EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
碳化硅(sic)mosfet
碳化硅(sic)mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)
通俗易懂的講解晶體管(BJT 和 MOSFET)
- 晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的組件,可以使用它來(lái)構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中,將帶你了解晶體管是如何工作的,以便你可以在后面的電路設(shè)計(jì)中使用它們。一旦你了解了晶體管的基本知識(shí),這其實(shí)是相當(dāng)容易的。我們將集中討論兩個(gè)最常見(jiàn)的晶體管:BJT和MOSFET。晶體管的工作原理就像電子開(kāi)關(guān),它可以打開(kāi)和關(guān)閉電流。一個(gè)簡(jiǎn)單的思考方法就是把晶體管看作沒(méi)有任何動(dòng)作部件的開(kāi)關(guān),晶體管類似于繼電器,因?yàn)槟憧梢杂盟鼇?lái)打開(kāi)或關(guān)閉一些東西。當(dāng)然了晶體管也可以部分打開(kāi),這對(duì)于放大器的設(shè)計(jì)很有用。1 晶體管BJT的工作原理讓我們從經(jīng)典的NPN晶體
- 關(guān)鍵字: 晶體管 BJT MOSFET
全面升級(jí)!安森美第二代1200V SiC MOSFET關(guān)鍵特性解析
- 安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET,命名為M3S,其中S代表開(kāi)關(guān)。M3S 系列專注于提高開(kāi)關(guān)性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ,還針對(duì)工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,如太陽(yáng)能逆變器、ESS、UPS 和電動(dòng)汽車充電樁等。幫助開(kāi)發(fā)者提高開(kāi)關(guān)頻率和系統(tǒng)效率。本應(yīng)用筆記將描述M3S的一些關(guān)鍵特性,與第一代相比的顯著性能提升,以及一些實(shí)用設(shè)計(jì)技巧。本文為第一部分,將重點(diǎn)介紹M3S的一些關(guān)鍵特性以及與
- 關(guān)鍵字: 碳化硅 SiC MOSFET
SiC邁入8英寸時(shí)代,國(guó)際大廠量產(chǎn)前夕國(guó)內(nèi)廠商風(fēng)口狂追
- 近日,包括Wolfspeed、韓國(guó)釜山政府、科友等在第三代半導(dǎo)體SiC/GaN上出現(xiàn)新進(jìn)展。從國(guó)內(nèi)外第三代化合物進(jìn)展看,目前在碳化硅領(lǐng)域,國(guó)際方面8英寸SiC晶圓制造已邁向量產(chǎn)前夕,國(guó)產(chǎn)廠商方面則有更多廠家具備量產(chǎn)能力,產(chǎn)業(yè)鏈條進(jìn)一步完善成熟,下文將進(jìn)一步說(shuō)明最新情況。SiC/GaN 3個(gè)項(xiàng)目最新動(dòng)態(tài)公布Wolfspeed德國(guó)8英寸SiC工廠或?qū)⒀舆t至明年建設(shè)近日,據(jù)外媒消息,Wolfspeed與采埃孚聯(lián)合投資建設(shè)的德國(guó)8英寸SiC晶圓廠建設(shè)計(jì)劃或被推遲,最早將于2025年開(kāi)始。據(jù)悉,該工廠由Wolfsp
- 關(guān)鍵字: SiC 8英寸
小米首款汽車發(fā)售,碳化硅加速前行
- 3月28日,小米公司正式發(fā)布了小米SU7,一共有三款配置,分別是小米SU7 標(biāo)準(zhǔn)版,售價(jià)21.59萬(wàn)元;小米SU7 Pro版,售價(jià)24.59萬(wàn)元;小米SU7 Max版,售價(jià)29.99萬(wàn)元。圖片來(lái)源:小米公司2021年3月,小米創(chuàng)始人雷軍正式宣告小米造車。近三年時(shí)間過(guò)去,小米SU7正式發(fā)布,其相關(guān)供應(yīng)商也浮出水面,既有包括高通、英偉達(dá)、博世等國(guó)際供應(yīng)商,也包含了比亞迪、寧德時(shí)代、揚(yáng)杰科技等本土供應(yīng)鏈廠商。芯片領(lǐng)域,英偉達(dá)為小米汽車提供自動(dòng)駕駛芯片,小米SU7搭載了英偉達(dá)兩顆NVIDIA DRIVE Orin
- 關(guān)鍵字: 小米 汽車 碳化硅
華泰證券:先進(jìn)封裝、碳化硅出海及元宇宙顯示的發(fā)展機(jī)會(huì)
- 華泰證券發(fā)布研報(bào)稱,在3月20日-3月22日開(kāi)展的2024 SEMICON China(上海國(guó)際半導(dǎo)體展覽會(huì))上,華泰證券與數(shù)十家國(guó)內(nèi)外頭部半導(dǎo)體企業(yè)交流,并參加相關(guān)行業(yè)論壇,歸納出以下趨勢(shì):1)前道設(shè)備:下游需求旺盛,國(guó)產(chǎn)廠商持續(xù)推出新品,完善工藝覆蓋度;2)后道設(shè)備:AI拉動(dòng)先進(jìn)封裝需求,測(cè)試機(jī)國(guó)產(chǎn)化提速;3)SiC:2024或是襯底大規(guī)模出海與國(guó)產(chǎn)8寸元年;4)元宇宙和微顯示:硅基OLED有望成為VR設(shè)備主流顯示方案,AI大模型出現(xiàn)可能推動(dòng)智慧眼鏡等輕量級(jí)AR終端快速增長(zhǎng)。 華泰證券主要觀點(diǎn)如下:
- 關(guān)鍵字: 元宇宙 AR VR 碳化硅 先進(jìn)封裝
意法半導(dǎo)體碳化硅數(shù)位電源解決方案被肯微科技采用用于高效率可靠的服務(wù)器電源供應(yīng)器設(shè)計(jì)及應(yīng)用
- 服務(wù)橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST)近日宣布與高效能電源供應(yīng)領(lǐng)導(dǎo)廠商肯微科技合作,設(shè)計(jì)及研發(fā)使用ST被業(yè)界認(rèn)可的碳化硅(SiC)、電氣隔離和微控制器的服務(wù)器電源參考設(shè)計(jì)技術(shù)。該參考方案是電源設(shè)計(jì)數(shù)位電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的理想選擇,尤其在服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心和通信電源的領(lǐng)域。隨著人工智能(AI)、5G和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的推波助瀾下,對(duì)數(shù)位服務(wù)的需求持續(xù)成長(zhǎng),能源及用電控制是數(shù)據(jù)中心永續(xù)發(fā)展需面對(duì)的重要課題。STDES-3KWTLCP參考設(shè)計(jì)適用于3k
- 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 碳化硅 數(shù)字電源 數(shù)位電源 電源 肯微
廠商“瘋狂”發(fā)力碳化硅
- 3月27日,Wolfspeed宣布其全球最大、最先進(jìn)的碳化硅工廠“John Palmour 碳化硅制造中心”封頂。據(jù)其介紹,“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元,占地445英畝,一期建設(shè)預(yù)計(jì)將于2024年底竣工。Wolfspeed首席執(zhí)行官Gregg Lowe表示,工廠已開(kāi)始安裝長(zhǎng)晶設(shè)備,預(yù)估今年12月份或者明年1月,這座工廠將會(huì)有產(chǎn)出。該工廠將主要制造200mm(8英寸)碳化硅晶圓,尺寸是150mm(6英寸)晶圓的1.7倍,滿足對(duì)于能源轉(zhuǎn)型和AI人工智能至關(guān)重要的新一代半導(dǎo)體的需求
- 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體 碳化硅
總投資50億美元,Wolfspeed全球最大碳化硅工廠封頂
- 據(jù)Wolfspeed官微消息,全球碳化硅技術(shù)引領(lǐng)者Wolfspeed在位于美國(guó)北卡羅來(lái)納州查塔姆縣的“John Palmour 碳化硅制造中心”舉辦建筑封頂慶祝儀式。據(jù)悉,John Palmour 碳化硅制造中心總投資50億美元,占地445英畝,一期建設(shè)預(yù)計(jì)將于2024年底竣工。該制造中心將制造200mm碳化硅(SiC)晶圓,顯著擴(kuò)大Wolfspeed材料產(chǎn)能,滿足對(duì)于能源轉(zhuǎn)型和AI人工智能至關(guān)重要的新一代半導(dǎo)體的需求。產(chǎn)能的爬坡將為近期簽訂的客戶協(xié)議(瑞薩、英飛凌、以及其他企業(yè)等)提供支持,推動(dòng)具有重要
- 關(guān)鍵字: Wolfspeed 碳化硅
Wolfspeed宣布其全球最大、最先進(jìn)的碳化硅工廠封頂
- 2024年3月27日,Wolfspeed宣布,其在位于美國(guó)北卡羅來(lái)納州查塔姆縣的“John Palmour碳化硅制造中心”舉辦建筑封頂慶祝儀式。據(jù)官方介紹,“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元,獲得了來(lái)自公共部門和私營(yíng)機(jī)構(gòu)的支持,將助力從硅向碳化硅的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型,提升對(duì)于能源轉(zhuǎn)型至關(guān)重要的材料的供應(yīng)。該中心占地445英畝,一期建設(shè)預(yù)計(jì)將于2024年底竣工,該中心將制造200mm碳化硅(SiC)晶圓,顯著擴(kuò)大Wolfspeed材料產(chǎn)能,滿足對(duì)于能源轉(zhuǎn)型和AI人工智能至關(guān)重要的新一代半導(dǎo)體的
- 關(guān)鍵字: 芯片制造 功率半導(dǎo)體 碳化硅
Wolfspeed 8英寸SiC襯底產(chǎn)線一期工程封頂
- 3月28日消息,當(dāng)?shù)貢r(shí)間3月26日,Wolfspeed宣布第三座工廠——8英寸SiC襯底產(chǎn)線一期工程舉行了封頂儀式。據(jù)了解,該工廠位于貝卡萊納州查塔姆縣,總投資50億美元(約合人民幣356億元),占地面積445英畝,主要生產(chǎn)8英寸SiC單晶襯底。目前,該工廠已有一些長(zhǎng)晶爐設(shè)備進(jìn)場(chǎng),預(yù)計(jì)2024年底將完成一期工程建設(shè),2025年上半年開(kāi)始生產(chǎn),預(yù)計(jì)竣工達(dá)產(chǎn)后Wolfspeed的SiC襯底產(chǎn)量將擴(kuò)大10倍。近期,Wolfspeed與瑞薩電子、英飛凌等公司簽署了客戶協(xié)議,查塔姆工廠的投建將為這些協(xié)議提供支持,同
- 關(guān)鍵字: 碳化硅 Wolfspeed SiC 瑞薩 英飛凌
近年來(lái)對(duì)碳化硅(SiC)襯底需求的持續(xù)激增
- 隨著近年來(lái)對(duì)碳化硅(SiC)襯底需求的持續(xù)激增,市場(chǎng)研究公司TrendForce表示,對(duì)于SiC的成本降低呼聲越來(lái)越高,因?yàn)樽罱K產(chǎn)品價(jià)格仍然是消費(fèi)者的關(guān)鍵決定因素。SiC襯底的成本占整個(gè)成本結(jié)構(gòu)的比例最高,約占50%。因此,襯底部分的成本降低和利用率提高尤為關(guān)鍵。由于其成本優(yōu)勢(shì),大尺寸襯底逐漸開(kāi)始被采用,市場(chǎng)對(duì)其寄予了很高的期望。中國(guó)SiC襯底制造商天科藍(lán)半導(dǎo)體計(jì)算,從4英寸升級(jí)到6英寸可以使單位成本降低50%,從6英寸升級(jí)到8英寸可以再次降低35%。與此同時(shí),8英寸襯底可以生產(chǎn)更多的芯片,從而減少邊緣浪
- 關(guān)鍵字: SiC 碳化硅
SEMICON2024收官,第三代半導(dǎo)體賽道競(jìng)爭(zhēng)激烈!
- 3月20日,春分時(shí)期,萬(wàn)物復(fù)蘇,SEMICON China 2024在上海新國(guó)際博覽中心拉開(kāi)了序幕。現(xiàn)場(chǎng)一片繁忙熱鬧,據(jù)悉本次展會(huì)面積達(dá)90000平方米,共有1100家展商、4500個(gè)展位和20多場(chǎng)會(huì)議及活動(dòng)涉及了IC制造、功率及化合物半導(dǎo)體、先進(jìn)材料、芯車會(huì)等多個(gè)專區(qū)。本次展會(huì)中,碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈格外亮眼,據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計(jì),共有近70家相關(guān)企業(yè)帶來(lái)了一眾新品與最新技術(shù),龍頭企業(yè)頗多,材料方面包括Resonac、天域半導(dǎo)體、天岳先進(jìn)、天科合達(dá)等企業(yè),設(shè)備端則如晶盛機(jī)電、中微公司
- 關(guān)鍵字: 碳化硅 氮化鎵 第三代半導(dǎo)體
如何通過(guò)SiC增強(qiáng)電池儲(chǔ)能系統(tǒng)?
- 電池可以用來(lái)儲(chǔ)存太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源在高峰時(shí)段產(chǎn)生的能量,這樣當(dāng)環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時(shí),就可以利用這些儲(chǔ)存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲(chǔ)能系統(tǒng) (BESS) 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),然后介紹了安森美 (onsemi) 的EliteSiC方案,可作為硅MOSFET或IGBT開(kāi)關(guān)的替代方案,改善BESS的性能。圖1:BESS 實(shí)施概覽BESS 的優(yōu)勢(shì)最常用的儲(chǔ)能方法有四種,分別是電化學(xué)儲(chǔ)能、化學(xué)儲(chǔ)能、熱儲(chǔ)能和機(jī)械儲(chǔ)能。鋰離子電池是家喻戶曉的電化學(xué)儲(chǔ)能系統(tǒng),具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點(diǎn)
- 關(guān)鍵字: 安森美 SiC 電池儲(chǔ)能
SiC是如何「拯救」降價(jià)車企的?
- 進(jìn)入 2024 年,10 多家車企紛紛宣布降價(jià)。車企給供應(yīng)商的降價(jià)壓力更大,普遍要求降價(jià) 20%,過(guò)去一般是每年降 3%-5%。有觀點(diǎn)認(rèn)為,車市降價(jià)是由于新技術(shù)帶來(lái)的成本下降,但從大背景來(lái)看,2 月銷量下滑,或是更多企業(yè)加入價(jià)格戰(zhàn)的不得已選擇。但從另一個(gè)角度來(lái)看,成本的下降確實(shí)會(huì)緩解降價(jià)的壓力,SiC(碳化硅)會(huì)不會(huì)是出路呢?降價(jià)風(fēng)波始末2 月 19 日,可以說(shuō)是一切的開(kāi)始。降價(jià)潮是由比亞迪掀起的,從 2 月 19 日到 3 月 6 日,在春節(jié)假期結(jié)束后的 17 天里,比亞迪密集推出了 13 款主力車型的
- 關(guān)鍵字: SiC
碳化硅(sic)mosfet介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)碳化硅(sic)mosfet的理解,并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)碳化硅(sic)mosfet的理解,并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473