大功率應用中實現(xiàn)高頻、高效、高能量密度、低成本的目標，從而推動電力電子系統(tǒng)的發(fā)展。圖1: 碳化硅器件應用范圍示意圖1圖2: 典型應用場景對應的功率等級2從技術上講，
  • 關鍵字： 低導通電阻  SiC  大電流  高功率  

SiC 功率器件中的溝槽結構測量

  • 汽車和清潔能源領域的制造商需要更高效的功率器件，能夠適應更高的電壓，擁有更快的開關速度，并且比傳統(tǒng)硅基功率器件提供更低的損耗，而溝槽結構的 SiC 功率器件可以實現(xiàn)這一點。但是，雖然基于溝槽的架構可以降低導通電阻并提高載流子遷移率，但它們也帶來了更高的復雜性。對于 SiC 功率器件制造商來說，準確測量外延層生長和這些溝槽中注入層深度的能力是相當重要的，特別是在面臨不斷增加的制造復雜性時。今天我們分享一下來自Onto Innovation 應用開發(fā)總監(jiān)Nick Keller的文章，來重點介紹下SiC 功率器
  • 關鍵字： SiC  功率器件  溝槽結構測量  

設計基于SiC的電動汽車直流快速充電機

  • 電動汽車（EV）直流快速充電機繞過安裝在電動汽車上的車載充電機，直接為電池提供快速直流充電。如下圖所示，直流快速充電機由一級 AC-DC 和一級 DC-DC 組成：圖 1. 直流快速充電機由一級 AC-DC 和一級 DC-DC 組成在優(yōu)化系統(tǒng)效率的同時最大限度縮短充電時間是直流快速充電機的主要關注點。在設計此類系統(tǒng)時，必須考慮器件選型、電壓范圍和負載要求、運行成本、溫度、堅固性和環(huán)境保護，以及可靠性。相比傳統(tǒng)硅（Si）和 IGBT 器件，基于碳化硅（SiC）的器件由于具有工作溫度更高、導通損耗更小、漏電流
  • 關鍵字： SiC  電動汽車  直流快速充電機  Wolfspeed  

安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設計注意事項，您知道嗎？

  • 安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應用進行了優(yōu)化。此前我們描述了M3S的一些關鍵特性以及與第一代相比的顯著性能提升，本文則將重點介紹M3S產品的設計注意事項和使用技巧。寄生導通問題由于NTH4L022N120M3S的閾值電壓具有 NTC，因此在最高結溫TJ(MAX) = 175°C時具有最低值。即使數(shù)據(jù)表中的典型V
  • 關鍵字： SiC  MOSFET  RSP  

解決補能焦慮，安森美SiC方案助力800V車型加速發(fā)布

  • 800V車型刷屏，高壓SiC車載應用加速普及。實際上，近期有越來越多的國內外車企開始加速800V電壓架構車型的量產，多款20-25萬元價格段的標配SiC車型上市。2024年，隨著車企卷價格卷性能戰(zhàn)略推進，將進一步拉動SiC滲透。SiC迎來800V高壓平臺風口◆ 800V架構成為電動汽車主流電動化進程持續(xù)推進，安森美（onsemi）電源方案事業(yè)部汽車主驅方案部門產品總監(jiān)Jonathan Liao指出預計到2030年將有1.5億輛新能源汽車駛上道路。但從消費者角度看購買電動車的兩大顧慮是續(xù)航里程和充電便利性
  • 關鍵字： SiC  逆變器  功率模塊  

英飛凌推出TOLT和Thin-TOLL封裝的新型工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2

  • 在技術進步和低碳化日益受到重視的推動下，電子行業(yè)正在向結構更緊湊、功能更強大的系統(tǒng)轉變。英飛凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封裝正在積極支持并加速這一趨勢。這些產品能夠更大程度地利用PCB主板和子卡，同時兼顧系統(tǒng)的散熱要求和空間限制。目前，英飛凌正在通過采用?Thin-TOLL 8x8?和?TOLT?封裝的兩個全新產品系列，擴展其?CoolSiC? MOSFET分立式半導體器件?650 V產品組合。這兩個產品系列基于Coo
  • 關鍵字： 英飛凌  CoolSiC  MOSFET  

優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC單晶生長設備通過技術鑒定

  • 6月7日，蘇州優(yōu)晶半導體科技股份有限公司（以下簡稱“優(yōu)晶科技”）宣布8英寸電阻法SiC單晶生長設備獲行業(yè)專家認可，成功通過技術鑒定評審。鑒定委員會認為，優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC晶體生長設備及工藝成果技術難度大，創(chuàng)新性強，突破了國內大尺寸晶體生長技術瓶頸，擁有自主知識產權，經濟效益顯著。資料顯示，優(yōu)晶科技成立于2010年12月，專注于大尺寸（6英寸及以上）導電型SiC晶體生長設備研發(fā)、生產及銷售。該公司于2019年成功研制出6英寸電阻法SiC單晶生長設備，經持續(xù)工藝優(yōu)化，目前已推出至第四代機型——UKIN
  • 關鍵字： 優(yōu)晶科技  8英寸  SiC  單晶生長設備  

電驅逆變器SiC功率模塊芯片級熱分析

  • 本文提出一個用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內并聯(lián)裸片之間的熱失衡問題的解決方案，該分析方法是采用紅外熱像儀直接測量每顆裸片在連續(xù)工作時的溫度，分析兩個電驅逆變模塊驗證，該測溫系統(tǒng)的驗證方法是，根據(jù)柵源電壓閾值選擇每個模塊內的裸片。我們將從實驗數(shù)據(jù)中提取一個數(shù)學模型，根據(jù)Vth選擇標準，預測當逆變器工作在電動汽車常用的電壓和功率范圍內時的熱不平衡現(xiàn)象。此外，我們還能夠延長測試時間，以便分析在電動汽車生命周期典型電流負荷下的芯片行為。
  • 關鍵字： 電驅逆變器  碳化硅  電動汽車  大功率  

天岳先進上海碳化硅基地驗收

  • 作為天岳先進三大SiC材料生產基地之一，與其位于山東濟南和濟寧的兩大基地相比，其上海基地項目似乎更受關注。近日，天岳先進上?；仨椖颗读俗钚逻M展，再次成為焦點。2024年5月，天岳先進位于上海臨港重裝備產業(yè)區(qū)的生產基地第一個項目完成驗收，意味著該生產基地由此進入新的發(fā)展階段。01天岳先進“瘋狂”擴產據(jù)悉，天岳先進上?；仨椖孔畛跤?021年第二季度備案和申報，規(guī)劃投資25億元，項目全部達產后，SiC襯底的產能約為30萬片/年。從投資規(guī)模和產能規(guī)劃來看，上?；仨椖坑型屘煸老冗M的市場地位再進一步。近年來
  • 關鍵字： 天岳先進  碳化硅  

MOSFET在服務器電源上的應用

  • 服務器電源主要用在數(shù)據(jù)中心場景中，主要應用于服務器、存儲器等設備。它和PC電源一樣，都是一種開關電源。服務器電源按照標準可以分為ATX電源和SSI電源兩種。ATX標準是Intel在1997年推出的一個規(guī)范，使用較為普遍，輸出功率一般在125瓦～350瓦之間主要用于臺式機、工作站和低端服務器。SSI（Server System Infrastructure）規(guī)范是Intel聯(lián)合一些主要的IA架構服務器生產商推出的新型服務器電源規(guī)范，SSI規(guī)范的推出是為了規(guī)范服務器電源技術，降低開發(fā)成本，延長服務器的使用壽命
  • 關鍵字： MOSFET  服務器電源  

意法半導體在意大利打造世界首個一站式碳化硅產業(yè)園

  • ●? ?ST將在意大利卡塔尼亞新建8英寸碳化硅功率器件和模塊大規(guī)模制造及封測綜合基地●? ?這項多年長期投資計劃預計投資總額達50億歐元，包括意大利政府按照《歐盟芯片法案》框架提供的20億歐元資金●? ?卡塔尼亞碳化硅產業(yè)園將實現(xiàn)ST的碳化硅制造全面垂直整合計劃，在一個園區(qū)內完成從芯片研發(fā)到制造、從晶圓襯底到模塊的碳化硅功率器件全部生產，賦能汽車和工業(yè)客戶的電氣化進程和高能效轉型服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體?
  • 關鍵字： 意法半導體  碳化硅  

PANJIT最新高效能60V/100V/150V車規(guī)級MOSFET系列

  • PANJIT?推出最新的60V、100V?和?150V?車規(guī)級?MOSFET，此系列通過先進的溝槽技術設計達到優(yōu)異性能和效率。此系列?MOSFET?專為汽車和工業(yè)電力系統(tǒng)設計，提供優(yōu)異的品質因數(shù)（FOM），顯著降低?RDS(ON)?和電容。這確保了最低的導通和開關損耗，從而提升了整體性能。新系列?MOSFET?提供多種封裝，包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、T
  • 關鍵字： PANJIT  MOSFET  

恩智浦與采埃孚合作開發(fā)基于SiC的牽引逆變器

  • 6月4日，NXP Semiconductors NV（恩智浦半導體）在官網披露，其與ZF Friedrichshafen AG（采埃孚）公司合作，為電動汽車（EV）開發(fā)基于碳化硅（SiC）的下一代牽引逆變器解決方案。通過利用恩智浦GD316x高壓（HV）隔離柵極驅動器，該解決方案旨在加速800V平臺和SiC功率器件的推廣應用。據(jù)介紹，GD316x產品系列支持安全、高效和高性能的牽引逆變器，可延長電動汽車的續(xù)航里程、減少充電停車次數(shù)、同時降低OEM廠商的系統(tǒng)級成本。據(jù)了解，牽引逆變器是電動汽車電力傳動系統(tǒng)的
  • 關鍵字： 恩智浦  SiC  逆變器  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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