碳化硅(sic)mosfet 文章最新資訊

從單管到并聯(lián)：SiC MOSFET功率擴(kuò)展實(shí)戰(zhàn)指南

在10kW-50kW中高功率應(yīng)用領(lǐng)域，SiC MOSFET分立器件與功率模塊呈現(xiàn)并存趨勢(shì)。分立方案憑借更高設(shè)計(jì)自由度和靈活并聯(lián)擴(kuò)容能力突圍——當(dāng)單管功率不足時(shí)，只需并聯(lián)一顆MOSFET即可實(shí)現(xiàn)功率躍升，為工業(yè)電源、新能源系統(tǒng)提供模塊之外的革新選擇。然而，功率并非是選用并聯(lián)MOSFET的唯一原因。正如本文所提到的，并聯(lián)還可以降低開關(guān)能耗，改善導(dǎo)熱性能?？紤]到熱效應(yīng)對(duì)導(dǎo)通損耗的影響，并聯(lián)功率開關(guān)管是降低損耗、改善散熱性能和提高輸出功率的有效辦法。然而，并非所有器件都適合并聯(lián)，因?yàn)閰?shù)差異會(huì)影響均流特性。本文
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SiC過剩預(yù)警：新能源汽車能否消化瘋狂擴(kuò)產(chǎn)？

就在去年，「搶占 SiC，誰是電動(dòng)汽車市場(chǎng)的贏家？」「第三代半導(dǎo)體，來勢(shì)洶洶」「碳化硅:滲透新能源車半壁江山第三代半導(dǎo)體百億級(jí)市場(chǎng)拉開帷幕」……這樣的形容是 SiC 的專屬標(biāo)簽，市場(chǎng)利好，一片光明。好景沒有一直延續(xù)下去。「消息稱 2025 年中國(guó) SiC 芯片價(jià)格將下降高達(dá) 30%」「SiC 價(jià)格跳水, 開啟下半場(chǎng)戰(zhàn)役」……新能源車爆火，那 SiC 怎么了？核心矛盾：需求增長(zhǎng) VS 產(chǎn)能狂飆根據(jù)預(yù)測(cè) 2025 年全球 SiC 襯底產(chǎn)能預(yù)計(jì)達(dá) 400 萬片，需求預(yù)測(cè)僅 250 萬片。從需求側(cè)來看
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據(jù)報(bào)道，Wolfspeed 將被 Apollo 領(lǐng)導(dǎo)的債權(quán)人接管，同時(shí)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手將迎來機(jī)遇

據(jù)路透社援引彭博社報(bào)道，在關(guān)于即將破產(chǎn)的傳聞出現(xiàn)近一個(gè)月后，Wolfspeed 現(xiàn)在正面臨一次重大動(dòng)蕩。由 Apollo 全球管理公司領(lǐng)導(dǎo)的債權(quán)人正準(zhǔn)備根據(jù)破產(chǎn)計(jì)劃接管公司。報(bào)道稱，這家陷入困境的碳化硅巨頭預(yù)計(jì)將在幾天內(nèi)公布一項(xiàng)預(yù)包裝破產(chǎn)計(jì)劃——旨在迅速削減數(shù)十億美元的債務(wù)。在鎖定重組協(xié)議后，Wolfspeed 將要求債權(quán)人就計(jì)劃進(jìn)行投票，然后正式申請(qǐng)第 11 章保護(hù)，報(bào)道補(bǔ)充道。由意法半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)的對(duì)頭將受益根據(jù) TrendForce 的觀察，由于破產(chǎn)程序的不確定性，Wolfspeed 的 Si
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復(fù)旦大學(xué)研發(fā)新型SiC MOSFET器件

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET因其低功耗、高臨界電場(chǎng)強(qiáng)度和優(yōu)異的熱導(dǎo)率，被廣泛應(yīng)用于新能源汽車、智能電網(wǎng)和軌道交通等高壓高頻場(chǎng)景。然而，如何在確保擊穿電壓（BV）的同時(shí)優(yōu)化導(dǎo)通電阻（Ron），一直是行業(yè)亟待解決的難題。近日，復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)在這一領(lǐng)域取得重要突破。據(jù)復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)透露，他們基于電荷平衡理論，通過對(duì)離子注入工藝的深度優(yōu)化，成功設(shè)計(jì)并制備出正交結(jié)構(gòu)和平行結(jié)構(gòu)兩種布局的1.7kV 4H-SiC電荷平衡輔助SiC MOSFET器件。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示，這兩種新型器件在維持約2.0kV擊
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SiC市場(chǎng)的下一個(gè)爆點(diǎn)：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解

安森美 (onsemi) cascode FET （碳化硅共源共柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢(shì)，本文將重點(diǎn)介紹Cascode結(jié)構(gòu)。Cascode簡(jiǎn)介碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC JFET）相比其他競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢(shì)，特別是在給定芯片面積下的低導(dǎo)通電阻（稱為RDS.A）。為了實(shí)現(xiàn)最低的RDS.A，需要權(quán)衡的一點(diǎn)是其常開特性，這意味著如果沒有柵源電壓，或者JFET的柵極處于懸空狀態(tài)，那么JFET將完全導(dǎo)通。然而，開關(guān)模式在應(yīng)用中通常需要常關(guān)狀態(tài)。因此，將SiC JFET與低電壓硅M
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ROHM發(fā)布新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，該模型提升了收斂性和仿真速度。功率半導(dǎo)體的損耗對(duì)系統(tǒng)整體效率有重大影響，因此在設(shè)計(jì)階段的仿真驗(yàn)證中，模型的精度至關(guān)重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通過提高每種特性的復(fù)現(xiàn)性，滿足了高精度仿真的需求。然而另一方面，該模型存在仿真收斂性問題和運(yùn)算時(shí)間較長(zhǎng)等問題，亟待改進(jìn)。新模型“ROHM Level 3（L3）”通過采用簡(jiǎn)化的模型
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SiC Combo JFET講解，這些技術(shù)細(xì)節(jié)必須掌握

安森美推出了具有卓越 R DS（on） *A 性能的 SiC JFET。該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個(gè)器件并聯(lián)以高效管理大電流負(fù)載的應(yīng)用場(chǎng)景。本文為第一部分，將介紹SiC Combo JFET 技術(shù)概覽、產(chǎn)品介紹等。SiC Combo JFET 技術(shù)概覽對(duì)于需要常關(guān)器件的應(yīng)用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常開
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因中國(guó)價(jià)格戰(zhàn)和Wolfspeed不確定性瑞薩電子放棄SiC生產(chǎn)計(jì)劃

根據(jù) MoneyDJ 援引日經(jīng)新聞的一份報(bào)告，電動(dòng)汽車（EV）市場(chǎng)增長(zhǎng)放緩，加上中國(guó)制造商增產(chǎn)導(dǎo)致供應(yīng)過剩，導(dǎo)致價(jià)格下跌，據(jù)報(bào)道，這促使日本半導(dǎo)體巨頭瑞薩電子放棄了生產(chǎn)電動(dòng)汽車碳化硅功率半導(dǎo)體的計(jì)劃。日經(jīng)新聞指出，瑞薩電子最初計(jì)劃于 2025 年初在其位于群馬縣的高崎工廠開始生產(chǎn)用于電動(dòng)汽車的 SiC 功率芯片。然而，該公司此后解散了高崎工廠的 SiC 團(tuán)隊(duì)。日經(jīng)新聞補(bǔ)充說，預(yù)計(jì)與中國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)將在中長(zhǎng)期內(nèi)加劇，這使得瑞薩電子作為后來者很難從 SiC 芯片生產(chǎn)中快速獲利。根
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中國(guó)最大碳化硅工廠點(diǎn)火，可供應(yīng)本地30%需求，Wolfspeed壓力很大

據(jù)當(dāng)?shù)孛襟w《一財(cái)全球》和IT之家報(bào)道，據(jù)報(bào)道，美國(guó)碳化硅（SiC）巨頭 Wolfspeed 在與快速崛起的中國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的激烈競(jìng)爭(zhēng)中徘徊在破產(chǎn)邊緣，中國(guó)最大的碳化硅晶圓廠已在武漢正式投產(chǎn)，旨在供應(yīng)該國(guó)國(guó)內(nèi)產(chǎn)量的 30%。YiCai 報(bào)告稱，一個(gè) SiC 晶圓模型的車載測(cè)試最快將于下個(gè)月開始，而另外近 10 個(gè)模型已經(jīng)在驗(yàn)證中。不久之后將進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)和交付。IT Home 表示，該工廠的一期重點(diǎn)是功率器件，計(jì)劃年產(chǎn) 360,000 片 6 英寸 SiC 晶圓。另一方面，益財(cái)國(guó)際補(bǔ)充說，這足以支持超過 1
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Wolfspeed破產(chǎn)傳聞使瑞薩電子20億SiC供應(yīng)交易面臨風(fēng)險(xiǎn)

據(jù)日本媒體《日刊工業(yè)新聞》報(bào)道，據(jù)報(bào)道，總部位于美國(guó)的碳化硅晶圓生產(chǎn)商 Wolfspeed 正在申請(qǐng)第 11 章破產(chǎn)保護(hù)。報(bào)告指出，這一發(fā)展促使日本公司（包括與 Wolfspeed 簽訂了 10 年供應(yīng)協(xié)議的瑞薩電子以及 Rohm）重新評(píng)估其戰(zhàn)略計(jì)劃。正如日刊工業(yè)新聞所說，瑞薩電子可能會(huì)受到影響，因?yàn)槠渑c Wolfspeed 于 2023 年簽署了 20 億美元的預(yù)付款 10 年碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議。報(bào)告指出，如果 Wolfspeed 根據(jù)美國(guó)破產(chǎn)法第 11 章申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)，瑞薩電子可能
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將電流傳感器集成到EV用SiC功率模塊中

功率半導(dǎo)體研究實(shí)驗(yàn)室 Silicon Austria Labs （SAL）完成了將電流傳感器集成到電源模塊中的概念驗(yàn)證，該模塊旨在用于電動(dòng)汽車牽引逆變器和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。該實(shí)驗(yàn)室表示，這項(xiàng)技術(shù)可以提高效率，同時(shí)減小牽引逆變器和其他基于下一代碳化硅（SiC）功率器件的超大電流電力電子設(shè)備的尺寸和重量。新功率模塊的核心是由 Asahi Kasei Microdevices 設(shè)計(jì)的非接觸式、無磁芯電流傳感器。新芯片取代了當(dāng)今許多電動(dòng)汽車中部署的基于磁芯的電流傳
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東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術(shù)，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。四款器件于今日開始支持批量出貨。四款新器件是首批采用小型表貼DFN8×8封裝的第3代SiC MOSFET的器件，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封裝相比，其體
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東芝在SiC專利申請(qǐng)中挑戰(zhàn)泰科天潤(rùn)

中國(guó)功率芯片開發(fā)商泰克天潤(rùn)（Global Power Technology）在碳化硅（SiC）功率技術(shù)專利申請(qǐng)排名中面臨東芝的挑戰(zhàn)。法國(guó)分析機(jī)構(gòu) KnowMade 的最新數(shù)據(jù)顯示，2025 年第一季度全球申請(qǐng)了 840 多個(gè)新專利族。本季度的專利申請(qǐng)活動(dòng)以東芝在 SiC 功率器件專利領(lǐng)域的加速發(fā)展為標(biāo)志，以匹配 Global Power Technology的專利數(shù)量。這家中國(guó)公司在過去四個(gè)季度一直是排名靠前的專利申請(qǐng)人，幾乎完全專注于 SiC MOSFET 結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)。第一季度授予了 420 多個(gè)
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工程師必看！從驅(qū)動(dòng)到熱管理：MOSFET選型與應(yīng)用實(shí)戰(zhàn)手冊(cè)

MOSFET因其獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)，已成為模擬電路與數(shù)字電路中不可或缺的元件，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)設(shè)備、智能手機(jī)及便攜式數(shù)碼產(chǎn)品中。其核心優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在三個(gè)方面：驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化，所需驅(qū)動(dòng)電流遠(yuǎn)低于BJT，可直接由CMOS或集電極開路TTL電路驅(qū)動(dòng)；開關(guān)速度優(yōu)異，無電荷存儲(chǔ)效應(yīng)，支持高速工作；熱穩(wěn)定性強(qiáng)，無二次擊穿風(fēng)險(xiǎn)，高溫環(huán)境下性能表現(xiàn)更穩(wěn)定。這些特性使MOSFET在需要高可靠性、高效率的場(chǎng)景中表現(xiàn)尤為突出。近年來，隨著汽車、通信、能源、消費(fèi)、綠色工業(yè)等大量應(yīng)用MOSFET產(chǎn)品的行業(yè)在近幾年來得到了快速的發(fā)
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CHIPS 法案、電動(dòng)汽車關(guān)稅加劇了Wolfspeed的現(xiàn)金危機(jī)

在特朗普政府縮減美國(guó)《芯片法案》并提升汽車關(guān)稅后，Wolfspeed（歐勝）的新任首席執(zhí)行官需要面臨更為嚴(yán)峻的現(xiàn)金危機(jī)。作為車用碳化硅行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)廠商，Wolfspeed近年來投入數(shù)十億美元在美國(guó)建立SiC制造能力，可惜備受汽車經(jīng)濟(jì)低迷和關(guān)稅前景的打擊陷入持續(xù)虧損中，現(xiàn)在公司轉(zhuǎn)向提供AI數(shù)據(jù)中心電源以促進(jìn)增長(zhǎng)，不過該公司正在尋求第11章法規(guī)的債權(quán)保護(hù)?！白鳛槲覀冑J方談判的一部分，我們可能會(huì)選擇在法庭內(nèi)或庭外尋求選擇，”兩周前接任首席執(zhí)行官的羅伯特·費(fèi)爾（Robert Feurle）說。據(jù)報(bào)道，資產(chǎn)管理公
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