集邦：明年DRAM需求位成長8.3％創(chuàng)新低 NAND跌價(jià)帶動搭載容量成長

根據(jù)集邦科技指出，2023年DRAM市場需求位成長僅8.3％，是歷年來首度低于10％，遠(yuǎn)低于供給位成長約14.1％，分析至少2023年的DRAM市況在供過于求的情勢下仍相當(dāng)嚴(yán)峻，價(jià)格恐將持續(xù)下滑。至于NAND Flash仍是供過于求，但價(jià)格下跌應(yīng)有助于搭載容量提升。

從各類應(yīng)用來看，高通膨持續(xù)沖擊消費(fèi)市場需求，故優(yōu)先修正庫存是品牌的首要目標(biāo)，尤其前兩年面對疫情造成的上游零組件缺料問題，品牌超額下訂，加上通路銷售遲緩，使得目前筆電整機(jī)庫存去化緩慢，造成2023年筆電需求將進(jìn)一步走弱。

標(biāo)準(zhǔn)型PC DRAM方面，DDR4與LPDDR4X于PC端應(yīng)用的比重將進(jìn)一步降低，由LPDDR5與DDR5持續(xù)滲透。但因?yàn)镈DR5的價(jià)格仍高，故將成為限制PC單機(jī)搭載容量成長，預(yù)估2023年P(guān)C DRAM單機(jī)搭載容量年增約7％。倘若明年DDR5原廠下調(diào)價(jià)格轉(zhuǎn)趨積極，則可能帶動容量上升至9％，取決于DDR5相較于DDR4的溢價(jià)空間是否能被有效收斂。

由于服務(wù)器出貨預(yù)估已經(jīng)在過往幾年呈現(xiàn)高度成長，因此在計(jì)算基礎(chǔ)已偏高的情況下，后續(xù)成長動能將趨緩。服務(wù)器DRAM因進(jìn)入第五世代的內(nèi)存規(guī)格，新款英特爾Sapphire Rapids與超威Genoa均提高了整機(jī)成本，且服務(wù)器平均容量開始面臨限制，非以往純粹的升級單一模塊容量，需求端的考慮將更多地集中在硬件成本，預(yù)估2023年服務(wù)器DRAM在平均容量提升上將會受到限制，年增約7％。

行動式DRAM方面，Android陣營目前搭載容量應(yīng)付日常操作系統(tǒng)所需已相當(dāng)充足，因此在沒有創(chuàng)新應(yīng)用的趨動下，基于整機(jī)成本以及高階銷售占比較低的考慮下，品牌對于容量提升的意愿也隨之放緩，至于iOS陣營則因其操作系統(tǒng)優(yōu)化程度較高，降低其對行動式DRAM的容量需求，預(yù)估2023年單機(jī)搭載容量僅年增5％。

NAND Flash應(yīng)用以固態(tài)硬盤（SSD）為主，PC消費(fèi)終端SSD預(yù)估平均搭載容量僅小幅上升11％，為近三年來最低。由于筆電整機(jī)成本受到零組件漲價(jià)而不斷提高，使得2023年P(guān)C品牌廠都規(guī)劃較為保守的SSD容量需求位，至于企業(yè)用SSD已升級支持PCIe 5.0傳輸，有助于平均容量成長，預(yù)估2023年平均容量年成長率為26％。

智能型手機(jī)NAND Flash部分，隨著5G智能型手機(jī)滲透率逐步擴(kuò)大，加上應(yīng)用面為滿足高畫質(zhì)影像攝錄需求，需要配置更大的儲存容量，為智能型手機(jī)單機(jī)NAND Flash搭載量提升帶來基本動能。同時(shí)，iPhone產(chǎn)品組合仍全線往更高容量靠攏；Android高階機(jī)種也跟進(jìn)將512GB做為標(biāo)準(zhǔn)配備，中低階機(jī)種儲存空間則隨硬件規(guī)格持續(xù)升級而提高，因此整體平均容量仍有增長空間。預(yù)估2023年智能型手機(jī)NAND Flash單機(jī)搭載容量年成長仍能維持22.1％，雖略低于2022年，但仍處高水位。