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面向USB PD 3.1應(yīng)用,EPC新推基于eGaN IC的高功率密度、薄型DC/DC轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)

EPC推出EPC9177，這是一種基于eGaN?IC的高功率密度、薄型DC/DC轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)，可滿足新型USB PD 3.1對(duì)多端口充電器和主板上從28 V~48 V輸入電壓轉(zhuǎn)換至12 V或20 V輸出電壓的嚴(yán)格要求。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出EPC9177，這是一款數(shù)字控制、單輸出同步降壓轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)，工作在?720 kHz 開(kāi)關(guān)頻率，可轉(zhuǎn)換?48 V、36 V、28 V至穩(wěn)壓12 V輸出電壓，并提供可高達(dá)20 A的連續(xù)輸出電流。這款小面積（21mm?x 13m
關(guān)鍵字： USB PD 3.1 EPC eGaN DC/DC轉(zhuǎn)換器

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）于CES 2020展覽展示基于氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）將在2020年1月7日至10日，于美國(guó)拉斯維加斯舉行的國(guó)際消費(fèi)電子展（CES 2020）為工程師展示eGaN技術(shù)的龐大潛力，它可以推動(dòng)多種消費(fèi)電子應(yīng)用的發(fā)展，從而改變市場(chǎng)的游戲規(guī)則，包括全自動(dòng)駕駛汽車(chē)、機(jī)器人、無(wú)人機(jī)、無(wú)線電源、世界第一流的音頻系統(tǒng)及車(chē)載解決方案。于CES 2020 展覽，歡迎蒞臨Venetian酒店內(nèi)的EPC演示套房，與氮化鎵專家一起參觀、學(xué)習(xí)及討論氮化鎵技術(shù)如何推動(dòng)改變世界的創(chuàng)新設(shè)計(jì)的發(fā)展。無(wú)線電源在家居的應(yīng)用：EPC將展示在家居使用的無(wú)線充電桌面同時(shí)對(duì)多個(gè)消
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車(chē)規(guī)級(jí)80 V EPC2214 eGaN?FET 使得激光雷達(dá)系統(tǒng)看得更清晰

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布再多一個(gè)車(chē)用氮化鎵(eGaN)器件（80 V的EPC2214）成功通過(guò)AEC Q101測(cè)試認(rèn)證，可在車(chē)用及其它嚴(yán)峻環(huán)境支持多種全新應(yīng)用?；诘墸╡GaN）技術(shù)的產(chǎn)品已進(jìn)行量產(chǎn)超過(guò)9年，累計(jì)了數(shù)十億小時(shí)的實(shí)際汽車(chē)應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)，包括全自動(dòng)駕駛汽車(chē)的激光雷達(dá)及雷達(dá)系統(tǒng)、應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心計(jì)算機(jī)的48 V–12 V DC/DC轉(zhuǎn)換器、具有超高保真度的信息娛樂(lè)系統(tǒng)及高強(qiáng)度的貨車(chē)頭燈等應(yīng)用。這些全新器件已經(jīng)通過(guò)嚴(yán)格的AEC Q101測(cè)試認(rèn)證，隨后會(huì)推出更多面向嚴(yán)峻的車(chē)用環(huán)境的分立晶體管及集成
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）第十階段可靠性測(cè)試報(bào)告的亮點(diǎn) 是車(chē)規(guī)級(jí)氮化鎵器件超越AEC-Q101應(yīng)力測(cè)試的認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)

　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)發(fā)布第十階段可靠性測(cè)試報(bào)告，成功通過(guò)車(chē)規(guī)級(jí)AEC-Q101應(yīng)力測(cè)試認(rèn)證。AEC-Q101認(rèn)證要求功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管符合最高的可靠性標(biāo)準(zhǔn)，不僅僅要求器件符合數(shù)據(jù)表內(nèi)所載的條件而沒(méi)有發(fā)生故障，也同時(shí)要求在應(yīng)力測(cè)試中，具有低漂移。請(qǐng)注意，EPC所采用的晶圓級(jí)芯片規(guī)模封裝(WLCSP)也符合所有針對(duì)傳統(tǒng)封裝的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，展示出該封裝具備卓越性能之同時(shí)沒(méi)有影響到器件的穩(wěn)固性或可靠性?！　〉谑A段可靠性測(cè)試報(bào)告探討了超越AEC-Q101認(rèn)證要求的可靠性測(cè)試，從而深入了解可導(dǎo)致器件發(fā)生故障的各
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）于CES? 2019展覽展示

　　EPC公司將于2019年1月8日至11日在美國(guó)拉斯維加斯舉行的國(guó)際消費(fèi)電子展(CES? 2019)展示eGaN?技術(shù)如何實(shí)現(xiàn)兩種改變業(yè)界游戲規(guī)則的消費(fèi)電子應(yīng)用 -- 分別是無(wú)線電源及應(yīng)用于全自動(dòng)駕駛汽車(chē)的激光雷達(dá)(LiDAR)?！　〉竭_(dá)位于Venetian酒店的EPC Palazzo hospitality suite后，嘉賓將會(huì)進(jìn)入一個(gè)無(wú)線充電世界。你將看到家居用的無(wú)線電源桌面對(duì)各種消費(fèi)電子用品充電，并傳送足夠的功率，同時(shí)對(duì)電腦、桌燈、鬧鐘、掌上型電腦、手機(jī)及便攜裝置進(jìn)行充電而不需要任何電源
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EPC公司于PCIM Asia 2017與工程師進(jìn)行技術(shù)交流 -- 如何在高功率、高度共振式無(wú)線充電應(yīng)用中選擇于6.78 MHz工作的放大器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)是硅基增強(qiáng)型氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管及集成電路的領(lǐng)先供應(yīng)商，基于eGaN?FET與集成電路的低成本解決方案是在發(fā)射端采用單個(gè)功率放大器，而在接收端無(wú)論是采用什么標(biāo)準(zhǔn)，也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)線充電?！　∥覀冋\(chéng)摯邀請(qǐng)工程師蒞臨中國(guó)上海，出席于2017年6月28日(星期三)上午11時(shí)在上海世博展覽館B2層2號(hào)會(huì)議室舉行的PCIM Asia 2017研討會(huì)(電力轉(zhuǎn)換與智能運(yùn)動(dòng)研討會(huì))。屆時(shí)EPC公司的應(yīng)用工程副總裁Michael de Rooij博士將分享在高
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專為符合A4WP Rezence標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)線電源傳送應(yīng)用而設(shè)的EPC eGaN功率集成電路在效率及成本方面樹(shù)立全新基準(zhǔn)

　　全新EPC2107及EPC2108 eGaN功率集成電路包含單片半橋式器件及集成式自舉功能，專為符合無(wú)線充電聯(lián)盟(A4WP)第二及第三級(jí)規(guī)范的解決方案而設(shè)。此外，為了讓客戶容易對(duì)氮化鎵元件進(jìn)行評(píng)估，我們也提供開(kāi)發(fā)板及包含發(fā)射器及接收器的無(wú)線電源傳送解決方案。　　近日，宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出內(nèi)含集成式自舉功能的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的eGaN半橋功率集成電路 EPC2107(100 V)及EPC2108 (60 V)。該集成電路去除了由柵極驅(qū)動(dòng)器所引致的反向恢復(fù)損耗，也不需高側(cè)箝位。這是首次在eG
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EPC瞄準(zhǔn)氮化鎵功率器件市場(chǎng)興起機(jī)遇

　　功率器件一直都是由材料引導(dǎo)技術(shù)革新，硅材質(zhì)的MOSFET已經(jīng)應(yīng)用多年，現(xiàn)在面臨在功率密度、工作溫度和更高電壓方面的技術(shù)挑戰(zhàn)，而解決這一問(wèn)題最根本的辦法是采用更高性能的材料。　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)是首家推出替代功率MOSFET器件的增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的公司，他們希望借助技術(shù)優(yōu)勢(shì)快速推廣其技術(shù)和產(chǎn)品，并于未來(lái)數(shù)年間取代硅功率MOSFET器件及IGBT，搶奪超過(guò)百億美元的功率轉(zhuǎn)換市場(chǎng)份額。　　增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管作為寬頻隙器件，其優(yōu)勢(shì)包括具有更高功率密度、更
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eGaN FET與硅功率器件比拼之六：隔離型PoE-PSE轉(zhuǎn)換器

隔離型磚式轉(zhuǎn)換器被廣泛應(yīng)用于電信系統(tǒng)，為網(wǎng)絡(luò)設(shè)備供電，這些轉(zhuǎn)換器可以提供各種標(biāo)準(zhǔn)尺寸及輸入/輸出電壓范圍...
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eGaN FET比拼MOSFET，驅(qū)動(dòng)器和布局

在本系列的第一篇文章中，我們使用不同的衡量標(biāo)準(zhǔn)對(duì)增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN）功率器件和先進(jìn)的硅MOSFET進(jìn)行了比較...
關(guān)鍵字： eGaN FETMOSFET 硅功率產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)器

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