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Maxim推出內置低導通阻抗開關的高效率雙路3A/5A降壓調節(jié)器

  • 　　Maxim推出MAX8833/MAX8855，該系列器件是業(yè)界第一款具有以下功能的降壓型調節(jié)器：工作在3.3V或2.5V輸入下，分別可提供雙路3A或雙路5A輸出，并且內置開關可最大程度節(jié)省空間。除了節(jié)省空間外，器件由于采用內部MOSFET，因此可有效地工作在低輸入電壓下，這是采用大尺寸、分立MOSFET所不可能實現(xiàn)的。在低壓應用中，分立的競爭方案需要更高電壓實現(xiàn)完全導通，相比較而言，內部MOSFET則可提供更優(yōu)異的性能。MAX8833/MAX8855分別具有49mΩ和37mΩ低導通阻抗，可以以超過1M
  • 關鍵字： Maxim  調節(jié)器  MOSFET  其他IC  制程  

用于有源電力濾波器的IGBT驅動及保護研究

  • 　　l 前言 　　絕緣柵場效應晶體管(IGBT)作為一種復合型器件，集成了MOSFET的電壓驅動和高開關頻率及功率管低損耗、大功率的特點，在電機控制、開關電源、變流裝置及許多要求快速、低損耗的領域中有著廣泛的應用。本文對應用于有源電力濾波器的IGBT的特性及其專有EXB84l型驅動器的設計進行討論，并提出一種具有完善保護功能的驅動電路。 　　有源電力濾波器設計中應用4個IGBT作為開關，并用4個EXB84l組成驅動電路，其原理如圖l所示。在實驗中，根據補償電流與指令電流的關系，用數字信號處理器(DSP
  • 關鍵字： IGBT  MOSFET  場效應晶體管  電源  

電源管理和MOSFET推動中國功率器件市場發(fā)展

  • 　　全球能源需求的不斷增長以及環(huán)境保護意識的逐步提升使得高效、節(jié)能產品成為市場發(fā)展的新趨勢。為此，電源|穩(wěn)壓器管理芯片、MOSFET等功率器件越來越多的應用到整機產品中。在整機市場產量不斷增加以及功率器件在整機產品中應用比例不斷提升的雙重帶動下，中國功率器件市場在2007-2011年將繼續(xù)保持快速增長，但由于市場基數的不斷擴大，市場增長率將逐年下降。預計到2011年時中國功率器件市場銷售額將達到1680.4億元，2007-2011年中國功率器件市場年均復合增長率為19.1%。這其中電源管理IC、MOSFE
  • 關鍵字： 模擬技術  電源技術  MOSFET  芯片  IC  元件  制造  

功率場效應晶體管(MOSFET)原理

  • 　　功率場效應管(Power MOSFET)也叫電力場效應晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關斷能力,而且有驅動功率小,開關速度高、無二次擊穿、安全工作區(qū)寬等特點。由于其易于驅動和開關頻率可高達500kHz，特別適于高頻化電力電子裝置，如應用于DC/DC變換、開關電源、便攜式電子設備、航空航天以及汽車等電子電器設備中。但因為其電流、熱容量小，耐壓低，一般只適用于小功率電力電子裝置。 一、電力場效應管的結構和工作原理 　　電力場效應晶體管種類和結構有許多種，按導電溝道可分為P溝道和N溝道，同時
  • 關鍵字： MOSFET  半導體材料  

功率模塊市場增長 產業(yè)發(fā)展迫在眉睫

  • 　　功率半導體器件的應用迄今已有50年歷史，自上世紀80年代以來，隨著新型功率半導體器件尤其是電源管理芯片的蓬勃發(fā)展，功率器件極大地拓展了應用領域。全球各大廠商也不失時機地加大研發(fā)力度，占領市場高地。 　　發(fā)展功率半導體產業(yè)迫在眉睫 　　目前，我國功率半導體企業(yè)生產條件和產品大都停留在國外上世紀70年代的水平。有個別集成電路企業(yè)制造一些小電流低檔老產品的VD-MOSFET，IGBT、平面型快恢復和超快恢復二極管完全不能制造。因此，我國市場用的功率器件約90%依賴進口，其余約10%低檔產品是自己制造的。
  • 關鍵字： 模擬技術  電源技術  功率  半導體  VD-MOSFET  模擬IC  電源  

基于MOSFET控制的PWM型直流可調電源的研制

  • 　　引 言 　　功率場效應管MOSFET是一種單極型電壓控制器件，它不但具有自關斷能力，而且具有驅動功率小，關斷速度快等優(yōu)點，是目前開關電源中常用的開關器件。采用MOSFET 控制的開關電源具有體積小、重量輕、效率高、成本低的優(yōu)勢，因此，較適合作儀器電源。本文給出了一種由MOSFET 控制的大范圍連續(xù)可調(0～45V) 的小功率穩(wěn)壓電源設計實例。 　　總體結構與主電路 　　圖1 為該電源的總體結構框圖。工作原理如下： 　　 　　圖1 　原理方框圖 　　全橋整流電路將電網電壓220V
  • 關鍵字： 消費電子  MOSFET  功率場效應管  PWM  電源  

選擇正確的MOSFET：工程師所需要知道的

  •     隨著制造技術的發(fā)展和進步，系統(tǒng)設計人員必須跟上技術的發(fā)展步伐，才能為其設計挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統(tǒng)中的基本部件，工程師需要深入了解它的關鍵特性及指標才能做出正確選擇。本文將討論如何根據RDS(ON)、熱性能、雪崩擊穿電壓及開關性能指標來選擇正確的MOSFET。 　　MOSFET的選擇 　　MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關。當在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，其開關導通。導通時
  • 關鍵字： MOSFET  元件  制造  

凌力爾特推出電源電壓 (100V) 同步 MOSFET 驅動器 LTC4444

  •       凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高輸入電源電壓 (100V) 同步 MOSFET 驅動器 LTC4444，該器件用于在同步整流轉換器拓撲中驅動高端和低端功率的 N 溝道 MOSFET。這個驅動器可與功率 MOSFET 以及凌力爾特公司的很多 DC/DC 控制器一起組成完整的高效率同步轉換器。      這個強大的驅動器可采用 1.2Ω 的下
  • 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng)  單片機  凌力爾特  MOSFET  LTC4444  模擬IC  

凌力爾特推出高速同步MOSFET驅動器 LTC4442/-1

  •       凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅動器 LTC4442/-1，該器件用來在同步整流轉換器拓撲中驅動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這種驅動器與凌力爾特公司很多 DC/DC 控制器組合使用時，可組成完整的高效率同步穩(wěn)壓器，該穩(wěn)壓器可用作降壓或升壓型 DC/DC 轉換器。       這個強大的驅動器可以吸收高達
  • 關鍵字： 模擬技術  電源技術  凌力爾特  MOSFET  驅動器  模擬IC  

車載SiC功率半導體前景光明 逆變器大幅實現(xiàn)小型化及低成本化

  • 　　豐田汽車在“ICSCRM 2007”展會第一天的主題演講中，談到了對應用于車載的SiC功率半導體的期待。為了在“本世紀10年代”將其嵌入到混合動力車等所采用的馬達控制用逆變器中，“希望業(yè)界廣泛提供合作”。如果能嵌入SiC半導體，將有助于逆變器大幅實現(xiàn)小型化及低成本化。 　　在汽車領域的應用是許多SiC半導體廠商瞄準的目標，但多數看法認為，就元器件的成本、性能及可靠性而言，比起在產業(yè)設備以及民用設備上配備，在汽車上配備的障礙更大。該公司雖然沒有透露計劃采用SiC半導體的日期，但表示“到本世紀10年代前
  • 關鍵字： 汽車電子  豐田  SiC  半導體  汽車電子  

可測試低電流電源的簡單雙恒流載荷

  • 當今的小型家電，如洗碗機、烘干機、電爐等用開關電源代替了體積笨重的線性電源。工程師對這些電流從50mA~1A的電源進行了測試，一般使用電阻或標準現(xiàn)成的電負載。工程師會使用各種大功率電阻來檢驗多種負載條件以滿足合適的設計。多數標準的電負載都是針對平均300W功率的。在測量50mA ~ 300mA電流時，顯示結果并不準確，多數顯示為0.1A，那樣低的電流不能保證精度。還可以使用圖1中的簡單雙恒流負載設計，這種設計可以利用廉價的通用元件來構建電路。 負載電流流過MOSFET和一個 1Ω
  • 關鍵字： 模擬技術  電源技術  雙恒流載荷  MOSFET  運算放大器  放大器  

飛兆半導體再獲殊榮贏得十大DC-DC 2007產品大獎

  • 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 再次榮獲《今日電子》雜志的十大 DC-DC 2007產品大獎，獲評審小組肯定而勝出的產品是飛兆半導體全面優(yōu)化的集成式12V驅動器加MOSFET功率級解決方案FDMF8700。飛兆半導體的30V同步降壓轉換器芯片組FDS6298和FDS6299S則于2006年獲得相同獎項。 FDMF8700將驅動器IC和兩個功率MOSFET集成在一個節(jié)省空間的8mm x 8mm的56腳M
  • 關鍵字： 消費電子  飛兆半導體  FDMF8700  MOSFET  消費電子  

飛兆發(fā)布高效N溝道MOSFET FDS881XNZ系列

  • 飛兆半導體公司(FairchildSemiconductor)近日推出全新的高效N溝道MOSFET系列，提供高達8kV的ESD(HBM)電壓保護，較市場現(xiàn)有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于電池組保護應用(如筆記本電腦和手機)的最新架構。利用飛兆半導體的PowerTrench工藝，這些低導通阻抗(RDS(ON))MOSFET(包括RDS(ON)低于5mOhm的FDS8812NZ)能夠降低傳導損耗并且延長寶貴的電池壽命。它們還提供堅固穩(wěn)健的抗雪崩和抗峰值電流能力，確保電池組在意外的電壓尖峰沖擊下
  • 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng)  單片機  飛兆  MOSFET  FDS881XNZ  嵌入式  

飛兆半導體的N溝道MOSFET系列產品提供更高的ESD性能

  • 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的高效N溝道MOSFET系列，提供高達8kV 的ESD (HBM) 電壓保護，較市場現(xiàn)有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于電池組保護應用 (如筆記本電腦和手機) 的最新架構。利用飛兆半導體的Power Trench®工藝，這些低導通阻抗 (RDS(ON)) MOSFET (包括RDS(ON)&
  • 關鍵字： 模擬技術  電源技術  飛兆半導體  MOSFET  ESD  模擬IC  電源  
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