首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> mos—fet

mos—fet 文章 最新資訊

Vishay推出4款MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET®技術延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。 　　新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  FET  

友達光電宣布收購FET公司的FED資產及技術

  • 　　友達光電1月20日宣布， 與由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司(以下簡稱FET)及FET Japan Inc.(以下簡稱FETJ)簽署資產收購技術移轉協(xié)議，收購FET的場發(fā)射顯示器(field emission displays;FED)技術，該公司為全球FED技術的領導者。友達在此交易中，將取得FET顯示技術及材料的專利、技術、發(fā)明，以及相關設備等資產。 　　FED技術在快速反應時間、高效率、亮度和對比度方面不但能與傳統(tǒng)CRT相
  • 關鍵字： 友達  FED  FET  

瞄準高端市場 友達將收購FET的部分資產

  • 　　臺灣友達科技近日宣布，他們已經與FET公司以及FET日本公司達成了協(xié)議，友達將出資收購FET公司的部分資產，并將因此而獲得FET公司的部分專利技術。FET公司目前在FED場射顯示技術(Field Emission Display)領域占據(jù)領先地位，索尼公司目前擁有FET公司39.8%的股份。友達并表示，其收購的內容將包括FED場射面板相 關技術專利，F(xiàn)ED技術實施方案，以及FED面板生產用設備等。 　　FED場射面板兼具CRT顯示器和LCD顯示器的優(yōu)勢，其工作原理與CRT顯示器完全相同，同樣采用
  • 關鍵字： 友達  FED  FET  

砷化鎵外延襯底市場規(guī)模將超過4億美元

  • 　　Strategy Analytics 發(fā)布最新年度預測報告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場預測2008-2013”。報告總結，2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市場年增長率達到22%，但 Strategy Analytics 預計2009年該市場將持平或轉負增長。借助下一代蜂窩手機平臺上嵌入多砷化鎵(GaAs)器件，以及來自其它市場對砷化鎵 (GaAs) 器件的需求，半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場在2010年將恢復增長。 　　一直
  • 關鍵字： GaAs  外延襯底  FET  HBT  

T推出具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉換器

  • 　　日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉換器，該器件將寬泛的輸入、輕負載效率以及更小的解決方案尺寸進行完美結合，可實現(xiàn)更高的電源密度。TPS51315 是一款具有 D-CAP 模式控制機制的 1 MHz DC/DC 轉換器，與同類競爭產品相比，該器件在將外部輸出電容需求數(shù)量降至 32% 的同時，還可實現(xiàn)快速瞬態(tài)響應。該轉換器充分利用自動跳過模式與 Eco-mode 輕負載控制機制，幫助設計人員滿足能量之星/90Plus 標準的要求，從而可實現(xiàn)整個負載范圍內的高
  • 關鍵字： TI  FET  轉換器  TPS51315  

集成電路布圖設計登記：數(shù)量持續(xù)上升 中國企業(yè)占優(yōu)

  • 　　2008年，受到全球半導體市場衰退的影響，中國集成電路產業(yè)由前幾年的較快增長轉變?yōu)橄禄?。盡管中國以內需市場為主的集成電路設計業(yè)仍實現(xiàn)了一定增長，但嚴重依賴出口的芯片制造和封測行業(yè)下滑嚴重。市場的變化和利潤的減少迫使企業(yè)不斷創(chuàng)新，知識產權問題將變得更加重要。作為集成電路行業(yè)特殊的知識產權保護形式，集成電路布圖設計登記應得到更多的關注。 　　最近，中國半導體行業(yè)協(xié)會知識產權工作部和上海硅知識產權交易中心聯(lián)合推出中國集成電路布圖設計登記2008年度報告，本期刊登部分節(jié)選，供業(yè)界研究參考。 　　本報告數(shù)據(jù)
  • 關鍵字： NEC  MOS  集成電路布圖設計  

ADI公司推出快速FET運算放大器

  • 　　2009年1月22日，中國北京——Analog Devices, Inc.（紐約證券交易所代碼: ADI），全球領先的高性能信號處理解決方案供應商，最新推出一款業(yè)界最快的場效應晶體管(FET)運算放大器——ADA4817。這款產品工作頻率高達1GHz，設計用于高性能的便攜式醫(yī)療診斷設備和儀器儀表設備。與競爭器件相比，可提供兩倍的帶寬，同時噪聲降低一半。它已被領先的醫(yī)療、測試和測量設備公司所采用，用于如CT、MRI、示波器衰減探頭和其它醫(yī)療設備。與ADA4
  • 關鍵字： ADI  運算放大器  FET  ADA4817  

德州儀器1.5A 線性電池充電器可最大化AC 適配器與USB 輸入功率

  • 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
  • 關鍵字： FET  TI  IC－bq2407x  

麻省理工學院計劃為發(fā)展中國家開發(fā)12美元PC

  • 　　美國麻省理工學院一個為第三世界家庭開發(fā)廉價計算機的項目組將以任天堂娛樂系統(tǒng)為基礎而不是以蘋果II電腦為基礎進行設計。這兩種系統(tǒng)都采用相同的處理器芯片。 　　一些Mac計算機網(wǎng)站指出，《波士頓先驅報》本周一的一篇文章介紹了本月麻省理工學院國際設計峰會部分內容“教育家庭計算計劃”。這個計劃的目標是開發(fā)成本只有12美元的初級計算機。 　　雖然設計師之一的27歲研究生Derek Lomas說他希望給第三世界的學校提供類似于伴隨他長大蘋果II計算機，但是，他和他的團隊研制的這種計算機
  • 關鍵字： PC  廉價  處理器  MOS 6502  

TI推出具有啟動過程中禁止吸入功能的DC/DC 轉換器

  • 　　TPS54377 是一款輸入電壓為 3V ～6V 的 DC/DC 轉換器，具有可將電壓步降至 0.9V 的集成的 FET。其轉換頻率為同步頻率并可調至 1.6MHz，以減少外部組件數(shù)量且有助于確定頻譜噪聲頻帶。該器件在整個溫度范圍內均可提供高達 3A 的輸出電流并可支持 4A 的峰值輸出電流。其具有電源狀態(tài)良好指示、啟動、可調慢啟動、電流限制、熱關斷以及 1% 的參考精度等特性。TPS54377 可用于寬帶、聯(lián)網(wǎng)和通信基礎設施、分布式電源系統(tǒng)以及 DSP、FPGA 和 ASIC 的 POL 穩(wěn)壓。
  • 關鍵字： TI   轉換器  DC/DC  FET  

基于LT1641的雙路熱插拔電路設計

  • 　　0 引言 　　很多大型數(shù)據(jù)系統(tǒng)中都會采用"背板+插件板"結構。這樣，在更換維護插件板時，通常都希望在不影響系統(tǒng)工作的情況下帶電插拔。電路上電或帶電插拔時，一般會產生很大的啟動電流和電壓波動，這些現(xiàn)象將影響設備的正常工作，甚至導致整個系統(tǒng)的損害。當一塊插件板插入工作背板或者從工作背板拔出時，插件板上附加電容的充放電會給工作背板提供一個低阻抗，此時背板到插件板的高涌入電流可能會燒毀連接器和電路元件，或者暫時使背板陷落以導致系統(tǒng)重啟。這種現(xiàn)象就是熱插拔現(xiàn)象。 　　所謂熱插拔(Hot
  • 關鍵字： 電路  熱插拔  MOS  電源  

集成功率FET的鋰離子開關充電器

  • 　　當輸入至輸出的開銷電壓(overhead voltage)和/或充電電流較高時，線性電池充電器的功耗相當大。以一般的便攜式DVD播放器(雙節(jié)鋰離子電池組、12V車載適配器、1.2A額定充電電流)為例，其線性充電器的平均功耗超過5W。 　　bq241xx系列開關充電器是對過熱問題的簡便解決方案。內置功率FET能夠提供高達2A的充電電流。同步PWM控制器的工作頻率為1.1MHz，輸入電壓最高可達18V，非常適用于由單節(jié)、雙或三節(jié)電池組供電的系統(tǒng)。該系列開關充電器具有的高電壓、高電流、高效率等優(yōu)異特性，并且
  • 關鍵字： FET  鋰離子開關充電器  電源  

AB類功率放大器驅動電路的研究與設計

  • 　　1 AB類功放驅動電路設計目標 　　在實用電路中，往往要求放大電路的末級(即輸出級)輸出一定的功率，以驅動負載。能夠向負載提供足夠信號功率的放大電路稱為功率放大電路，簡稱功放。經典功率放大器有4種類型：A類，AB類，B類和C類，他們的主要差別在于偏置的情況不同。理想的4類經典放大器的最大效率的理論值與導通角的函數(shù)關系如圖1所示。 　　 　　A類功率放大器的線性度好，功率傳遞能力差，效率最大值為50%，導通角為360
  • 關鍵字： 模擬技術  電源技術  驅動電  放大器  MOS  

一種基于大功率FET的數(shù)控直流電流源設計

Intersil集成式FET穩(wěn)壓器支持60V輸入電壓和100V尖峰

  • 　  Intersil 公司宣布推出新的、高效、2A 集成式 FET 步降 DC/DC 開關穩(wěn)壓器系列，支持廣泛的工作輸入電壓，并且可以處理高達 100V 的瞬態(tài)尖峰。 　　ISL8560 支持 9V 至 60V 的輸入電壓以及 1.21V 至 55V 的可編程輸出電壓；而 ISL8540 支持 9
  • 關鍵字： 模擬技術  電源技術  Intersil  FET  穩(wěn)壓器  電源  
共204條 13/14 |‹ « 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 »

mos—fet介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條mos—fet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對mos—fet的理解，并與今后在此搜索mos—fet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473