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美光發(fā)布 LPDDR5X-8500 內(nèi)存：采用先進(jìn) 1β 工藝，15% 能效提升

  • IT 之家 11 月 1 日消息，美光今天發(fā)布了 LPDDR5X-8500 內(nèi)存，采用先進(jìn) 1β 工藝，正在向智能手機(jī)制造商和芯片組合作伙伴發(fā)送樣品。據(jù)官方介紹，美光 2021 年實(shí)現(xiàn) 1α 工藝批量出貨，現(xiàn)在最新的 1β 工藝鞏固了美光市場(chǎng)領(lǐng)先地位。官方稱，最新的工藝可提供約 15% 的能效提升和超過 35% 的密度提升，每個(gè) die 容量為 16Gb。美光表示，隨著 LPDDR5X 的出樣，移動(dòng)產(chǎn)品將率先從 1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機(jī)的性能的同時(shí)，消
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SK海力士：未研究過“轉(zhuǎn)移中國(guó)工廠設(shè)備”相關(guān)具體計(jì)劃

  • 近日，SK海力士考慮“撤出中國(guó)”、“轉(zhuǎn)移中國(guó)工廠設(shè)備”等消息引發(fā)業(yè)界高度關(guān)注，對(duì)此，SK海力士于10月26日就中國(guó)工廠運(yùn)營(yíng)作出澄清說明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度業(yè)績(jī)發(fā)表會(huì)上，針對(duì)由于地緣政治問題及多種因素導(dǎo)致中國(guó)工廠運(yùn)營(yíng)受困的各種假想情境，作出了可能會(huì)考慮應(yīng)急方案(Contingency Plan)的原則性回復(fù)。其中，“中國(guó)工廠的設(shè)備轉(zhuǎn)移”等相關(guān)發(fā)言是針對(duì)可能性極低的極端情況作出的現(xiàn)場(chǎng)回復(fù)，SK海力士澄清并未研究過與此相關(guān)的具體計(jì)劃。另外，針對(duì)美國(guó)對(duì)芯片設(shè)備出口的管制，SK海力士表示，
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DDR5內(nèi)存與上一代價(jià)差縮小，后市滲透率或借機(jī)提升

  • 據(jù)媒體報(bào)道，因筆電市場(chǎng)低迷，沖擊DDR5內(nèi)存價(jià)格跌幅進(jìn)一步擴(kuò)大，可望推動(dòng)各廠商在2023年啟動(dòng)產(chǎn)品世代轉(zhuǎn)換，DDR5將隨之放量。從具體跌價(jià)幅度來(lái)看，TrendForce集邦咨詢預(yù)估，2022年第四季度DRAM跌幅約在13%~18%左右，而DDR5價(jià)格跌幅大于DDR4。市場(chǎng)消息上，英睿達(dá)、美光16GB DDR5 4800筆記本內(nèi)存條當(dāng)前秒殺價(jià)為499元，而今年6月份售價(jià)則一直穩(wěn)定在699元左右，跌幅超28%。DDR5為何跌跌不休？據(jù)了解，PC市場(chǎng)是DDR5的關(guān)鍵終端市場(chǎng)之一。然而近期PC市場(chǎng)情況并不樂觀，終
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8.5 Gbps！三星LPDDR5X DRAM運(yùn)行速度創(chuàng)新高

  • 10月18日，三星宣布，其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過驗(yàn)證，可在驍龍（Snapdragon?）移動(dòng)平臺(tái)上使用，該內(nèi)存速度可達(dá)到當(dāng)前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）。通過優(yōu)化應(yīng)用處理器和存儲(chǔ)器之間的高速信號(hào)環(huán)境，三星超過了自身在今年3月創(chuàng)下的7.5Gbps的最高運(yùn)行速度，夯實(shí)了在內(nèi)存市場(chǎng)的地位。三星LPDDR5X DRAM 可達(dá)8.5Gbps的運(yùn)行速度作為十多年來(lái)全球移動(dòng)內(nèi)存（DRAM）市場(chǎng)的推動(dòng)者，三星一直在努力推進(jìn)高端智能手機(jī)普及，使更多消費(fèi)者能夠在移動(dòng)設(shè)備上體驗(yàn)更為強(qiáng)大的計(jì)算性能。憑借低功
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SK海力士與美國(guó)完成協(xié)商，確保在一年內(nèi)不獲取許可的前提下為中國(guó)工廠供應(yīng)設(shè)備

  • SK海力士于10月12日通過聲明表示，公司完成與美國(guó)商務(wù)部進(jìn)行協(xié)商，確保在接下來(lái)一年內(nèi)不獲取個(gè)別許可的前提下為中國(guó)工廠供應(yīng)所需的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備。借此，SK海力士預(yù)期將能夠在接下來(lái)一年內(nèi)不獲取美方個(gè)別許可的前提下為中國(guó)工廠保障生產(chǎn)設(shè)備的供應(yīng)，進(jìn)而維持在中國(guó)的生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)。SK海力士表示：“公司與美方圓滿完成了就在中國(guó)持續(xù)生產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)品的協(xié)商。SK海力士將繼續(xù)與韓國(guó)政府及美國(guó)商務(wù)部緊密合作，在遵循國(guó)際原則的前提下為保障中國(guó)工廠的運(yùn)營(yíng)盡最大的努力?！泵绹?guó)商務(wù)部先前于10月7日發(fā)布稱，將限制用于在中國(guó)生產(chǎn)18納米以下
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DDR5價(jià)格漸親民，巨頭紛紛押注推動(dòng)入市

  • 近期，DDR4和DDR5價(jià)格持續(xù)下跌，吸引了不少消費(fèi)者的持續(xù)關(guān)注。目前消費(fèi)電子疲軟還在繼續(xù)，據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，第四季度DRAM價(jià)格跌幅將擴(kuò)大至13~18%。從積極方面考量，價(jià)格的親民化或?qū)⒓铀貲DR5的入世，DDR5有望加速成為行業(yè)主流。DDR5對(duì)比DDR4的優(yōu)勢(shì)從過往歷史看，每代DDR新標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布后都需要經(jīng)過2年左右的優(yōu)化，才能實(shí)現(xiàn)性能的較為全面的穩(wěn)定提升，而后實(shí)現(xiàn)對(duì)上一代產(chǎn)品的市場(chǎng)替代則可能需要3到5年的時(shí)間。業(yè)界數(shù)據(jù)顯示，DDR3和DDR4都享有大約7年的生命周期。據(jù)悉，DDR4
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TrendForce：存儲(chǔ)器廠聚焦CXL存儲(chǔ)器擴(kuò)充器產(chǎn)品

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新服務(wù)器相關(guān)報(bào)告指出，CXL（Compute Express Link）原是希望能夠整合各種xPU之間的性能，進(jìn)而優(yōu)化AI與HPC所需要的硬件成本，并突破原先的硬件限制。CXL的支援仍是以CPU為源頭去考慮，但由于可支援CXL功能的服務(wù)器CPU Intel Sapphire Rapids與AMD Genoa現(xiàn)階段僅支援至CXL 1.1規(guī)格，而該規(guī)格可先實(shí)現(xiàn)的產(chǎn)品則是CXL存儲(chǔ)器擴(kuò)充（CXL Memory Expander）。因此，TrendForce認(rèn)為
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SPARC：用于先進(jìn)邏輯和 DRAM 的全新沉積技術(shù)

  • 芯片已經(jīng)無(wú)處不在：從手機(jī)和汽車到人工智能的云服務(wù)器，所有這些的每一次更新?lián)Q代都在變得更快速、更智能、更強(qiáng)大。創(chuàng)建更先進(jìn)的芯片通常涉及縮小晶體管和其他組件并將它們更緊密地封裝在一起。然而，隨著芯片特征變得更小，現(xiàn)有材料可能無(wú)法在所需厚度下實(shí)現(xiàn)相同性能，從而可能需要新的材料。 泛林集團(tuán)發(fā)明了一種名為 SPARC 的全新沉積技術(shù)，用于制造具有改進(jìn)電絕緣性能的新型碳化硅薄膜。重要的是，它可以沉積超薄層，并且在高深寬比的結(jié)構(gòu)中保持性能，還不受工藝集成的影響，可以經(jīng)受進(jìn)一步處理。SPAR
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DDR5內(nèi)存滿足未來(lái)內(nèi)容創(chuàng)作、發(fā)布和消費(fèi)的更高要求

  • 在過去的十年時(shí)間里，隨著程序與應(yīng)用、數(shù)據(jù)集與復(fù)雜代碼，以及3D模型渲染、8K視頻編輯和高幀速率游戲等領(lǐng)域的空前發(fā)展，DDR4技術(shù)已不堪重負(fù)，難以跟上行業(yè)發(fā)展步伐。隨著CPU內(nèi)核數(shù)量的不斷增加，為了應(yīng)對(duì)這些海量需求，內(nèi)存技術(shù)也需要進(jìn)一步擴(kuò)展。下一代系統(tǒng)中的DDR5內(nèi)存是實(shí)現(xiàn)當(dāng)前所需性能的最佳解決方案，同時(shí)能夠進(jìn)一步擴(kuò)展，以滿足未來(lái)內(nèi)容創(chuàng)作、內(nèi)容發(fā)布和內(nèi)容消費(fèi)的更高要求。內(nèi)容創(chuàng)作內(nèi)容創(chuàng)作者受到了DDR4技術(shù)的限制，因?yàn)樗麄兊母咝阅芄ぷ髋_(tái)消耗了增加的內(nèi)存密度或內(nèi)存帶寬。等待時(shí)間延長(zhǎng)導(dǎo)致效率降低，甚至無(wú)法進(jìn)行多任
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庫(kù)存難減 DRAM價(jià)Q4恐再跌13～18％

  • 市調(diào)機(jī)構(gòu)表示，在高通脹影響下，消費(fèi)性產(chǎn)品需求疲軟且旺季不旺，第三季DRAM位消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減，各終端買方因需求明顯下滑而推遲采購(gòu)，導(dǎo)致供貨商庫(kù)存壓力進(jìn)一步升高。同時(shí)，各DRAM供貨商為求增加市占的策略不變，市場(chǎng)上已有「第三、四季合并議價(jià)」或「先談量再議價(jià)」的情形，導(dǎo)致第四季DRAM價(jià)格續(xù)跌13％～18％。標(biāo)準(zhǔn)型DRAM方面，由于筆電需求疲弱，OEM廠仍將著重去化DRAM庫(kù)存，而DRAM供應(yīng)端在營(yíng)業(yè)利益仍佳的前提下，未有實(shí)際減產(chǎn)情形，故位產(chǎn)出仍持續(xù)升高，供貨商庫(kù)存壓力日益明顯。以DDR4與DDR5來(lái)
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GeIL 推出支持 AMD EXPO 的 DDR5 內(nèi)存，內(nèi)置兩個(gè)小風(fēng)扇

  • IT之家 8 月 31 日消息，今年 5 月份，GeIL 發(fā)布了 EVO V DDR5 RGB 內(nèi)存條，采用了雙風(fēng)扇散熱系統(tǒng)，將 RGB 燈效和雙風(fēng)扇主動(dòng)式的散熱設(shè)計(jì)結(jié)合到一體成型的模組中。現(xiàn)在，GeIL EVO V DDR5 RGB 內(nèi)存條推出了支持 AMD EXPO 超頻技術(shù)的型號(hào)。據(jù)介紹，該系列內(nèi)存采用了 GeIL 獨(dú)家主動(dòng)雙風(fēng)扇散熱系統(tǒng)，支持 6400MHz 一鍵超頻，采用了獨(dú)家優(yōu)化的 RGB 照明設(shè)計(jì)，兼容 AM5 平臺(tái)。根據(jù) GeIL 之前的介
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集邦：明年DRAM需求位成長(zhǎng)8.3％創(chuàng)新低 NAND跌價(jià)帶動(dòng)搭載容量成長(zhǎng)

  • 根據(jù)集邦科技指出，2023年DRAM市場(chǎng)需求位成長(zhǎng)僅8.3％，是歷年來(lái)首度低于10％，遠(yuǎn)低于供給位成長(zhǎng)約14.1％，分析至少2023年的DRAM市況在供過于求的情勢(shì)下仍相當(dāng)嚴(yán)峻，價(jià)格恐將持續(xù)下滑。至于NAND Flash仍是供過于求，但價(jià)格下跌應(yīng)有助于搭載容量提升。從各類應(yīng)用來(lái)看，高通膨持續(xù)沖擊消費(fèi)市場(chǎng)需求，故優(yōu)先修正庫(kù)存是品牌的首要目標(biāo)，尤其前兩年面對(duì)疫情造成的上游零組件缺料問題，品牌超額下訂，加上通路銷售遲緩，使得目前筆電整機(jī)庫(kù)存去化緩慢，造成2023年筆電需求將進(jìn)一步走弱。標(biāo)準(zhǔn)型PC DRAM方面，
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美光車規(guī)級(jí)內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案: 助力理想L9智能旗艦SUV打造卓越智能座艙體驗(yàn)

  • 全球汽車內(nèi)存領(lǐng)先供應(yīng)商Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布其車規(guī)級(jí)高性能LPDDR5 DRAM內(nèi)存和基于3D TLC NAND技術(shù)的UFS 3.1產(chǎn)品已被應(yīng)用于理想汽車最新推出的全尺寸智能旗艦SUV車型——理想L9。美光LPDDR5和UFS 3.1解決方案可助力理想L9的高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）實(shí)現(xiàn)最高L4級(jí)自動(dòng)駕駛。得益于美光完整的產(chǎn)品組合，理想L9智能座艙系統(tǒng)還集成了美光車規(guī)級(jí)LPDDR4和UFS 2.1技術(shù)，為用戶提供出色的娛樂和用
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朗科DDR5內(nèi)存來(lái)了，4800MHz高頻率帶幻彩RGB燈效

  • 經(jīng)歷漫長(zhǎng)的產(chǎn)品周期，內(nèi)存進(jìn)入了DDR5時(shí)代。與DDR4內(nèi)存相比，DDR5在帶寬速度、單芯片密度以及工作頻率等方面有明顯的提升，DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng)，功耗更低。專業(yè)設(shè)計(jì)、視頻剪輯、大型游戲都離不開高容量高性能的內(nèi)存，為了帶給用戶更好的使用體驗(yàn)，更高的性能，朗科推出了絕影RGB DDR5。　　DDR5將每只模組升級(jí)成2個(gè)獨(dú)立32位子通道，擁有多達(dá)8個(gè)Bank groups組成32Banks，Burst Length提升至16個(gè)，均是DDR4的2倍，在傳輸更大量數(shù)據(jù)的同時(shí)降低了數(shù)據(jù)傳輸?shù)却龝r(shí)間，帶來(lái)全新的體驗(yàn)。
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DRAM 內(nèi)存加速降價(jià)，6 月報(bào)價(jià)環(huán)比下跌 10% 創(chuàng) 1 年半新低

  • IT之家 7 月 18 日消息，日經(jīng)新聞表示，半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片之一的 DRAM 正在加速降價(jià)，作為上代產(chǎn)品的 DDR3 型的 4GB 內(nèi)存連續(xù) 2 個(gè)月下跌。指標(biāo)產(chǎn)品的 6 月大單優(yōu)惠價(jià)環(huán)比下跌 1 成，創(chuàng)出 1 年半以來(lái)新低。從作為指標(biāo)的 8GB DDR4 內(nèi)存來(lái)看，6 月報(bào)價(jià)約 2.7 美元每個(gè)，環(huán)比下跌 0.3 美元（10％），而容量較小的 4GB 內(nèi)存約為 2.18 美元 / 個(gè)，環(huán)比下跌 10％，同比下跌 32％，處于 2020 年 12 月以來(lái)的最低水平。分析師認(rèn)為，PC 和智能手機(jī)的
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ddr5 dram介紹

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