Diodes推出新型功率MOSFET優(yōu)化低壓操作

　　Diodes Incorporated全面擴(kuò)展旗下的功率MOSFET產(chǎn)品系列，加入能夠在各種消費(fèi)、通信、計(jì)算及工業(yè)應(yīng)用中發(fā)揮負(fù)載和切換功能的新型器件。新器件涵蓋Diodes和Zetex產(chǎn)品系列，包括27款30V邏輯電平、9款20V低閾值的N、P和采用不同工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝的互補(bǔ)MOSFET。

　　這些新型功率MOSFET采用SOT323、SOT23、SOT26和SO8形式封裝，引腳和占位面積與現(xiàn)有器件兼容，性價(jià)比具有競爭優(yōu)勢，不僅能減少物料清單，還能在無需額外成本的情況下提升性能。新器件可用于DC/DC轉(zhuǎn)換和一般電源管理功能，有利于LCD電視、筆記本電腦等多種新產(chǎn)品設(shè)計(jì)。

　　Diodes的30V邏輯電平功率MOSFET涵蓋廣泛的通態(tài)電阻范圍，從SOT23 P溝道、10V VGS的190m?至SO8 N溝道MOSFET的9m?。這些器件在邏輯層操作中的通態(tài)電阻為4.5V VGS，P通道和N通道器件的起動(dòng)?xùn)艠O臨界電壓分別為-1V和+1V。

　　20V低閾值MOSFET的通態(tài)電阻規(guī)定為2.5V VGS和1.8V VGS，典型值從SOT23封裝的240m? 到SO8封裝的9m?。P通道和N通道器件的起動(dòng)?xùn)艠O臨界電壓分別為-0.6V和+0.6V。