sic-mosfet 文章進(jìn)入sic-mosfet技術(shù)社區(qū)

IR推出新型邏輯電平溝道MOSFET

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準(zhǔn)通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機(jī)和電動(dòng)工具、工業(yè)電池及電源應(yīng)用。　　新系列基準(zhǔn)MOSFET采用了IR最新的溝道技術(shù)，可在4.5V Vgs下實(shí)現(xiàn)非常低的RDS(on) ，顯著改善了熱效率。此外，這些器件具有更高的電流額定值，多余瞬變可以帶來(lái)更多防護(hù)頻帶，并可減少由
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Maxim推出雙通道、Quick-PWM?、降壓控制器

　　Maxim推出具有同步整流的雙通道、Quick-PWM降壓控制器MAX17031，用于為電池供電系統(tǒng)產(chǎn)生5V/3.3V電源。器件內(nèi)置100mA線性穩(wěn)壓器，以產(chǎn)生上電或其它低功耗、“常備電路”所需的5V偏置電壓。控制器還包含一路低電流(5mA)，“始終開(kāi)啟”的線性穩(wěn)壓器，當(dāng)筆記本電腦的其它所有調(diào)節(jié)器關(guān)閉時(shí)為實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)供電。MAX17031能夠?yàn)楣P記本電腦、便攜式PC及其它便攜式設(shè)備提供完整的、節(jié)省空間的電源方案。　　器件采用低邊MOSFET
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飛兆半導(dǎo)體推出具有業(yè)界最低RDS(ON) 的20V MicroFET? MOSFET

　　飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 為便攜應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員帶來(lái)具有業(yè)界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用緊湊、薄型封裝的雙P溝道MOSFET，能夠滿(mǎn)足便攜設(shè)計(jì)的嚴(yán)苛要求，采用延長(zhǎng)電池壽命的技術(shù)，實(shí)現(xiàn)更薄、更小的應(yīng)用。FDMA6023PZT采用超薄的微型引線框架的MicroFET 封裝，相比傳統(tǒng)的MOSFET，它具有出色的熱阻，能提供超卓的功率耗散，并可減少傳導(dǎo)損耗。該器件采
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SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

使用國(guó)產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號(hào)模型，利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級(jí)GaNMMIC，研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片，連續(xù)波測(cè)試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時(shí)連續(xù)波輸出功率大于10W，帶內(nèi)增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個(gè)采用國(guó)產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
關(guān)鍵字： MMIC SiC GaN 襯底

選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET

前不久，能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求，同時(shí)進(jìn)一步降低待機(jī)功耗要求。例如，為了滿(mǎn)足新規(guī)范，2.5W（5V，0.5A）外部電源的最低效率必須達(dá)到72.3%，新規(guī)范要求空載功耗應(yīng)低于300mW，這些都比目前使用的規(guī)范有了大幅提高。不僅是外部電源，很多手持式產(chǎn)品及家電產(chǎn)品，同樣面臨著低功耗的考驗(yàn)。以手機(jī)為例，隨著智能手機(jī)的功能越來(lái)越多，低功耗設(shè)計(jì)已經(jīng)成為一個(gè)越來(lái)越迫切的問(wèn)題。
關(guān)鍵字： MOSFET 節(jié)能

Diodes 推出全新OR'ing 控制器

　　Diodes 公司推出有源OR'ing控制器芯片ZXGD3102，使共享式電源系統(tǒng)的設(shè)計(jì)人員能以高效MOSFET取代散熱阻流二極管，從而在對(duì)正常運(yùn)行時(shí)間要求苛刻的電信、服務(wù)器及大型機(jī)應(yīng)用中，實(shí)現(xiàn)更低溫度的運(yùn)行、更少的維護(hù)和更可靠的操作。　　Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場(chǎng)總監(jiān)梁后權(quán)表示，傳統(tǒng)上用于電源故障保護(hù)的肖特基阻流二極管的熱耗散很高，這與其很強(qiáng)的0. 5V 正向壓降有直接關(guān)系。如果用典型正向電壓低于100mV的導(dǎo)通電阻較低的MOSFET替代二極管，功耗將明顯減少。ZXGD3102正是為了控
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飛兆半導(dǎo)體的柵極驅(qū)動(dòng)器提高汽車(chē)的燃油效率

　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設(shè)計(jì)人員提供一系列能夠提升汽車(chē)應(yīng)用功耗、噪聲免疫能力和瞬態(tài)電壓性能的柵極驅(qū)動(dòng)器FAN7080x系列，讓工程師開(kāi)發(fā)出在所有操作條件下更準(zhǔn)確、精密的燃油噴射控制系統(tǒng)，從而提高燃油效率。這些柵極驅(qū)動(dòng)器在高邊和橋驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用中驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT，如直接燃油噴射系統(tǒng)和電機(jī)控制。與市場(chǎng)上同類(lèi)器件相比，它們的靜態(tài)功耗減少一半以上 (靜態(tài)電流100µA對(duì)比240µA)，容許設(shè)計(jì)人員優(yōu)化系統(tǒng)和擴(kuò)大工作范圍。這些產(chǎn)品
關(guān)鍵字： Fairchild 柵極驅(qū)動(dòng)器 MOSFET IGBT

電源管理半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國(guó)大有盼頭

盡管一直高于全球的發(fā)展速度，中國(guó)電源管理半導(dǎo)體市場(chǎng)在經(jīng)歷了多年的快速增長(zhǎng)之后，正不斷放緩步伐，特別是在去年被金融海嘯波及之后。但是，隨著國(guó)家政策刺激拉動(dòng)整機(jī)設(shè)備制造保持增長(zhǎng)，今后兩年中國(guó)的市場(chǎng)需求整體也將繼續(xù)較快增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)增長(zhǎng)幅度將與金融海嘯最肆虐的2008年持平甚至略高。
關(guān)鍵字：電源管理節(jié)能 IGBT MOSFET 數(shù)字電源穩(wěn)壓器 200903

高幅度任意波形/函數(shù)發(fā)生器簡(jiǎn)化汽車(chē)、半導(dǎo)體、科學(xué)和工業(yè)應(yīng)用中的測(cè)量

許多電子設(shè)計(jì)應(yīng)用要求的激勵(lì)源幅度超出了當(dāng)前市場(chǎng)上大多數(shù)任意波形/函數(shù)發(fā)生器的能力，包括電源半導(dǎo)體應(yīng)用，如汽車(chē)電子系統(tǒng)和開(kāi)關(guān)電源中廣泛使用的MOSFETs和IGBTs，氣相色譜和質(zhì)譜檢測(cè)器使用的放大器，以及科學(xué)和工業(yè)應(yīng)用中使用的其它設(shè)備。本文描述了使用外部放大器生成高幅度信號(hào)的傳統(tǒng)方法，然后討論了典型應(yīng)用，說(shuō)明了使用集成高幅度階段的新型任意波形/ 函數(shù)發(fā)生器的各種優(yōu)勢(shì)。
關(guān)鍵字：泰克 MOSFET IGBT 200903

選擇自鉗位MOSFET提高電動(dòng)工具系統(tǒng)可靠性

電動(dòng)工具由于其設(shè)計(jì)輕巧、動(dòng)力強(qiáng)勁、使用方便等優(yōu)點(diǎn)，在各種場(chǎng)合得到了廣泛的應(yīng)用。電動(dòng)工具一般采用直流有刷電機(jī)配合電子無(wú)級(jí)調(diào)速電路實(shí)現(xiàn)，具有起動(dòng)靈敏并可正反調(diào)速等功能，如手電鉆、電動(dòng)起子等。無(wú)級(jí)調(diào)速電路一
關(guān)鍵字：系統(tǒng) 可靠性電動(dòng)工具提高 MOSFET 選擇

STY112N65M5：ST太陽(yáng)能電池功率調(diào)節(jié)器用MOSFET

產(chǎn)品特性：耐壓650V STY112N65M5:最大導(dǎo)通電阻為0.022Ω（漏極電流為93A） STW77N65M5:最大導(dǎo)通電阻0.038Ω（漏極電流為66A）采用了改進(jìn)Super Junction結(jié)構(gòu) 應(yīng)用范圍：太陽(yáng)能電池功率調(diào)節(jié)器
關(guān)鍵字：意法 MOSFET IGBT

意法半導(dǎo)體宣布功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： MDmeshV MOSFET RDS

關(guān)于DSP應(yīng)用電源系統(tǒng)的低功耗設(shè)計(jì)研究

自從美國(guó)TI公司推出通用可編程DSP芯片以來(lái)，DSP技術(shù)得到了突飛猛進(jìn)的發(fā)展。DSP電源設(shè)計(jì)是DSP應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計(jì)的一...
關(guān)鍵字： DSP CPU 電源芯片 MOSFET

安森美半導(dǎo)體推出業(yè)界首款集成型便攜電子產(chǎn)品雙向過(guò)壓保護(hù)及外部附件過(guò)流保護(hù)器件

??????? NCP370保護(hù)便攜設(shè)備免受浪涌損傷，并控制反向電流來(lái)保護(hù)便攜設(shè)備附件，不需使用外部元件。 ? ??????? 2009年2月3日 - 全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)推出業(yè)界首款集成型雙向器件，為手機(jī)、MP3/4、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)和GPS系統(tǒng)提
關(guān)鍵字：安森美 OVP OCP MOSFET

業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻MOSFET

　　Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。　　現(xiàn)有的同類(lèi) SO-8 封裝器件額定電壓下導(dǎo)通電阻僅低至 24 mΩ ，而Vishay的 Si7633DP 具有 3.3 mΩ （在 10 V
關(guān)鍵字： MOSFET