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mos—fet 文章 最新資訊

eGaN FET與硅功率器件比拼之六：隔離型PoE-PSE轉(zhuǎn)換器

  • 隔離型磚式轉(zhuǎn)換器被廣泛應(yīng)用于電信系統(tǒng)，為網(wǎng)絡(luò)設(shè)備供電，這些轉(zhuǎn)換器可以提供各種標(biāo)準(zhǔn)尺寸及輸入/輸出電壓范圍...
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正確的同步降壓FET時(shí)序設(shè)計(jì)

  • 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時(shí)序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關(guān)期間，存在兩個(gè)過渡階...
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SJ-MOS與VDMOS動(dòng)態(tài)性能比較

  • 引言：為了打破傳統(tǒng)的VDMOS工藝MOS導(dǎo)通電阻與反向擊穿電壓之間制約，半導(dǎo)體物理學(xué)界提出的一種新型MOS結(jié)構(gòu)，稱為...
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電源設(shè)計(jì)小貼士46：正確地同步降壓FET時(shí)序

  • 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時(shí)序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關(guān)期間，存在兩個(gè)過渡階段：低...
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電源設(shè)計(jì)：正確地同步降壓 FET 時(shí)序

  • 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時(shí)序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關(guān)期間，存在兩個(gè)過渡階段：低...
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X-FAB發(fā)表XT018獨(dú)立溝槽電介質(zhì)(SOI)的工藝

  • X-FAB Silicon Foundries日前發(fā)表XT018，世界首創(chuàng)180奈米200V MOS的獨(dú)立溝槽電介質(zhì)(SOI)的工藝。這種完全隔離型的模塊化工藝讓不同電壓的區(qū)塊能夠整合在單一芯片上，大幅減少了印刷電路板的組件數(shù)量，也避免栓鎖效應(yīng)(latch-up)更提供對(duì)抗電磁干擾的卓越性。
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德州儀器推出最靈活PFET高側(cè)負(fù)載開關(guān)

  • 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款在微型 6 引腳封裝中集成功率 PFET 與控制 NFET 的高側(cè)負(fù)載開關(guān)。該 TPS27081A 提供 1.0 V 至 8 V 的業(yè)界最寬泛電源電壓支持，是分立式 FET 開關(guān)的最靈活替代產(chǎn)品。
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將光電FET光耦用作一個(gè)線性壓控電位器

  • 光電FET可以用作一只可變電阻，或與一只固定電阻一起用作電位器。H11F3M光電FET有7.5kV的隔離電壓，因此能夠安全地控制高壓電路參數(shù)。但這些器件的非線性傳輸特性可能成為問題(圖1)。為了校正這種非線性，可以采用一
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基于優(yōu)化變換器的FET開關(guān)來改善能量效率

  • 　在計(jì)算和消費(fèi)電子產(chǎn)品中，效率已經(jīng)有了顯著的提高，重點(diǎn)是AC/DC轉(zhuǎn)換上。不過，隨著80 PLUS，Climate Savers以及EnergyStar 5等規(guī)范的出現(xiàn)，設(shè)計(jì)人員開始認(rèn)識(shí)到，AC/DC和DC/DC功率系統(tǒng)都需要改進(jìn)?！　C/DC平均系統(tǒng)
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設(shè)計(jì)主電源和備用電源之間的FET-OR電路開關(guān)

  • 圖1為一具有“二極管或”功能的電路，用于主電源和備用電源之間必須自動(dòng)切換的場合，包括電池供電存儲(chǔ)器電...
  • 關(guān)鍵字： 主電源  備用電源  FET-OR  

舞臺(tái)功放MOS管改裝介紹

  • 以O(shè)DL牌QSA-2400專業(yè)功放為例(電路見中圖)。改裝后對(duì)應(yīng)電路見下圖。由于MOS管與三極管驅(qū)動(dòng)電壓差異。為了保證電壓推動(dòng)管靜態(tài)工作點(diǎn)基本保持不變，要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現(xiàn)改
  • 關(guān)鍵字： 介紹  改裝  MOS  功放  舞臺(tái)  

英飛凌推出抗輻射加固型MOS開關(guān)器件

  • 英飛凌科技推出其首個(gè)專用于空間和航空應(yīng)用而設(shè)計(jì)的電源開關(guān)器件。全新BUY25CSXX系列抗輻射加固型(RH)功率MOS器件擁有出類拔萃的性能，可支持面向空間應(yīng)用的高能效電源調(diào)理和電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  MOS  

舞臺(tái)功放MOS管改裝電路圖及方法

  • 以O(shè)DL牌QSA-2400專業(yè)功放為例(電路見中圖)。改裝后對(duì)應(yīng)電路見下圖。由于MOS管與三極管驅(qū)動(dòng)電壓差異。為了保證電壓推動(dòng)管靜態(tài)工作點(diǎn)基本保持不變，要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現(xiàn)改
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對(duì)反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖的方法

  • 圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級(jí)和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲(chǔ)于一個(gè)變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關(guān)閉時(shí)將其釋放到次級(jí)繞組。由于變壓器的漏極電感會(huì)使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上，因此
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基于C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路

  • 電路的功能近來出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢(shì)，而且74HC系列產(chǎn)品也得到了進(jìn)一步的充實(shí)。用2級(jí)TTL構(gòu)成的時(shí)鐘振蕩電路已可用C-MOS IC構(gòu)成的振蕩電路替代，因?yàn)門TL IC如果置偏電阻等元件參數(shù)選擇不當(dāng)，容易停振或
  • 關(guān)鍵字： C-MOS  轉(zhuǎn)換器  石英晶體  振蕩電路    
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