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新型OptiMOS 7 MOSFET改進(jìn)汽車應(yīng)用中的導(dǎo)通電阻、設(shè)計(jì)穩(wěn)健性和開關(guān)效率

作者: 時間:2024-06-18 來源:EEPW 收藏

股份公司正在擴(kuò)大其用于的下一代產(chǎn)品組合,在40 V 產(chǎn)品組合中新增了采用穩(wěn)健且無鉛封裝的器件,并且推出了80 V和100 V型號的。這些MOSFET針對各項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)和未來的48 V進(jìn)行了優(yōu)化,包括電動助力轉(zhuǎn)向、制動系統(tǒng)、新區(qū)域架構(gòu)中的功率開關(guān)、電池管理、電子保險(xiǎn)絲盒,以及各種12 V和48 V電氣系統(tǒng)應(yīng)用中的直流/直流和BLDC驅(qū)動器等。這些產(chǎn)品還適用于輕型電動汽車(LEV)、電動二輪車、電動踏板車、電動摩托車,以及商用車和農(nóng)用車(CAV)等其他交通應(yīng)用。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/202406/460025.htm

英飛凌高級副總裁兼汽車低壓MOSFET總經(jīng)理Axel Hahn表示:“作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者,英飛凌致力于塑造未來汽車功率 MOSFET 的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),包括功率效率、創(chuàng)新和堅(jiān)固的高質(zhì)量功率封裝。我們?yōu)榭蛻籼峁┒鄻踊a(chǎn)品組合,以滿足他們的各種需求,并推動現(xiàn)代的發(fā)展?!?/p>

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單SSO8

新型OptiMOS? 7技術(shù)結(jié)合了300毫米薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新封裝技術(shù),在各種可用電壓等級中具有顯著的性能優(yōu)勢,因此適用于各種堅(jiān)固耐用的汽車級功率器件封裝,包括單SSO8(5x6)、雙SSO8(5x6)、mTOLG(8x8)和sTOLL(7x8)等。該系列以更低的導(dǎo)通電阻(例如單SSO8(5x6)80V封裝的最大導(dǎo)通電阻為1.3 mΩ)和更小的外形尺寸提供更高的功率密度和能效。該系列器件還能降低開關(guān)損耗,提高安全工作區(qū)(SOA)的穩(wěn)健性,并且具有高雪崩電流耐受能力,可幫助未來的汽車應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高效率的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

供貨情況

OptiMOS? 7 40 V、80 V 和 100 V產(chǎn)品采用多種不同的穩(wěn)健汽車級功率器件封裝,包括雙 SSO8(5x6)、單SSO8(5x6)、mTOLG(8x8)和sTOLL(7x8)。



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