IR推出增強型25V及30V MOSFET
—— 適用于負載點同步降壓轉(zhuǎn)換器應用
英飛凌汽車電子生態(tài)圈
全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對同步降壓轉(zhuǎn)換器和電池保護增強了轉(zhuǎn)換性能，適用于消費和網(wǎng)絡領(lǐng)域的計算應用。
本文引用地址：http://2s4d.com/article/94404.htm新 MOSFET 系列采用了 IR 經(jīng)過驗證的硅技術(shù)，可提供基準通態(tài)電阻 (RDS(on)) ，并且提高了轉(zhuǎn)換性能。新器件的低傳導損耗改善了滿載效率及熱性能，即使在輕負載條件下，低轉(zhuǎn)換損耗也有助于實現(xiàn)高效率。
IR 亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“這些新型 MOSFET 采用 Power QFN 封裝，可比 SO-8封裝提供更高的功率密度，同時保持相同的引腳排列配置。新型雙 SO-8 MOSFET 還可通過‘二合一’交換來減少元件數(shù)目，滿足不同應用的要求。”
單雙 N通道 MOSFET 現(xiàn)已開始供應。除了 D-PAK、I-PAK 和 SO-8 封裝之外，單個 N通道器件也可在高量產(chǎn)時實現(xiàn)優(yōu)化，采用 PQFN 5×6mm 和 3×3mm 封裝，而雙 N通道器件則采用 SO-8 封裝。新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) ，可以不含鹵素。
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