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mos—fet 文章 最新資訊

基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器的設計注意事項

  • 鑒于對能源可持續(xù)性和能源安全的擔憂，當前對儲能系統(tǒng)的需求不斷加速增長，尤其是在住宅太陽能裝置領域。市面上有一些功率高達 2kW 且?guī)в屑墒絻δ芟到y(tǒng)的微型逆變器。當系統(tǒng)需要更高功率時，也可以選用連接了儲能系統(tǒng)的串式逆變器或混合串式逆變器。圖1是混合串式逆變器的方框圖。常見的穩(wěn)壓直流母線可將各個基本模塊互聯(lián)起來?；旌洗侥孀兤靼韵伦訅K：●? ?用于執(zhí)行最大功率點跟蹤的單向 DC/DC 轉換器?！? ?用于電池充電和放電的雙向 DC/DC 轉換器。電池可在夜間或停電
  • 關鍵字： 德州儀器  GaN FET  單相串式逆變器  微型逆變器  儲能系統(tǒng)  

瑞薩電子推出用于AI數(shù)據(jù)中心、工業(yè)及電源系統(tǒng)的全新GaN FET

  • 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心和服務器電源（包括新型800V高壓直流架構）、電動汽車充電、不間斷電源電池備份設備、電池儲能和太陽能逆變器。此類第四代增強型（Gen IV Plus）產品專為多千瓦級應用設計，將高效GaN技術與硅基兼容柵極驅動輸入相結合，顯著降低開關功率損耗，同時保留硅基FET的操作簡便性。新產品提供TOL
  • 關鍵字： 瑞薩電子  AI數(shù)據(jù)中心  工業(yè)  電源系統(tǒng)  GaN FET  

瑞薩推出全新GaN FET，增強高密度功率轉換能力

  • 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心和服務器電源（包括新型800V高壓直流架構）、電動汽車充電、不間斷電源電池備份設備、電池儲能和太陽能逆變器。此類第四代增強型（Gen IV Plus）產品專為多千瓦級應用設計，將高效GaN技術與硅基兼容柵極驅動輸入相結合，顯著降低開關功率損耗，同時保留硅基FET的操作簡便性。新產品提供TOLT、TO-247和T
  • 關鍵字： 瑞薩  GaN FET  SuperGaN  

GaN FET支持更高電壓的衛(wèi)星電源

  • EPC Space 推出了 EPC7030MSH，這是一款 300 V 抗輻射 GaN FET。該解決方案提供高功率電流額定值，為衛(wèi)星電源和推進應用樹立了新的基準。EPC7030MSH隨著衛(wèi)星制造商過渡到更高電壓的電源總線和更苛刻的功率密度，EPC Space 最新的 GaN 器件滿足了對緊湊、高效和抗輻射功率轉換日益增長的需求。EPC7030MSH專為在極端輻射和熱條件下運行的前端 DC-DC 轉換器和電力推進系統(tǒng)而設計。文檔顯示，該器件的額定工作電壓為 300 V，線性能量傳輸 （LET） 為 63
  • 關鍵字： GaN FET  衛(wèi)星電源  

探索TI GaN FET在類人機器人中的應用

  • 類人機器人集成了許多子系統(tǒng)，包括伺服控制系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng) (BMS)、傳感器系統(tǒng)、AI 系統(tǒng)控制等。如果要將這些系統(tǒng)集成到等同人類的體積內，同時保持此復雜系統(tǒng)平穩(wěn)運行，會很難滿足尺寸和散熱要求。類人機器人內空間受限最大的子系統(tǒng)是伺服控制系統(tǒng)。為了實現(xiàn)與人類相似的運動范圍，通常在整個機器人中部署大約40個伺服電機 (PMSM) 和控制系統(tǒng)。電機分布在機器人身體的不同部位，例如頸部、軀干、手臂、腿、腳趾等。該數(shù)字不包括手部的電機。為了模擬人手的自由操作，單只手即可能集成十多個微型電機。這些電機的電源要求取決
  • 關鍵字： TI  GaN  FET  類人機器人  

GaN FET在人形機器人中的應用

  • 引言人形機器人集成了許多子系統(tǒng)，包括伺服控制系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng) (BMS)、傳感器系統(tǒng)、AI 系統(tǒng)控制等。如果要將這些系統(tǒng)集成到等同人類的體積內，同時保持此復雜系統(tǒng)平穩(wěn)運行，會很難滿足尺寸和散熱要求。人形機器人內空間受限最大的子系統(tǒng)是伺服控制系統(tǒng)。為了實現(xiàn)與人類相似的運動范圍，通常在整個機器人中部署大約 40 個伺服電機 (PMSM) 和控制系統(tǒng)。電機分布在機器人身體的不同部位，例如頸部、軀干、手臂、腿、腳趾等。該數(shù)字不包括手部的電機。為了模擬人手的自由操作，單只手即可能集成十多個微型電機。這些電機的電源
  • 關鍵字： GaN FET  人形機器人  

SiC 市場的下一個爆點：共源共柵（cascode）結構詳解

  • 安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場效應晶體管）在硬開關和軟開關應用中有諸多優(yōu)勢，SiC JFET cascode應用指南講解了共源共柵（cascode）結構、關鍵參數(shù)、獨特功能和設計支持。本文為第一篇，將重點介紹Cascode結構。Cascode簡介碳化硅結型場效應晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術具有一些顯著的優(yōu)勢，特別是在給定芯片面積下的低導通電阻（稱為RDS.A）。為了實現(xiàn)最低的RDS.A，需要權衡的一點是其常開特性，這意味著如果沒有柵源電壓，或者JFET的柵
  • 關鍵字： cascode  FET  SiC  

Nexperia擴展GaN FET產品組合，現(xiàn)可支持更多低壓和高壓應用中的功率需求

  • Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產品組合新增12款新器件。本次產品發(fā)布旨在滿足市場對更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個市場，包括消費電子、工業(yè)、服務器/計算以及電信，尤其著重于支持高壓、中低功率以及低壓、中高功率的使用場景。自2023年推出E-mode GaN FET以來，Nexperia一直是業(yè)內少有、同時提供級聯(lián)型或D-mode和E-mode器件的供應商，為設計人員在應對設計過程中的不同挑戰(zhàn)提供了更多便捷性。Nexperia
  • 關鍵字： Nexperia  GaN FET  

PMOS緩啟電路

  • 本文來源于一個實際項目，需要由一個PMOS作為開關來控制電源的導通。但對實際參數(shù)進行測量時，發(fā)現(xiàn)PMOS導通時間太短，使得后級電路的dV/dt太大，造成一些不好的影響，因此本文對如何延緩PMOS啟動速度進行簡單學習與概述性介紹。1 米勒平臺上圖所示為PMOS的等效模型，其柵極、源極與漏極相互之間都存在寄生電容，分別為CGD，CGS，CDS。MOS管的開啟時序如下圖所示：開啟過程如下：（1）T0-T1階段，G端輸出電平，CGS開始從0充電直至VGS(th)，漏極源極之間的電壓UDS與電路IDS保持不變，MO
  • 關鍵字： PMOS電路  開關電路  MOS  電源  

緩沖反激式轉換器

  • 本期，我們將聚焦于緩沖反激式轉換器，探討如何在反激式轉換器中緩沖 FET 關斷電壓為大家提供全新的解決思路！上一期，我們介紹了如何在正向轉換器導通時緩沖輸出整流器的電壓?，F(xiàn)在，我們看一下如何在反激式轉換器中緩沖 FET 關斷電壓。圖 1 顯示了反激式轉換器功率級和初級 MOSFET 電壓波形。該轉換器的工作原理是將能量存儲在變壓器的初級電感中，并在 MOSFET 關斷時將能量釋放到次級電感。圖 1. 漏電感會在 FET 關斷時產生過高電壓當 MOSFET 關斷時，通常需要一個緩沖器，因為變壓器的漏電感會導
  • 關鍵字： FET  反激式轉換器  

用Python自動化雙脈沖測試

  • 電力電子設備中使用的半導體材料正從硅過渡到寬禁帶（WBG）半導體，比如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等半導體在更高功率水平下具有卓越的性能，被廣泛應用于汽車和工業(yè)領域中。由于工作電壓高，SiC技術正被應用于電動汽車動力系統(tǒng)，而GaN則主要用作筆記本電腦、移動設備和其他消費設備的快速充電器。本文主要說明的是，但雙脈沖測試也可應用于硅器件、MOSFET或IGBT中。為確保這些設備的可靠性，雙脈沖測試（DPT）已發(fā)展成為一種行業(yè)標準技術，用于測量開啟、關閉和反向恢復期的一系列重要參數(shù)。雙脈沖測試系統(tǒng)包括示波
  • 關鍵字： 202411  寬禁帶  FET  測試  

內置MOS全集成三相直流無刷電機BLDC驅動芯片方案

  • 引言全球高速無刷電機行業(yè)正在經歷持續(xù)的增長和發(fā)展。根據(jù)市場調研，亞洲市場占據(jù)了全球高速無刷電機行業(yè)的首位，市場規(guī)模占比達47%，并且預計未來增長將主要集中在亞洲地區(qū)。特別是在我國，無刷電機技術已逐漸成熟，電機和驅動器的價格均已下探到可以廣泛應用的程度，也就拓展了無刷電機的使用場景。而控制芯片作為無刷電機系統(tǒng)中的關鍵組件，通過接收轉子位置的反饋信號，精確控制電機的電流和電壓，實現(xiàn)電機的高效運轉和精確控制。目前直流無刷電機的控制主要分兩大類：方波控制（梯形波控制）與正弦波控制，這兩類控制方式的原理分別是什么呢
  • 關鍵字： MOS  三相直流無刷電機  BLDC  驅動芯片  

碳化硅模塊在太陽能逆變器中的應用

  • 碳化硅場效應晶體管(SiC FET)接近于理想的開關，具有低損耗、寬帶隙技術和易于集成設計等優(yōu)勢。Qorvo的SiC FET技術如今以高效模塊化產品的形式呈現(xiàn);本文探討了這種產品形態(tài)如何使SiC FET成為太陽能逆變器應用的理想之選。
  • 關鍵字： 202407  太陽能  PV  SiC FET  寬帶隙  碳化硅  光伏  

一文了解SiC MOS的應用

  • 作為第三代半導體產業(yè)發(fā)展的重要基礎材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統(tǒng)電力轉換效率，并且降低對熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中，應用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可以實現(xiàn)更低的開關和導通損耗，同時具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度，從而降低系統(tǒng)綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對比一、行業(yè)典型應用碳化硅MOSFET的主要應用領域包括：充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲一體機、新能源汽車空調、新能
  • 關鍵字： SiC  MOS  碳化硅  MOSFET  

從內部結構到電路應用，這篇文章把MOS管講透了。

  • MOS管學名是場效應管，是金屬-氧化物-半導體型場效應管，屬于絕緣柵型，本文就結構構造、特點、實用電路等幾個方面用工程師的話詳細描述。其結構示意圖：解釋1：溝道上面圖中，下邊的p型中間一個窄長條就是溝道，使得左右兩塊P型極連在一起，因此mos管導通后是電阻特性，因此它的一個重要參數(shù)就是導通電阻，選用mos管必須清楚這個參數(shù)是否符合需求。解釋2：n型上圖表示的是p型mos管，讀者可以依據(jù)此圖理解n型的，都是反過來即可，因此，不難理解，n型的如圖在柵極加正壓會導致導通，而p型的相反。解釋3：增強型相對于耗盡型
  • 關鍵字： 模擬電路  MOS  
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