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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

碳化硅(sic)mosfet 文章 最新資訊

從單管到并聯(lián)：SiC MOSFET功率擴(kuò)展實戰(zhàn)指南

  • 在10kW-50kW中高功率應(yīng)用領(lǐng)域，SiC MOSFET分立器件與功率模塊呈現(xiàn)并存趨勢。分立方案憑借更高設(shè)計自由度和靈活并聯(lián)擴(kuò)容能力突圍——當(dāng)單管功率不足時，只需并聯(lián)一顆MOSFET即可實現(xiàn)功率躍升，為工業(yè)電源、新能源系統(tǒng)提供模塊之外的革新選擇。然而，功率并非是選用并聯(lián)MOSFET的唯一原因。正如本文所提到的，并聯(lián)還可以降低開關(guān)能耗，改善導(dǎo)熱性能?？紤]到熱效應(yīng)對導(dǎo)通損耗的影響，并聯(lián)功率開關(guān)管是降低損耗、改善散熱性能和提高輸出功率的有效辦法。然而，并非所有器件都適合并聯(lián)， 因為參數(shù)差異會影響均流特性。本文
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SiC過剩預(yù)警：新能源汽車能否消化瘋狂擴(kuò)產(chǎn)？

  • 就在去年，「搶占 SiC，誰是電動汽車市場的贏家？」「第三代半導(dǎo)體，來勢洶洶」「碳化硅:滲透新能源車半壁江山 第三代半導(dǎo)體百億級市場拉開帷幕」……這樣的形容是 SiC 的專屬標(biāo)簽，市場利好，一片光明。好景沒有一直延續(xù)下去。「消息稱 2025 年中國 SiC 芯片價格將下降高達(dá) 30%」「SiC 價格跳水, 開啟下半場戰(zhàn)役」……新能源車爆火，那 SiC 怎么了？核心矛盾：需求增長 VS 產(chǎn)能狂飆根據(jù)預(yù)測 2025 年全球 SiC 襯底產(chǎn)能預(yù)計達(dá) 400 萬片，需求預(yù)測僅 250 萬片。從需求側(cè)來看
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據(jù)報道，Wolfspeed 將被 Apollo 領(lǐng)導(dǎo)的債權(quán)人接管，同時競爭對手將迎來機遇

  • 據(jù)路透社援引彭博社報道，在關(guān)于即將破產(chǎn)的傳聞出現(xiàn)近一個月后，Wolfspeed 現(xiàn)在正面臨一次重大動蕩。由 Apollo 全球管理公司領(lǐng)導(dǎo)的債權(quán)人正準(zhǔn)備根據(jù)破產(chǎn)計劃接管公司。報道稱，這家陷入困境的碳化硅巨頭預(yù)計將在幾天內(nèi)公布一項預(yù)包裝破產(chǎn)計劃——旨在迅速削減數(shù)十億美元的債務(wù)。在鎖定重組協(xié)議后，Wolfspeed 將要求債權(quán)人就計劃進(jìn)行投票，然后正式申請第 11 章保護(hù)，報道補充道。由意法半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)的對頭將受益根據(jù) TrendForce 的觀察，由于破產(chǎn)程序的不確定性，Wolfspeed 的 Si
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復(fù)旦大學(xué)研發(fā)新型SiC MOSFET器件

  • 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET因其低功耗、高臨界電場強度和優(yōu)異的熱導(dǎo)率，被廣泛應(yīng)用于新能源汽車、智能電網(wǎng)和軌道交通等高壓高頻場景。然而，如何在確保擊穿電壓（BV）的同時優(yōu)化導(dǎo)通電阻（Ron），一直是行業(yè)亟待解決的難題。近日，復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊在這一領(lǐng)域取得重要突破。據(jù)復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊透露，他們基于電荷平衡理論，通過對離子注入工藝的深度優(yōu)化，成功設(shè)計并制備出正交結(jié)構(gòu)和平行結(jié)構(gòu)兩種布局的1.7kV 4H-SiC電荷平衡輔助SiC MOSFET器件。實驗數(shù)據(jù)顯示，這兩種新型器件在維持約2.0kV擊
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SiC市場的下一個爆點：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解

  • 安森美 (onsemi) cascode FET （碳化硅共源共柵場效應(yīng)晶體管）在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢，本文將重點介紹Cascode結(jié)構(gòu)。Cascode簡介碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢，特別是在給定芯片面積下的低導(dǎo)通電阻（稱為RDS.A）。為了實現(xiàn)最低的RDS.A，需要權(quán)衡的一點是其常開特性，這意味著如果沒有柵源電壓，或者JFET的柵極處于懸空狀態(tài)，那么JFET將完全導(dǎo)通。然而，開關(guān)模式在應(yīng)用中通常需要常關(guān)狀態(tài)。因此，將SiC JFET與低電壓硅M
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ROHM發(fā)布新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，該模型提升了收斂性和仿真速度。功率半導(dǎo)體的損耗對系統(tǒng)整體效率有重大影響，因此在設(shè)計階段的仿真驗證中，模型的精度至關(guān)重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通過提高每種特性的復(fù)現(xiàn)性，滿足了高精度仿真的需求。然而另一方面，該模型存在仿真收斂性問題和運算時間較長等問題，亟待改進(jìn)。新模型“ROHM Level 3（L3）”通過采用簡化的模型
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SiC Combo JFET講解，這些技術(shù)細(xì)節(jié)必須掌握

  • 安森美推出了具有卓越 R DS（on） *A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu)，可實現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯(lián)以高效管理大電流負(fù)載的應(yīng)用場景。本文為第一部分，將介紹SiC Combo JFET 技術(shù)概覽、產(chǎn)品介紹等。SiC Combo JFET 技術(shù)概覽對于需要常關(guān)器件的應(yīng)用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常開
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因中國價格戰(zhàn)和Wolfspeed不確定性 瑞薩電子放棄SiC生產(chǎn)計劃

  • 根據(jù) MoneyDJ 援引日經(jīng)新聞的一份報告，電動汽車 （EV） 市場增長放緩，加上中國制造商增產(chǎn)導(dǎo)致供應(yīng)過剩，導(dǎo)致價格下跌，據(jù)報道，這促使日本半導(dǎo)體巨頭瑞薩電子放棄了生產(chǎn)電動汽車碳化硅功率半導(dǎo)體的計劃。日經(jīng)新聞指出，瑞薩電子最初計劃于 2025 年初在其位于群馬縣的高崎工廠開始生產(chǎn)用于電動汽車的 SiC 功率芯片。然而，該公司此后解散了高崎工廠的 SiC 團(tuán)隊。日經(jīng)新聞補充說，預(yù)計與中國競爭對手的價格競爭將在中長期內(nèi)加劇，這使得瑞薩電子作為后來者很難從 SiC 芯片生產(chǎn)中快速獲利。根
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中國最大碳化硅工廠點火，可供應(yīng)本地30%需求，Wolfspeed壓力很大

  • 據(jù)當(dāng)?shù)孛襟w《一財全球》和IT之家報道，據(jù)報道，美國碳化硅 （SiC） 巨頭 Wolfspeed 在與快速崛起的中國競爭對手的激烈競爭中徘徊在破產(chǎn)邊緣，中國最大的碳化硅晶圓廠已在武漢正式投產(chǎn)，旨在供應(yīng)該國國內(nèi)產(chǎn)量的 30%。YiCai 報告稱，一個 SiC 晶圓模型的車載測試最快將于下個月開始，而另外近 10 個模型已經(jīng)在驗證中。不久之后將進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)和交付。IT Home 表示，該工廠的一期重點是功率器件，計劃年產(chǎn) 360,000 片 6 英寸 SiC 晶圓。另一方面，益財國際補充說，這足以支持超過 1
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Wolfspeed破產(chǎn)傳聞使瑞薩電子20億SiC供應(yīng)交易面臨風(fēng)險

  • 據(jù)日本媒體《日刊工業(yè)新聞》報道，據(jù)報道，總部位于美國的碳化硅晶圓生產(chǎn)商 Wolfspeed 正在申請第 11 章破產(chǎn)保護(hù)。報告指出，這一發(fā)展促使日本公司（包括與 Wolfspeed 簽訂了 10 年供應(yīng)協(xié)議的瑞薩電子以及 Rohm）重新評估其戰(zhàn)略計劃。正如日刊工業(yè)新聞所說，瑞薩電子可能會受到影響，因為其與 Wolfspeed 于 2023 年簽署了 20 億美元的預(yù)付款 10 年碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議。報告指出，如果 Wolfspeed 根據(jù)美國破產(chǎn)法第 11 章申請破產(chǎn)保護(hù)，瑞薩電子可能
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將電流傳感器集成到EV用SiC功率模塊中

  • 功率半導(dǎo)體研究實驗室 Silicon Austria Labs （SAL） 完成了將電流傳感器集成到電源模塊中的概念驗證，該模塊旨在用于電動汽車牽引逆變器和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。該實驗室表示，這項技術(shù)可以提高效率，同時減小牽引逆變器和其他基于下一代碳化硅 （SiC） 功率器件的超大電流電力電子設(shè)備的尺寸和重量。新功率模塊的核心是由 Asahi Kasei Microdevices 設(shè)計的非接觸式、無磁芯電流傳感器。新芯片取代了當(dāng)今許多電動汽車中部署的基于磁芯的電流傳
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東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術(shù)，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。四款器件于今日開始支持批量出貨。四款新器件是首批采用小型表貼DFN8×8封裝的第3代SiC MOSFET的器件，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封裝相比，其體
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東芝在SiC專利申請中挑戰(zhàn)泰科天潤

  • 中國功率芯片開發(fā)商泰克天潤（Global Power Technology） 在碳化硅 （SiC） 功率技術(shù)專利申請排名中面臨東芝的挑戰(zhàn)。法國分析機構(gòu) KnowMade 的最新數(shù)據(jù)顯示，2025 年第一季度全球申請了 840 多個新專利族。本季度的專利申請活動以東芝在 SiC 功率器件專利領(lǐng)域的加速發(fā)展為標(biāo)志，以匹配 Global Power Technology的專利數(shù)量。這家中國公司在過去四個季度一直是排名靠前的專利申請人，幾乎完全專注于 SiC MOSFET 結(jié)構(gòu)的設(shè)計。第一季度授予了 420 多個
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工程師必看！從驅(qū)動到熱管理：MOSFET選型與應(yīng)用實戰(zhàn)手冊

  • MOSFET因其獨特的性能優(yōu)勢，已成為模擬電路與數(shù)字電路中不可或缺的元件，廣泛應(yīng)用于消費電子、工業(yè)設(shè)備、智能手機及便攜式數(shù)碼產(chǎn)品中。其核心優(yōu)勢體現(xiàn)在三個方面：驅(qū)動電路設(shè)計簡化，所需驅(qū)動電流遠(yuǎn)低于BJT，可直接由CMOS或集電極開路TTL電路驅(qū)動；開關(guān)速度優(yōu)異，無電荷存儲效應(yīng)，支持高速工作；熱穩(wěn)定性強，無二次擊穿風(fēng)險，高溫環(huán)境下性能表現(xiàn)更穩(wěn)定。這些特性使MOSFET在需要高可靠性、高效率的場景中表現(xiàn)尤為突出。近年來，隨著汽車、通信、能源、消費、綠色工業(yè)等大量應(yīng)用MOSFET產(chǎn)品的行業(yè)在近幾年來得到了快速的發(fā)
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CHIPS 法案、電動汽車關(guān)稅加劇了Wolfspeed的現(xiàn)金危機

  • 在特朗普政府縮減美國《芯片法案》并提升汽車關(guān)稅后，Wolfspeed（歐勝）的新任首席執(zhí)行官需要面臨更為嚴(yán)峻的現(xiàn)金危機。作為車用碳化硅行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)廠商，Wolfspeed近年來投入數(shù)十億美元在美國建立SiC制造能力，可惜備受汽車經(jīng)濟(jì)低迷和關(guān)稅前景的打擊陷入持續(xù)虧損中，現(xiàn)在公司轉(zhuǎn)向提供AI數(shù)據(jù)中心電源以促進(jìn)增長，不過該公司正在尋求第11章法規(guī)的債權(quán)保護(hù)?！白鳛槲覀冑J方談判的一部分，我們可能會選擇在法庭內(nèi)或庭外尋求選擇，”兩周前接任首席執(zhí)行官的羅伯特·費爾 （Robert Feurle） 說。據(jù)報道，資產(chǎn)管理公
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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