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ST推出250A功率MOSFET 提高電機驅(qū)動能效

  • 　　意法半導(dǎo)體日前推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管，新產(chǎn)品擁有市場上最低的導(dǎo)通電阻，可以把功率轉(zhuǎn)換損耗降至最低，并提高系統(tǒng)性能。 　　新產(chǎn)品STV250N55F3是市場上首款整合ST PowerSO-10™ 封裝和引線帶楔焊鍵合技術(shù)的功率MOSFET，無裸晶片封裝的電阻率極低。新產(chǎn)品采用ST的高密度STripFET III™ 制程，典型導(dǎo)通電阻僅為1.5毫歐。STripFET III更多優(yōu)點包括：開關(guān)損耗低，抗雪崩性能強。除提高散熱效率外，九線源極連接配置還有助于
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性能差異化功率器件制造面臨多重挑戰(zhàn)

  • 　　不同應(yīng)用對功率半導(dǎo)體器件提出了新的需求，包括低功耗、高可靠性、高速度、小尺寸等，這些新的需求又對功率半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)工藝提出了種種新的挑戰(zhàn)。 　　天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司技術(shù)部部長饒祖剛表示，性能不同的功率半導(dǎo)體器件滿足了差異化應(yīng)用的需求，而這些不同功率半導(dǎo)體器件對制造工藝提出了多重挑戰(zhàn)。 　　功率器件要滿足差異化應(yīng)用需求 　　功率半導(dǎo)體器件工作在大功率條件下，除了要具備低功耗的特點外，不同的應(yīng)用還提出了一些新需求。例如，在電動車、混合動力汽車這樣的應(yīng)用中，功率半導(dǎo)體器件需要
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凌力爾特推出100V高端/低端N溝道高速MOSFET驅(qū)動器

  • 　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高頻、高輸入電源電壓 (100V) MOSFET 驅(qū)動器 LTC4446，用來驅(qū)動雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器中的高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個驅(qū)動器與功率 MOSFET 和一個凌力爾特公司的 DC/DC 控制器一起，可組成一個完整的高效率雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器，或者可以配置為快速動作的高壓 DC 開關(guān)。 　　這個強大的驅(qū)動器以 1.2Ω 下拉阻抗驅(qū)動高端 MOSFET 時可以提供高達(dá) 2.5A 的電流
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凌力爾特推出高速同步MOSFET驅(qū)動器LTC4447

  • 　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅(qū)動器 LTC4447，該器件用來在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲序?qū)動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個驅(qū)動器加上功率 MOSFET 和一個凌力爾特公司的 DC/DC 控制器，就可組成一個完整的高效率同步穩(wěn)壓器，該穩(wěn)壓器可用作降壓或升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。 　　LTC4447 在一個 4V 至 6.5V 的電壓范圍內(nèi)對上端和下端 MOSFET 柵極進(jìn)行軌至軌驅(qū)動，并可從一個高達(dá) 38V 的電
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Vishay推出新型20V P 通道TrenchFET? 功率 MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出新型 20V p 通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Vishay Siliconix Si8445DB，該器件采用 MICRO FOOT® 芯片級封裝，具有業(yè)界最小占位面積以及 1.2 V 時業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻。 　　隨著便攜式電子設(shè)備的體積越來越小以及它們功能的不斷增加，電源管理電路的可用板面空間會極大減少。為實現(xiàn)消費者對用電池做電源的電子設(shè)備的更長運行時間的期望，
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凌力爾特推出100V高端/低端N溝道高速MOSFET驅(qū)動器

  • 　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高頻、高輸入電源電壓 (100V) MOSFET 驅(qū)動器 LTC4446，用來驅(qū)動雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器中的高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個驅(qū)動器與功率 MOSFET 和一個凌力爾特公司的 DC/DC 控制器一起，可組成一個完整的高效率雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器，或者可以配置為快速動作的高壓 DC 開關(guān)。 　　這個強大的驅(qū)動器以 1.2Ω 下拉阻抗驅(qū)動高端 MOSFET 時可以提供高達(dá) 2.5A 的電流
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Linear推出100V高端/低端N溝道高速MOSFET驅(qū)動器

  • 　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高頻、高輸入電源電壓 (100V) MOSFET 驅(qū)動器 LTC4446，用來驅(qū)動雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器中的高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個驅(qū)動器與功率 MOSFET 和一個凌力爾特公司的 DC/DC 控制器一起，可組成一個完整的高效率雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器，或者可以配置為快速動作的高壓 DC 開關(guān)。 　　這個強大的驅(qū)動器以 1.2Ω 下拉阻抗驅(qū)動高端 MOSFET 時可以提供高達(dá) 2.5A 的電流
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凌力爾特推出60V高壓側(cè)電流檢測 DC/DC 轉(zhuǎn)換器

  • 　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 60V、高壓側(cè)電流檢測 DC/DC 轉(zhuǎn)換器 LT3755，該器件為驅(qū)動大電流 LED而設(shè)計。4.5V 至 40V 的輸入電壓范圍使其適用于多種應(yīng)用，如汽車、工業(yè)和建筑照明。LT3755 使用外部 N 溝道 MOSFET，可以用標(biāo)稱 12V 的輸入驅(qū)動多達(dá) 14 個 1A 的白光 LED，提供超過 50W 的功率。該器件具高壓側(cè)電流檢測，能夠用在升壓、降壓、降壓-升壓或 SEPIC 和反激式拓?fù)渲?。LT3755 在升壓模
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Maxim推出內(nèi)置MOSFET開關(guān)的8串白光LED (WLED)驅(qū)動器

  • 　　Maxim推出內(nèi)置MOSFET開關(guān)的8串白光LED (WLED)驅(qū)動器MAX17061。器件采用內(nèi)部開關(guān)型電流模式升壓控制器驅(qū)動LED陣列，最多可驅(qū)動8串并聯(lián)的LED (每串可連接10個LED)。為保證均勻的LED亮度，每串LED采用一個電流源驅(qū)動，各串之間的電流均衡精度可達(dá)±1.5%。另外，MAX17061還提供一路DPWM信號，用于精確控制WLED亮度。該DPWM信號可通過PWM接口、SMBus™兼容接口、或這兩者同時進(jìn)行控制。DPWM信號的頻率由外部電阻設(shè)置，進(jìn)一步增加
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汽車電子功率MOSFET

  • 　　過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展成為蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐受汽車電子系統(tǒng)中常遇到的掉載和系統(tǒng)能量突變等引起的瞬態(tài)高壓現(xiàn)象。且封裝很簡單，主要采用TO220 和 TO247封裝。電動車窗、燃油噴射、間歇式雨刷和巡航控制等應(yīng)用已逐漸成為大多數(shù)汽車的標(biāo)配，在設(shè)計中需要類似的功率器件。在這期間，隨著電機、螺線管和燃油噴射器日益普及，車用功率MOSFET也不斷發(fā)展壯大。 　　今天的汽車電子系統(tǒng)已開創(chuàng)了功率器件的新時代。本文將介紹和討論幾種推動汽車
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使用功率MOSFET封裝技術(shù)解決計算應(yīng)用的高功耗問題

  • 　　對于主板設(shè)計師來說，要設(shè)計處理器電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)來滿足計算機處理器永無止境的功率需求實在是個大挑戰(zhàn)。Pentium 4處理器要求VRM提供的電流提高了約3倍。英特爾將其VRM指標(biāo)從8.4版本升級到9.0版本，涵蓋了新的功率要求，以繼續(xù)追隨摩爾(Moore)定律。 　　在過去的10年間，VRM電流要求一直在增加，正如英特爾所公布的，IccMAX從VRM9.0中的60A發(fā)展成驅(qū)動高端4核處理器的VRM11.0所要求的150A。與此同時，電流切換速率要求也有相當(dāng)大的提高；芯片插座處的dI／dT從45
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瑞薩科技發(fā)布RQA0010和RQA0014高頻功率MOSFET器件

  • 　　2008年5月26日,瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）今天宣布，推出和高頻功MOSFET，以實現(xiàn)業(yè)界最高功效級別*1 和IEC61000-4-2的4級ESD標(biāo)準(zhǔn)*2 的高可靠性。這些器件適用于手持式無線設(shè)備發(fā)射器的功率放大器。 　　這兩種產(chǎn)品可以放大轉(zhuǎn)換為高頻的音頻信號，以發(fā)射規(guī)定的輸出功率，并將該功率傳送給天線。1 W輸出的RQA0010的將從2008年8月開始在日本提供樣品，0.25 W輸出的RQA0014樣品將于9月開始提供。 　　這兩種產(chǎn)品具有以下特點。
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高效能電源需求催生MOSFET變革創(chuàng)新 英飛凌專家詳解提升能效秘笈

  • 　　環(huán)境污染、溫室效應(yīng)、不可再生能源日趨枯竭……這些日益威脅人類生存的難題已經(jīng)使全球有識之士認(rèn)識到節(jié)能減排提高能效是未來科學(xué)技術(shù)活動一項長期的任務(wù)。正如英飛凌科技奧地利有限公司全球開關(guān)電源高級市場經(jīng)理Thomas Schmidt所言：“能效不僅是個時髦詞匯，更是一個全球挑戰(zhàn)！”如何應(yīng)對這項挑戰(zhàn)？各個半導(dǎo)體紛紛從半導(dǎo)體器件入手，幫助系統(tǒng)公司提升電源效率，這方面，英飛凌近年來動作頻頻，近日，英飛凌公司高調(diào)發(fā)布其最新的OptiMOS 3系列低壓MOSFET，并
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IR推出全新30V DirectFET MOSFET系列

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) ，推出專為筆記本電腦、服務(wù)器CPU電源、圖形，以及記憶體穩(wěn)壓器應(yīng)用的同步降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計而優(yōu)化的全新30V DirectFET MOSFET系列。 　　新器件系列結(jié)合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET硅技術(shù)與先進(jìn)的DirectFET封裝技術(shù)，比標(biāo)準(zhǔn)SO-8器件的占位面積小40%，而且采用了0.7mm纖薄設(shè)計。新一代30V器件的導(dǎo)通電阻 (
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Zetex推出新型整流器控制器

  • 　　Zetex?Semiconductors（捷特科）推出一款驅(qū)動MOSFET的專用整流器控制器，從而使?50?至?150W?的同步反激式轉(zhuǎn)換器成為完美的二極管。ZXGD3101?可使設(shè)計人員以表面貼裝?MOSFET?取代有損耗的肖特基二極管，以實現(xiàn)更高的效率、更少的發(fā)熱量，縮小電源尺寸和重量，同時簡化整體電路設(shè)計。 　　ZXGD3101?有“零點檢測器驅(qū)動器”之稱，能準(zhǔn)確檢測達(dá)到零點
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