先進(jìn)制程競(jìng)賽Xilinx首重整合價(jià)值
由于ASIC的研發(fā)成本居高不下,加上近來(lái)FPGA不斷整合更多的功能,同時(shí)也突破了過(guò)往功耗過(guò)高的問(wèn)題,尤其當(dāng)進(jìn)入28奈米制程之后,其性?xún)r(jià)比開(kāi)始逼近ASSP與ASIC,促使FPGA開(kāi)始取代部分ASIC市場(chǎng),應(yīng)用范圍也逐步擴(kuò)張。
本文引用地址:http://2s4d.com/article/192477.htm附圖: Xilinx揭露未來(lái)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)狀況。 資料來(lái)源:Xilinx
掌握這樣的趨勢(shì),讓FPGA大廠Xilinx在28奈米的產(chǎn)品營(yíng)收持續(xù)成長(zhǎng)。 Xilinx企業(yè)策略與行銷(xiāo)資深副總裁Steve Glaser指出,預(yù)估今年在28奈米產(chǎn)品線將會(huì)有1億美元的營(yíng)收,市占率高達(dá)61%,而2014年更將大幅成長(zhǎng),目標(biāo)將成長(zhǎng)至2億5千萬(wàn)營(yíng)收表現(xiàn),市占率也將成長(zhǎng)至72%。
穩(wěn)固28奈米市場(chǎng)后,Xilinx也持續(xù)透過(guò)與臺(tái)積電的合作,將制程進(jìn)展到20奈米,并在7月開(kāi)始Tape out(試生產(chǎn)),Glaser表示,第一款采用20nm制程的產(chǎn)品將導(dǎo)入U(xiǎn)ltraScale可編程架構(gòu),預(yù)估將高出競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手1.5-2倍的系統(tǒng)級(jí)效能與整合度。 UltraScale強(qiáng)調(diào)的是ASIC級(jí)的可編程架構(gòu),可以從單晶片擴(kuò)充到3D IC,也能夠從20奈米的平面制程擴(kuò)充到16奈米FinFET。
Glaser指出,相較于英特爾,臺(tái)積電20奈米的雙重成像(Double Patterning)技術(shù)在電晶體密度高占有優(yōu)勢(shì),并且具備3D IC關(guān)鍵技術(shù)以及ARM SoC的設(shè)計(jì)與制造資源,除此之外還有UltraScale架構(gòu)、Vivado軟體及矽智財(cái)(IP)等。 這些產(chǎn)品架構(gòu)或設(shè)計(jì)工具等資源是在先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)時(shí)所具備的重要關(guān)鍵,這也使的臺(tái)積電成為Xilinx可靠的晶圓代工合作伙伴。
Glaser認(rèn)為,不同于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手Altera找上英特爾作為合作伙伴,Xilinx更重視的是整合所有價(jià)值并發(fā)揮最大化效用。 而Xilinx也在近期宣布已與臺(tái)積電開(kāi)始量產(chǎn)市場(chǎng)首批的異質(zhì)(Heterogeneous)3D IC產(chǎn)品Virtex-7 HT系列。 而未來(lái),Xilinx也將持續(xù)與臺(tái)積電進(jìn)行密切合作,并采用16nm FinFET制程技術(shù)打造具備快速上市及高效能優(yōu)勢(shì)的Fastest FinFET,預(yù)計(jì)2013年開(kāi)始提供測(cè)試晶片,2014年首款產(chǎn)品將問(wèn)世。
評(píng)論