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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

碳化硅(sic)mosfet 文章 最新資訊

Microchip與臺達(dá)電子簽署碳化硅解決方案合作協(xié)議，共創(chuàng)電源管理未來

  • 隨著人工智能（AI）快速發(fā)展與萬物電氣化進(jìn)程加速，市場對更高的電源效率與可靠性的需求持續(xù)增長。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）近日宣布與全球電源管理與智能綠色解決方案領(lǐng)導(dǎo)者臺達(dá)電子工業(yè)股份有限公司（Delta Electronics, Inc.）（以下簡稱“臺達(dá)電子”）簽署全新合作協(xié)議。雙方將攜手在臺達(dá)設(shè)計中應(yīng)用Microchip的mSiC?產(chǎn)品與技術(shù)，通過雙方合作加速創(chuàng)新型碳化硅（SiC）解決方案、節(jié)能產(chǎn)品及系統(tǒng)的開發(fā)，助力構(gòu)建更可持續(xù)的未來。Microchip負(fù)責(zé)高功
  • 關(guān)鍵字： Microchip  臺達(dá)  碳化硅  SiC  電源管理  

iDEAL的SuperQ技術(shù)正式量產(chǎn)，推出150V與200V MOSFET

  • iDEAL Semiconductor的SuperQ?技術(shù)現(xiàn)已全面量產(chǎn)，首款產(chǎn)品為150V MOSFET。同時，一系列200V MOSFET產(chǎn)品也已進(jìn)入送樣階段。SuperQ是過去25年來硅基MOSFET設(shè)計領(lǐng)域的首次重大突破，在硅功率器件中實現(xiàn)了前所未有的性能與效率提升。該架構(gòu)突破了硅材料在導(dǎo)通與開關(guān)方面的物理瓶頸，將n型導(dǎo)電區(qū)域擴大至高達(dá)95%，并將開關(guān)損耗較競爭產(chǎn)品降低高達(dá)2.1倍。該結(jié)構(gòu)不僅改善了器件的電阻與功率損耗，同時保留了硅材料的諸多優(yōu)勢，包括高強度、量產(chǎn)能力強以及在175°C結(jié)溫下的可靠性
  • 關(guān)鍵字： iDEAL  MOSFET  SuperQ  

選型必看！MOSFET四大非理想?yún)?shù)詳解

  • 幾乎所有的書籍資料，在講解MOSFET的時候，都喜歡先從微觀結(jié)構(gòu)去分析MOSFET基于半導(dǎo)體特性的各種結(jié)構(gòu)，然后闡述這些結(jié)構(gòu)導(dǎo)致其參數(shù)的成因。但是這種方式對于物理基礎(chǔ)較弱的應(yīng)用型硬件工程師是非常不友好的，導(dǎo)致大家看了大量的表述沒有理解，沒有汲取到營養(yǎng)。各種三維、二維的圖形，各式各樣，也不統(tǒng)一。本章節(jié)，我們從應(yīng)用的角度，來看我們選擇一個開關(guān)的器件，當(dāng)選擇了一個MOSFET之后，他并不是一個完全理想的開關(guān)器件。通過其不理想的地方，理解他的一些關(guān)鍵參數(shù)。后續(xù)的內(nèi)容，我們再通過微觀結(jié)構(gòu)去理解一下導(dǎo)致這些參數(shù)的原因
  • 關(guān)鍵字： 選型指南  MOSFET  無源器件  

基本半導(dǎo)體子公司注冊資本增至2.1億元

  • 7月9日，深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司子公司——基本封裝測試（深圳）有限公司完成工商變更登記，公司注冊資本從1000萬元大幅增至2.1億元人民幣，由母公司基本半導(dǎo)體和深圳市投控基石新能源汽車產(chǎn)業(yè)私募股權(quán)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）共同注資。此舉標(biāo)志著基本半導(dǎo)體在車規(guī)級碳化硅領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局又邁出重要一步，為后續(xù)研發(fā)創(chuàng)新和產(chǎn)能擴充奠定堅實基礎(chǔ)。戰(zhàn)略資本加持 助力新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展本次增資得到了深圳市投控基石新能源汽車產(chǎn)業(yè)基金的戰(zhàn)略支持，是對基本半導(dǎo)體在新能源汽車功率器件領(lǐng)域技術(shù)積累和市場優(yōu)勢的充分認(rèn)可。該基金是
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基于onsemi NCP51752隔離式SiC MOSFET閘極驅(qū)動器評估板

  • NCP51752是隔離單通道柵極驅(qū)動器系列,源極和吸收峰電流分別為+4.5 A/-9A。 它們設(shè)計用于快速切換以驅(qū)動功率MOSFET和SiC MOSFET功率開關(guān)。 NCP51752提供短而匹配的傳播延遲。為了提高可靠性、dV/dt免疫力，甚至更快地關(guān)閉，NCP51752具有嵌入式負(fù)偏置軌機制在GND2和VEE引腳之間。 本用戶指南支持NCP51752的評估板。 它應(yīng)該與NCP51752數(shù)據(jù)表以及onsemi的應(yīng)用說明和技術(shù)支持團(tuán)隊一起使用。 本文檔描述了孤立單體的擬
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650V GaN器件在高功率應(yīng)用中對SiC構(gòu)成挑戰(zhàn)

  • 瑞薩電子宣布推出其 Gen 4+ Super GaN 平臺，該平臺具有適用于高功率應(yīng)用的 650 V、30 毫歐姆氮化鎵器件。此次發(fā)布代表了該公司在收購 Transphorm 并與其控制器和驅(qū)動器 IC 產(chǎn)品線集成后對 GaN 技術(shù)的持續(xù)投資。與之前的 35 毫歐姆器件相比，Gen 4+ 平臺的 RDS（on） 和芯片尺寸減小了 14%，直接降低了成本。開關(guān)品質(zhì)因數(shù)提高了 50%，而輸出品質(zhì)因數(shù)提高了 20% 以上。在比較測試中，瑞薩電子在 4 kW 電源應(yīng)用中的損耗比領(lǐng)先的碳化硅 MOSFET 和 JF
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Wolfspeed 1700 V MOSFET技術(shù)，助力重塑輔助電源系統(tǒng)的耐用性和成本

  • 在幾乎所有電機驅(qū)動、電動汽車、快速充電器和可再生能源系統(tǒng)中，都會配備低功耗輔助電源。雖然相比于主要的功率級，此類電源通常受到的關(guān)注較少，但它們?nèi)允菐椭到y(tǒng)高效運行的關(guān)鍵組成部分。提高系統(tǒng)可靠性、減小系統(tǒng)尺寸以及縮減系統(tǒng)成本，同時最大限度地降低風(fēng)險并支持多源采購——設(shè)計人員不斷面臨這些經(jīng)常相互矛盾的挑戰(zhàn)。Wolfspeed 推出的工業(yè)級 C3M0900170x 和獲得車規(guī)級認(rèn)證 (AEC-Q101) 的 E3M0900170x 碳化硅 MOSFET 產(chǎn)品系列，可在 20 至 200 W 范圍內(nèi)增強輔助電源的
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香港首座8英寸SiC晶圓廠獲得批準(zhǔn)

  • 6月25日，香港特區(qū)政府創(chuàng)新科技局轄下創(chuàng)新科技署宣布，Jizcube Semiconductor （Hong Kong） Limited提交的「新工業(yè)加速計劃」申請已獲得評審委員會批準(zhǔn)。獲批項目涉及在香港興建寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅 （SiC） 晶圓制造設(shè)施。項目總預(yù)算超過 7 億港元，將獲得 2 億港元的「新產(chǎn)業(yè)加速計劃」資助。這筆資金預(yù)計將大大提升香港的先進(jìn)半導(dǎo)體制造能力，并加速其在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展。Jizcube 于 2023 年 10 月在香港注冊成立，并于 2024 年 6 月正式開始運營，同時
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基于SiC的熔絲保護(hù)高壓電氣系統(tǒng)

  • 在減少排放和實現(xiàn)凈零目標(biāo)的前進(jìn)道路上，碳化硅技術(shù)將在可持續(xù)發(fā)展應(yīng)用中發(fā)揮關(guān)鍵作用。這些應(yīng)用可以通過在系統(tǒng)中添加電力電子器件（例如電機驅(qū)動器）或增強現(xiàn)有系統(tǒng)中的電力電子器件以達(dá)到更高的電壓并提高效率。隨著越來越多的應(yīng)用集成電氣系統(tǒng)，對電路保護(hù)的需求至關(guān)重要。維修或更換組件的成本可能很高，因此設(shè)計人員正在實施更強大的電路保護(hù)方法。僅限于保護(hù)線路的電路中斷裝置對于敏感的電子負(fù)載已不再足夠。電子電路中斷解決方案（例如電子熔絲）可以保護(hù)線路并限制傳輸?shù)焦收县?fù)載的短路允通電流和能量，從而可以防止負(fù)載自身損壞。傳統(tǒng)電路
  • 關(guān)鍵字： SiC  熔絲保護(hù)  

一文讀懂SiC Combo JFET技術(shù)

  • 安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu)，可實現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯(lián)以高效管理大電流負(fù)載的應(yīng)用場景。SiC Combo JFET 技術(shù)概覽對于需要常關(guān)器件的應(yīng)用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常開碳化硅（SiC） JFET串聯(lián)使用，以創(chuàng)建共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)。在這種設(shè)置中，SiC JFET負(fù)責(zé)處理
  • 關(guān)鍵字： 安森美  SiC  Combo  JFET  

SiC Combo JFET技術(shù)概覽與特性

  • 安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu)，可實現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯(lián)以高效管理大電流負(fù)載的應(yīng)用場景。SiC Combo JFET技術(shù)概覽對于需要常關(guān)器件的應(yīng)用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常開碳化硅（SiC） JFET串聯(lián)使用，以創(chuàng)建共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)。在這種設(shè)置中，SiC JFET負(fù)責(zé)處理高
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CoolSiC? MOSFET G2如何正確選型

  • 之前兩篇文章我們分別介紹了CoolSiC? MOSFET G2的產(chǎn)品特點及導(dǎo)通特性 （參考閱讀： CoolSiC? MOSFET Gen2性能綜述 ， CoolSiC? MOSFET G2導(dǎo)通特性解析 ） ，今天我們分析一下在軟開關(guān)和硬開關(guān)兩種場景下，如何進(jìn)行CoolSiC? MOSFET G2的選型。G2在硬開關(guān)拓?fù)渲械膽?yīng)用除了R DS(on) ，開關(guān)損耗在SiC MOSFET的選型中也扮演著非常重要的角色。因為SiC往往工
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  MOSFET  

基本半導(dǎo)體完成1.5億元D輪融資，加速碳化硅領(lǐng)域布局

  • 近日，深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司（簡稱“基本半導(dǎo)體”）宣布完成D輪融資，融資金額達(dá)1.5億元人民幣。本輪融資由中山火炬開發(fā)區(qū)科創(chuàng)產(chǎn)業(yè)母基金與中山金控聯(lián)合投資，資金將主要用于碳化硅功率器件的技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)能擴張以及市場拓展?；景雽?dǎo)體成立于2016年，是一家專注于碳化硅功率器件研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)。其核心產(chǎn)品包括1200V/20A JBS碳化硅二極管、1200V平面柵碳化硅器件以及10kV/2A SiC PiN二極管等。這些產(chǎn)品以低損耗、高頻率等優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于電動汽車、軌道交通、光伏逆變器和航空航天等領(lǐng)
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羅姆的SiC MOSFET應(yīng)用于豐田全新純電車型“bZ5”

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊，已應(yīng)用于豐田汽車公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下簡稱“豐田”）面向中國市場的全新跨界純電動汽車（BEV)“bZ5”的牽引逆變器中?！癰Z5”作為豐田與比亞迪豐田電動車科技有限公司（以下簡稱“BTET”）、一汽豐田汽車有限公司（以下簡稱“一汽豐田”）聯(lián)合開發(fā)的跨界純電動汽車，由一汽豐田于2025年6月正式發(fā)售。此次采用的功率模塊由羅姆與正海集團(tuán)的合資企業(yè)——上海海姆?？?/li>
  • 關(guān)鍵字： 羅姆  SiC MOSFET  豐田  純電車型  

從單管到并聯(lián)：SiC MOSFET功率擴展實戰(zhàn)指南

  • 在10kW-50kW中高功率應(yīng)用領(lǐng)域，SiC MOSFET分立器件與功率模塊呈現(xiàn)并存趨勢。分立方案憑借更高設(shè)計自由度和靈活并聯(lián)擴容能力突圍——當(dāng)單管功率不足時，只需并聯(lián)一顆MOSFET即可實現(xiàn)功率躍升，為工業(yè)電源、新能源系統(tǒng)提供模塊之外的革新選擇。然而，功率并非是選用并聯(lián)MOSFET的唯一原因。正如本文所提到的，并聯(lián)還可以降低開關(guān)能耗，改善導(dǎo)熱性能?？紤]到熱效應(yīng)對導(dǎo)通損耗的影響，并聯(lián)功率開關(guān)管是降低損耗、改善散熱性能和提高輸出功率的有效辦法。然而，并非所有器件都適合并聯(lián)， 因為參數(shù)差異會影響均流特性。本文
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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