sic-mosfet 文章進(jìn)入sic-mosfet技術(shù)社區(qū)

Diodes自保護(hù)式MOSFET節(jié)省85%的占板空間

　　Diodes公司擴(kuò)展其IntelliFET產(chǎn)品系列，推出全球體積最小的完全自保護(hù)式低壓側(cè)MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封裝，與正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封裝的元件相比節(jié)省了85%的占板空間。　　雖然SOT23F的扁平封裝體積小巧，但其卓越的散熱性能可使ZXMS6004FF提供三倍于同類較大封裝元件的封裝功率密度。這款最新IntelliFET的導(dǎo)通電阻僅為500m?，能夠使功耗保持在絕對(duì)極小值。　　　ZXMS
關(guān)鍵字： Diodes MOSFET ZXMS6004FF

IR推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： InternationalRectifier HEXFET MOSFET

基于漏極導(dǎo)通區(qū)特性理解MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程

本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開(kāi)關(guān)過(guò)程；然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程的方法：基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開(kāi)關(guān)過(guò)程，并詳細(xì)闡述了其開(kāi)關(guān)過(guò)程。
關(guān)鍵字： MOSFET 漏極導(dǎo)通開(kāi)關(guān)過(guò)程

表面貼裝功率MOSFET封裝的演進(jìn)

功率MOSFET不僅是一種普遍使用的電子元件，而且也代表著一個(gè)眾所周知的事實(shí)――硅技術(shù)的創(chuàng)新已經(jīng)與滿足市場(chǎng)需求的表面貼裝封裝的創(chuàng)新形影不離。
關(guān)鍵字： MOSFET 表面貼裝封裝

如何進(jìn)行OLED電源設(shè)計(jì)

　　有些設(shè)計(jì)者為了追求較高的轉(zhuǎn)換效率, 選擇了升壓方式，產(chǎn)生一組高于輸入的穩(wěn)定輸出, 如圖三的升壓架構(gòu)。由于功率開(kāi)關(guān)MOSFET是外置的, 可提供較大的輸出功率。在輸出功率許可的條件下，也可以選擇內(nèi)置MOSFET功率開(kāi)關(guān)的升壓轉(zhuǎn)換器，如MAX1722, 可有效節(jié)省空間、降低成本。手機(jī)Vdd解決方案　　對(duì)于手機(jī)Vdd，可以選擇Buck電路提供所需要的電壓。圖四便是一個(gè)內(nèi)置MOSFET功率開(kāi)關(guān)的同步降壓結(jié)構(gòu)，可提供400mA的輸出電流。工作頻率高達(dá)1.2MHz, 允許設(shè)計(jì)者選用小尺寸的電感和輸出電容,
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尺寸縮小對(duì)溝槽MOSFET性能的影響

0 引言　　近幾年，隨著電子消費(fèi)產(chǎn)品需求的日益增長(zhǎng)，功率MOSFET的需求也越來(lái)越大。其中，TMOS由于溝道是垂直方向，在相同面積下，單位元胞的集成度較高，因此導(dǎo)通電阻較低，同時(shí)又具有較低的柵－漏電荷密度、較大的電流容量，從而具備了較低的開(kāi)關(guān)損耗及較快的開(kāi)關(guān)速度，被廣泛地應(yīng)用在低壓功率領(lǐng)域。　　低壓TMOS的導(dǎo)通電阻主要是由溝道電阻和外延層電阻所組成，為了降低導(dǎo)通電阻，同時(shí)不降低器件其他性能，如漏源擊穿電壓，最直接的辦法是減少相鄰元胞的間距，在相同的面積下，增加元胞的集成度?；诖?，本文借助了溝槽
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飛兆半導(dǎo)體推出業(yè)界最薄的MicroFET? (0.55mm) MOSFET

　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新超薄的高效率MicroFET產(chǎn)品FDMA1027，滿足現(xiàn)今便攜應(yīng)用的尺寸和功率要求。FDMA1027是20V P溝道PowerTrench® MOSFET，F(xiàn)DFMA2P853則是20V P溝道PowerTrench® MOSFET，帶有肖特基二極管，并采用2mm x 2mm x 0.55mm MLP封裝。相比低電壓設(shè)計(jì)中常用的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET，新產(chǎn)品的體積減小55%、高度降低5
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安森美半導(dǎo)體推出8款新器件用于消費(fèi)和工業(yè)應(yīng)用

　　2008年11月13日 – 全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)推出8款新的MOSFET器件，專門(mén)為中等電壓開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。這些MOSFET非常適用于直流馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、LED驅(qū)動(dòng)器、電源、轉(zhuǎn)換器、脈寬調(diào)制(PWM)控制和橋電路中，這些應(yīng)用講究二極管速度和換向安全工作區(qū)域(SOA)，安森美半導(dǎo)體的新MOSFET器件提供額外的安全裕量，免應(yīng)用受未預(yù)料的電壓瞬態(tài)影響。　　這些新的60伏(V)器件均是單N溝道MOS
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Diodes推出新型功率MOSFET優(yōu)化低壓操作

　　Diodes Incorporated全面擴(kuò)展旗下的功率MOSFET產(chǎn)品系列，加入能夠在各種消費(fèi)、通信、計(jì)算及工業(yè)應(yīng)用中發(fā)揮負(fù)載和切換功能的新型器件。新器件涵蓋Diodes和Zetex產(chǎn)品系列，包括27款30V邏輯電平、9款20V低閾值的N、P和采用不同工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝的互補(bǔ)MOSFET。　　這些新型功率MOSFET采用SOT323、SOT23、SOT26和SO8形式封裝，引腳和占位面積與現(xiàn)有器件兼容，性價(jià)比具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，不僅能減少物料清單，還能在無(wú)需額外成本的情況下提升性能。新器件可用于DC/DC轉(zhuǎn)
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美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體推出多款全新的SIMPLE SWITCHER 控制器及業(yè)界首套MOSFET 篩選工具

　　二零零八年十月二十一日--中國(guó)訊 -- 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司 (National Semiconductor Corporation)(美國(guó)紐約證券交易所上市代號(hào)：NSM)宣布推出一系列全新的 SIMPLE SWITCHER® 同步降壓控制器。與此同時(shí)，該公司還推出了業(yè)界首套端到端MOSFET的篩選工具，可有效的協(xié)助工程師精簡(jiǎn)開(kāi)關(guān)控制器的設(shè)計(jì)。　　該系列全新的 PowerWise® SIMPLE SWITCHER 同步降壓控制器共有 4 個(gè)不同型號(hào)，全部都
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詳細(xì)講解MOSFET管驅(qū)動(dòng)電路

在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很...
關(guān)鍵字： MOSFET 結(jié)構(gòu) 開(kāi)關(guān) 驅(qū)動(dòng)電路

基于MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)優(yōu)化驅(qū)動(dòng)電路

功率MOSFET具有開(kāi)關(guān)速度快，導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點(diǎn)，因此在開(kāi)關(guān)電源，馬達(dá)控制等電子系統(tǒng)中的應(yīng)用越來(lái)越廣。通常在實(shí)際...
關(guān)鍵字： MOSFET 結(jié)構(gòu) 開(kāi)關(guān) 馬達(dá) 驅(qū)動(dòng)電路

IR推出25W至500W可擴(kuò)展輸出功率D類音頻功率放大器參考設(shè)計(jì)

　　國(guó)際整流器公司（International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR）推出針對(duì)每通道25W以上D類音頻放大器的IRAUDAMP7參考設(shè)計(jì)，適用于包括家庭影院設(shè)備、樂(lè)器和汽車娛樂(lè)系統(tǒng)等應(yīng)用。IRAUDAMP7的功率范圍為25W至500W，為單層PCB提供了高度的擴(kuò)展性。　　IRAUDAMP7S 120W雙通道、半橋式設(shè)計(jì)可以實(shí)現(xiàn)120W 8歐姆D類音頻放大器91%的效率，在頻率1 kHz的60W 8歐姆時(shí)的THD+N為0.005% （均為典型） .IRAUDAMP7D采用了IR的DIP16封
關(guān)鍵字： IR D類音頻放大器參考設(shè)計(jì) MOSFET

中國(guó)功率器件市場(chǎng)增速放緩MOSFET是亮點(diǎn)

　　在中國(guó)中，電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場(chǎng)首要位置，（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）位于第二位，大功率晶體管位于第三位，此三大產(chǎn)品銷售額占整體市場(chǎng)的80%以上。IGBT（絕緣柵雙極晶體管）銷售額雖然不大，但隨著其在工業(yè)控制、消費(fèi)電子領(lǐng)域中應(yīng)用的不斷增多，其市場(chǎng)銷售額保持著較快的增長(zhǎng)，是中國(guó)功率器件市場(chǎng)中的新興產(chǎn)品。　　從應(yīng)用領(lǐng)域上看，消費(fèi)電子領(lǐng)域銷售額位列第一位，工業(yè)控制居于第二，計(jì)算機(jī)領(lǐng)域銷售額位于第三位。這三大領(lǐng)域銷售額占整體市場(chǎng)的68.9%，是功率器件的重要應(yīng)用市場(chǎng)。同時(shí)，憑借筆記本電腦
關(guān)鍵字： MOSFET 功率晶體管消費(fèi)電子 IC LDO 液晶電視

SiC二極管逆變器投入應(yīng)用，讓燃料電池車更輕

　　日產(chǎn)汽車開(kāi)發(fā)出了采用SiC二極管的汽車逆變器。日產(chǎn)已經(jīng)把該逆變器配備在該公司的燃料電池車“X-TRAIL FCV”上，并開(kāi)始行駛實(shí)驗(yàn)。通過(guò)把二極管材料由原來(lái)的Si變更為SiC，今后有望實(shí)現(xiàn)逆變器的小型輕量化、提高可靠性。對(duì)于電動(dòng)汽車而言，逆變器的大小一直是布局的制約因素之一。　　SiC元件作為具有優(yōu)異特性的新一代功率半導(dǎo)體備受矚目。SiC的絕緣破壞電場(chǎng)比Si大1位數(shù)左右，理論上SiC導(dǎo)通電阻可比Si減小2位數(shù)以上。原因是導(dǎo)通電阻與絕緣破壞電場(chǎng)3次方成反比。導(dǎo)通電阻小，因此可
關(guān)鍵字：二極管 SiC 汽車逆變器日產(chǎn)