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Micrel推出兩款新型同步降壓調(diào)節(jié)器

  • 　　麥克雷爾公司 （Micrel Inc.）推出 MIC23030 和 MIC23031，為其 HyperLight Load（TM） 同步降壓調(diào)節(jié)器家族增添了兩名新成員。這項在 MIC23030/1 中實施的專利架構(gòu)能為便攜式產(chǎn)品提供一流的瞬態(tài)性能和剛好3毫伏的輸出電壓紋波。該調(diào)節(jié)器內(nèi)置 MOSFET，可在一個1.6mm x 1.6mm 的小型 Thin MLF（R） 封裝中提供高達4億安的輸出電流，而損耗量僅為21微安的靜態(tài)電流。這些 HyperLight Load（TM） 降壓調(diào)節(jié)器能夠?qū)崿F(xiàn)高達93
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安森美半導體與中國領(lǐng)先空調(diào)制造商達成設(shè)計協(xié)作

  • 　　高能效電源解決方案供應商安森美半導體（ON Semiconductor）日前宣布，佛山市中格威電子有限公司（廣東志高集團）選用其NCP1027為廣東志高空調(diào)有限公司節(jié)能空調(diào)新產(chǎn)品電控系統(tǒng)供電，實現(xiàn)更高的工作效率和更低的待機能耗。 　　安森美半導體的NCP1027為志高空調(diào)在10瓦（W）輸出功率電平提供新的解決方案。安森美半導體專有的跳周期工作技術(shù)使空調(diào)在低峰值電流下工作；公司的高壓技術(shù)體現(xiàn)在帶有啟動電流源的內(nèi)置700 V MOSFET，而這MOSFET和啟動電流源都直接連接至大電容。為了防止低輸出電
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MagnaChip 為液晶顯示器推出互補型 N-P 通道 MOSFET 系列

  • 　　MagnaChip 推出用于液晶 (LCD) 電視和液晶顯示器背照燈元件的新型節(jié)能 MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）系列。 　　這款 N-P 多芯片 MOSFET 系列擁有專為液晶電視和液晶顯示器逆變器設(shè)計的 N 通道功率和 P 通道功率互補 MOSFET 系列。該系列產(chǎn)品為半橋或全橋逆變器設(shè)計提供了一個最優(yōu)化的解決方案，有 DPAK（分立元件封裝）和 SOIC-8（小型集成電路封裝），在單一設(shè)備中綜合了 N 通道和 P 通道，從而節(jié)省了電路板空間和成本。此外，該 N-P 多芯片 MOS
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基于場效應管的直流電機驅(qū)動控制電路設(shè)計

  • 　　1 引言 　　長期以來，直流電機以其良好的線性特性、優(yōu)異的控制性能等特點成為大多數(shù)變速運動控制和閉環(huán)位置伺服控制系統(tǒng)的最佳選擇。特別隨著計算機在控制領(lǐng)域，高開關(guān)頻率、全控型第二代電力半導體器件(GTR、GTO、MOSFET、IGBT等)的發(fā)展，以及脈寬調(diào)制(PWM)直流調(diào)速技術(shù)的應用，直流電機得到廣泛應用。為適應小型直流電機的使用需求，各半導體廠商推出了直流電機控制專用集成電路，構(gòu)成基于微處理器控制的直流電機伺服系統(tǒng)。但是，專用集成電路構(gòu)成的直流電機驅(qū)動器的輸出功率有限，不適合大功率直流電機驅(qū)動需求
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Vishay推出 P通道功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用 PowerPAK SC-75 封裝的 p 通道功率 MOSFET 系列，該系列包括額定電壓介于 8V～30V 的多個器件，這些是采用此封裝類型的業(yè)界首批具有上述額定電壓的器件。 　　日前推出的這些器件包括業(yè)界首款采用 PowerPAK SC-75 封裝的 -12V (SiB419DK) 及 -30V (SiB415DK) 單 p 通道功率 MOSFET。先前宣布推出的 SiB417DK 為首款 -8V 的此類器件，目前此類器件又
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PAM推出內(nèi)置MOSFET高壓30瓦LED驅(qū)動器PAM2842

  • 　　PAM(Power Analog Microelectronics)推出內(nèi)置MOSFET高壓30瓦的LED驅(qū)動器,采用臺積電的雙極型CMOS-DMOS(BCD)工藝制成。具有從5.5V 到40V很寬的輸入電壓范圍，它是一個非常靈活的LED驅(qū)動器,可以工作于升壓、降壓、升降壓（SEPIC）三種工作方式。它可以利用內(nèi)置的MOSFET來驅(qū)動10個3瓦的LED，或者30個1瓦的LED。由于它在很寬的電壓范圍內(nèi)的恒流特性和95%以上的效率，使它不論是在輸入電壓跌落或很高的環(huán)境溫度時，都能正常工作。因為利用了臺積
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凌力爾特推出寬輸入電壓范圍同步降壓型DC/DC 控制器

  • 　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出寬輸入范圍同步降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器控制器 LTC3851，該器件驅(qū)動所有 N 溝道功率 MOSFET 級并具有一致或比例跟蹤功能。4V 至 38V 的輸入范圍促成種類繁多的應用，包括大多數(shù)中間總線電壓和電池化學組成。強大的片上 MOSFET 柵極驅(qū)動器允許使用大功率外部 MOSFET，以在 0.8V 至 5.5V 的輸出電壓范圍內(nèi)產(chǎn)生高達 20A 的輸出電流，從而使 LTC3851 非常適合于負載點需求。應用包括汽車、工業(yè)、
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Maxim推出2.2MHz、雙路輸出DC-DC轉(zhuǎn)換器

  • 　　Maxim Integrated Products推出能夠提供2A和1A輸出電流的雙路輸出、高開關(guān)頻率DC-DC轉(zhuǎn)換器MAX5098A/MAX5099.轉(zhuǎn)換器直接采用汽車電池供電，集成了能承受高達80V瞬態(tài)電壓的拋負載保護電路，器件的工作電壓可低至4.5V，以適應冷啟動情況。另外，器件具有可編程的200kHz至2.2MHz寬開關(guān)頻率范圍，從而可以工作于AM頻段以外的頻率?？煽康谋Ｗo特性和較寬開關(guān)頻率范圍使MAX5098A/MAX5099成為高端設(shè)備、儀表盤顯示器和汽車廣播等汽車應用的理想選擇。 　　
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中國電動自行車消費需求減弱 沖擊半導體市場

  • 　　據(jù)iSuppli公司，預計2008年中國市場電動自行車出貨量將低于2007年，與2005年大增80%以及過去10年94%的復合年增長率形成鮮明對比。2008年中國電動自行車產(chǎn)量將達到2110萬輛，營業(yè)收入為29億美元。比2007年2130萬的出貨量下降不到1%。這意味著今年中國的多數(shù)電動自行車廠商可能遭遇虧損。 圖  2004-2012年中國電動自行車產(chǎn)量與預測 來源：iSuppli，2008年6月 　　中國電動自行車廠商目前面臨更加不確定的消費者以及更加嚴格的政府法規(guī)。經(jīng)過10年
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凌力爾特公司推出0V至18V理想二極管控制器 LTC4352

  • 　　MOSFET 理想二極管控制器在低壓應用中，為堅固的電源“或”提供快速接通和關(guān)斷 　　凌力爾特公司(Linear Technology Corporation)日前推出 0V 至 18V 理想二極管控制器 LTC4352，該器件使多個電源能夠進行低損耗“或”連接而對電源電壓有最小干擾。LTC4352 調(diào)節(jié)外部 N 溝道 MOSFET 上的正向壓降，以確保在二極管“或”應用中電源之間平滑傳送電流。在低壓系統(tǒng)中，控制器之間的慢切換導
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提升輕負載和高頻率下DC/DC的轉(zhuǎn)換效率

中國功率半導體器件市場正經(jīng)歷風雨轉(zhuǎn)折

  • 　　受到市場需求減緩以及庫存調(diào)整等問題的影響，2007年，中國功率器件市場增長率較2006年出現(xiàn)較大幅度的下降，市場銷售額為762.3億元，比2006年增長了13.3%。                 　　在中國功率器件市場中，電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場首要位置，MOSFET位于第二位，大功率晶體管位于第三位，此三大產(chǎn)品銷售額占到整體市場的80%
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卓芯微電子推出P型MOSFET集成肖特基產(chǎn)品

  • 　　卓芯微電子(Innova-Semi)推出P型MOSFET集成肖特基產(chǎn)品RCRH010FA 和RCRH003FB。P溝道增強型場效應管采用高密度DMOS生產(chǎn)工藝，具有極低的導通電阻，并且在低至1.8V的柵極電壓下仍可正常開啟。配合使用的肖特基芯片采用Low VF工藝，同時具有極佳的反向漏電特性。 　　該兩款產(chǎn)品主要應用在充電電路，DC/DC 轉(zhuǎn)換器和LED控制電路。整個器件在正向?qū)〞r具有很低的正向壓降，不僅滿足使用USB接口進行充電的要求，同時具有極低的功率耗散，提升整個系統(tǒng)的能效。 　　這兩款產(chǎn)
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汽車電子功率MOSFET技術(shù)

  • 過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展到蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐受...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  汽車電子系統(tǒng)  系統(tǒng)功率  

Maxim推出高壓、高速MOSFET驅(qū)動器

  • 　　Maxim推出高壓、高速MOSFET驅(qū)動器MAX15018/MAX15019，用于驅(qū)動高邊和低邊n溝道MOSFET。器件具有高端(HS)引腳，允許高達125V的輸入電壓，該指標優(yōu)于競爭產(chǎn)品的105V電壓。MAX15018/MAX15019與工業(yè)標準的HIP2100IB和HIP2101IB引腳兼容，理想用于必須承受100V或更高瞬態(tài)電壓的電信電源產(chǎn)品中，保證足夠的安全裕量。 　　MAX15018/MAX15019提供3A源出/吸入峰值電流，傳輸延遲僅為35ns (典型值)，驅(qū)動器之間能夠保證2ns (
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