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IR全新30V DirectFET MOSFET系列為同步降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)

  • ??????? 2008年5月27日，國際整流器公司 (International Rectifier) 推出專為筆記本電腦、服務(wù)器CPU電源、圖形，以及記憶體穩(wěn)壓器應(yīng)用的同步降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)而優(yōu)化的全新30V DirectFET MOSFET系列。 　　新器件系列結(jié)合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET硅技術(shù)與先進(jìn)的DirectFET封裝技術(shù)，比標(biāo)準(zhǔn)SO-8器件的占位面積小40%，而且采用了0.7mm纖薄設(shè)計(jì)。新一代30V器
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運(yùn)用MOSFET實(shí)現(xiàn)完美安全系統(tǒng)

  • 　　車上所使用的燈泡到繼電器、從LED顯示照明到起動馬達(dá)，許多組件的多元應(yīng)用，不僅提供了各式各樣的高負(fù)載性、低成本效益的解決方案，另外也必須兼具注重安全性汽車所要求的通訊及診斷能力。因此，為了增加車上電子系統(tǒng)的可靠性及耐久性，除了降低維修成本之外，設(shè)計(jì)人員在功率器件中加入故障保護(hù)電路，才能避免組件發(fā)生故障，降低電子系統(tǒng)所造成損害。 　　另外，在一般汽車行駛的情況下，一旦出現(xiàn)了車上的組件出現(xiàn)故障狀況，將導(dǎo)致汽車上的電路系統(tǒng)發(fā)生短路，或電源無法供電。在遠(yuǎn)程傳感器中采用車用金屬氧化半導(dǎo)體場效晶體管（Metal
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MOSFET開關(guān)軌跡線的示波器重現(xiàn)方法

  • MOSFET的開關(guān)軌跡線是判斷MOSFET開關(guān)過程“軟硬”程度的重要評估指標(biāo)，MOSFET的軟硬程度對于開關(guān)電源的性...
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Intersill推出新型大電流MOSFET柵極驅(qū)動器

  • 　　Intersil公司宣布推出高頻 6A 吸入電流同步（sink synchronous） MOSFET 柵極驅(qū)動器 ISL6615 和 ISL6615A 。這些新器件有助于為系統(tǒng)安全提供更高的效率、靈活性和更多的保護(hù)功能。 　　Intersil 公司此次推出的新型驅(qū)動器增加了柵極驅(qū)動電流（ UGATE 的流出和吸入柵極驅(qū)動電流為 4A ，LGATE 的吸入和流出電流則分別為 6A 和 4A ），可以縮短柵極電壓上升、下降時(shí)間。這將最大限度地降低開關(guān)損耗并改善效率，尤其是在每相并聯(lián)功率MOSFET 的
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大功率寬帶射頻脈沖功率放大器設(shè)計(jì)

  • 　　大功率線性射頻放大器模塊廣泛應(yīng)用于電子對抗、雷達(dá)、探測等重要的通訊系統(tǒng)中，其寬頻帶、大功率的產(chǎn)生技術(shù)是無線電子通訊系統(tǒng)中的一項(xiàng)非常關(guān)鍵的技術(shù)。隨著現(xiàn)代無線通訊技術(shù)的發(fā)展，寬頻帶大功率技術(shù)、寬頻帶跳頻、擴(kuò)頻技術(shù)對固態(tài)線性功率放大器設(shè)計(jì)提出了更高的要求，即射頻功率放大器頻率寬帶化、輸出功率更大化、整體設(shè)備模塊化。 　　通常情況下，在HF~VHF頻段設(shè)計(jì)的寬帶射頻功放，采用場效應(yīng)管(FET)設(shè)計(jì)要比使用常規(guī)功率晶體管設(shè)計(jì)方便簡單，正是基于場效應(yīng)管輸入阻抗比較高，且輸入阻抗相對頻率的變化不會有太大的偏差，易
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探討基于SiC集成技術(shù)的生物電信號采集方案

  • 　　人體信息監(jiān)控是一個(gè)新興的領(lǐng)域，人們設(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網(wǎng)實(shí)現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了，但如何將他們的體積縮小到病人可接受的程度還是一個(gè)不小的挑戰(zhàn)。本文介紹采用IMEC的SiC技術(shù)，它的開發(fā)重點(diǎn)是進(jìn)一步縮小集成后的EEG系統(tǒng)體積以及將低功耗處理技術(shù)、無線通信技術(shù)和能量提取技術(shù)整合起來，在已有系統(tǒng)上增加一個(gè)帶太陽能電池和能量存儲電路的額外堆疊層，這樣就能構(gòu)成一套完全獨(dú)立的生物電信號采集方案。 　　
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Zetex推出全新ZXGD3000雙極柵極驅(qū)動器系列

  • 　　Zetex Semiconductors (捷特科) 推出全新ZXGD3000雙極柵極驅(qū)動器系列，用于開關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動器中的MOSFET及IGBT。低成本的ZXGD3000系列能灌入高達(dá)9A的電流，柵極電容的充、放電速度比柵極驅(qū)動器IC更快，有助于加快開關(guān)時(shí)間，提高電路效率。 　　該系列包含4款高速非反向柵極驅(qū)動器，電源電壓范圍為12V至40V。其快速開關(guān)射極跟隨器配置，實(shí)現(xiàn)了小于2ns的傳播延遲和大約10ns的上升/下降時(shí)間，有效改善了對MOSFET開關(guān)性能的控制。ZXGD3000還能防止鎖定，
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讀取隔離端數(shù)字狀態(tài)無需附加電源(06-100)

  • 　　電子系統(tǒng)常常要求其輸入電路或輸出電路必須與主控回路的進(jìn)行隔離,比如在醫(yī)療產(chǎn)品中，基于安全性考慮，連接到病人身上的輸入傳感器或激勵(lì)源必須與后級處理電路隔離,當(dāng)然需要隔離的應(yīng)用場合還很多，如采集爆炸現(xiàn)場參數(shù)的電路同樣需要與后級完全隔離，等等。 　　在這些應(yīng)用中,通常需要采集被隔離電路的數(shù)字線上的一些狀態(tài)參數(shù), 傳統(tǒng)的辦法是采用光耦得以實(shí)現(xiàn).然而采用光耦有許多局限性:首先,它要消耗隔離端電路許多電流,其次轉(zhuǎn)換時(shí)間長(或動態(tài)響應(yīng)慢)，再者,隨著光發(fā)射器老化，其光電轉(zhuǎn)換增益將隨時(shí)間減小。 　　采用圖1所示電
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MOSFET音頻輸出級的自偏壓電路(04-100)

  • 　　AB類輸出級精度不高可能有下列幾個(gè)原因： 　　·柵極閾值電壓變化與VGS溫度系數(shù)變化引起的MOSFET與雙極管間相對溫度系數(shù)的失配。 　　·輸出器件與檢測器件間耦合的延遲與衰減。 　　·驅(qū)動器工作在不同的溫度。 　　·調(diào)整單個(gè)放大器偏壓時(shí)存在誤差。 　　·老化引起的閾值電壓長期漂移。 　　鑒于上述原因，自然想用控制環(huán)來替代VBE放大器，前者基于偏置電流本身的反饋；而后者只是一種誤差反饋。新設(shè)計(jì)由下列三部分構(gòu)成；偏置電流檢
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選擇適用于POL架構(gòu)中功率轉(zhuǎn)換的 MOSFET

  • 　　對于電路需要 3.3V 及更低電壓的應(yīng)用，負(fù)載點(diǎn) (POL) 轉(zhuǎn)換器已發(fā)展成為面向這些應(yīng)用的廣受歡迎的解決方案。對此類電壓水平的需求源自對更低內(nèi)核電壓的要求，這樣即使功率保持相同, 對這些轉(zhuǎn)換器的電流要求將會很明顯地增加。 　　自引入 POL 理念以來已建議并使用了許多不同的配置，當(dāng)前尚沒有將高壓(例如 48V)逐步降低到 0.9V 低壓的確定策略。過去使用傳統(tǒng)分布式功率架構(gòu) (DPAs) 從單個(gè)“前端轉(zhuǎn)換器”(圖1)提供所有所需的電壓水平。在固定電信應(yīng)用中，48V 的輸
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PDP顯示器電源管理架構(gòu)分析

NXP推出的高性能小信號MOSFET SOT883

  • 恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）發(fā)布了全新的小信號MOSFET器件系列，新產(chǎn)品采用了全球最小封裝之一的SOT883進(jìn)行封裝。恩智浦SOT883 MOSFET面積超小，僅為1.0 x 0.6毫米，與SOT23相比，功耗和性能不相上下，卻只需占據(jù)14%的印刷電路板空間。SOT883 MOSFET針對眾多應(yīng)用而設(shè)計(jì)，包括DC/DC電源轉(zhuǎn)換器模塊、液晶電視電源以及手機(jī)和其他便攜設(shè)備的負(fù)載開關(guān)。SOT883 MOSFET具有超小的面積、0.5毫米的超薄厚度、最佳的開關(guān)速度和非常低的Rds(on)
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什么是MOSFET

  • “MOSFET”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導(dǎo)體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安)，用于功率輸出級的器件。 　　MOSFET共有三個(gè)腳，一般為G、D、S，通過G、S間加控制信號時(shí)可以改變D、S間的導(dǎo)通和截止。功率MO
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可降低油耗的汽車電子系統(tǒng)

  • 　　我們?nèi)绾尾拍苁蛊囻{駛室具備更多的功能，使發(fā)動機(jī)具有更大的功率，同時(shí)還能夠符合各國政府對每加侖行駛距離的要求?只有采用新一代的低導(dǎo)通電阻功率 MOSFET將汽車中傳統(tǒng)的電力系統(tǒng)和液壓系統(tǒng)改為電子系統(tǒng)，這些MOSFET不但可以提高汽車的舒適性和安全性，還能夠提高燃油的行駛距離。 　　發(fā)動機(jī)不僅僅要讓汽車在路上行駛，還要為整個(gè)汽車系統(tǒng)提供動力?，F(xiàn)在人們對汽車的娛樂性、舒適性及安全性的要求越來越高。通過深入分析發(fā)現(xiàn)，對于一輛普通的汽車，每加侖的汽油所產(chǎn)生的能量最終用在車輪行駛上的不到15%，而大部分的能量
  • 關(guān)鍵字： MOSFET 油耗  

MOSFET的開關(guān)速度將決定未來POL電源的性能

  • 　　一個(gè)采用directfet mosfet并基于四相同步整流器的vrm能夠于高達(dá)2mhz/相位下工作，并提供120a電流，且滿足負(fù)載點(diǎn)電源的瞬態(tài)響應(yīng)要求。 　　與十年之前以單元密度和導(dǎo)通電阻作為器件設(shè)計(jì)的主要考慮因素相比，功率mosfet技術(shù)在發(fā)展方向上正經(jīng)歷著一場重大的變革。如今，并在可以預(yù)見的未來，開關(guān)速度正在逐步成為負(fù)載點(diǎn)(pol)電源應(yīng)用的決定性因素。對于工作電壓為1v或以下且對時(shí)鐘速度和電流需求更高的下一代微處理器而言，開關(guān)速度是滿足其供電要求的關(guān)鍵因素。電源的性能將取決于功率mosfet能
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  POL  電源  放大器  
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