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EEPW首頁 >> 主題列表 >> ddr5 dram

2021年DRAM與NAND增長快，美光領跑研發(fā)與新技術

  • 近日，美光在業(yè)界率先推出 1α DRAM 制程技術。值此機會，該公司舉辦了線上媒體溝通會，執(zhí)行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana 先生介紹了對DRAM、NAND的市場預測，以及美光的研發(fā)、資本支出、產(chǎn)品布局等。執(zhí)行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana1? ?2021年DRAM和NAND將增長19%展望2021年，全球GDP增長約5%。而根據(jù)不同分析師的預測，半導體產(chǎn)業(yè)預計增長可達12%，整個半導體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值將達5020億美元。其中，內(nèi)存與存儲預計增長可達19%，增度遠超整
  • 關鍵字： DRAM  NAND  

美光科技：DRAM芯片供應緊張將持續(xù)數(shù)年，NAND產(chǎn)能今年保持穩(wěn)定

  • 存儲芯片大廠美光（Micron）執(zhí)行副總裁兼事業(yè)長Sumit Sadana近日接受采訪表示，2020年汽車電子和智能型手機需求因新冠肺炎疫情而衰退，今年顯現(xiàn)明顯復蘇，并帶動存儲器需求增長。目前主要有兩種存儲器產(chǎn)品，一種是DRAM（動態(tài)隨機存儲器），用于緩存，另一種是NAND Flash（閃存），用于數(shù)據(jù)的存儲。在DRAM領域，韓國三星、海力士、美國美光三家企業(yè)把控了全球主要市場份額。NAND Flash市場則由三星、凱俠、西部數(shù)據(jù)、美光和NAND Flash瓜分。Sumit Sadana稱，預期今
  • 關鍵字： 美光科技  DRAM  NAND  

受華為斷供影響，DRAM 十月份價格暴跌 9％

  • 11月1日消息 據(jù)韓媒 The Lec 今日報道，今年十月份，DRAM 和 NAND 價格遭遇集體暴跌。分析師認為，這是由于美國對華為的制裁所致，這加劇了存儲芯片市場價格的下跌。據(jù)市場研究公司 DRAM Exchange 上個月 30 日的統(tǒng)計，截至 10 月底，PC DRAM（DDR4 8Gb）的固定交易價格為 2.85 美元，相比 9 月份的交易價格下降 8.9%。這與八月和九月連續(xù)第二個月保持平穩(wěn)的情況形成了對比，就 NAND 閃存而言，128GB 存儲卡和用于 USB 的多層單元存儲（MLC）
  • 關鍵字： 內(nèi)存  DRAM  

完全漲不動：內(nèi)存價格繼續(xù)觸底

  • 根據(jù)IC Insights的分析報告，DRAM內(nèi)存芯片在今年底之前將繼續(xù)呈現(xiàn)下滑態(tài)勢。簡單回顧下，內(nèi)存跌價大致是從2018下半年開始，2019年12月均價一度跌至3.9美元。盡管今年上半年，由于新冠肺炎的原因，在家辦公、遠程學習等推動了PC等設備的需求增長，內(nèi)存價格有所小幅反彈，但持續(xù)的時間并不長。6月份DRAM均價是3.7美元，7、8月份則在3.51美元處徘徊。通常來說，三四季度是DRAM價格大幅飆升的旺季，可今年的情況大家都懂，無論是廠商還是個人消費者，其季節(jié)性的購買行為也被擾亂了。另外，盡管5G智能
  • 關鍵字： 內(nèi)存  DRAM  

SK海力士推出全球首款DDR5 DRAM

  • SK海力士宣布推出全球首款DDR5 DRAM。DDR5是新一代DRAM標準，此次SK海力士推出的DDR5 DRAM作為超高速、高容量產(chǎn)品，尤其適用于大數(shù)據(jù)、人工智能、機器學習等領域。         圖1. SK海力士推出1y納米級DDR5 DRAM          圖2. SK海力士推出1y納米級DDR5 DRAM          SK海力士于2018年1
  • 關鍵字： SK海力士  DDR5  DRAM  

"爛尾”的格芯成都廠終于有人接盤了？將轉產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片？

  • 擱淺2年多的成都格芯廠，在今年5月正式宣布停業(yè)4個多月之后，終于迎來了接盤者————成都高真科技有限公司（以下簡稱“高真科技”），并有望轉產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片。根據(jù)企查查的資料顯示，高真科技成立于2020年9月28日，注冊資本51.091億元人民幣。經(jīng)營范圍包括：“銷售：電子元器件、集成電路、集成電路芯片及產(chǎn)品、電子產(chǎn)品、機械設備、計算機、軟硬件及其輔助設備；存儲器及相關產(chǎn)品、電子信息的技術開發(fā)；電子元器件制造；集成電路制造；軟件開發(fā)；質檢技術服務（不含進出口商品檢驗鑒定、認證機構、民用核安全設備無損檢驗、
  • 關鍵字： 格芯成都  DRAM  

HBM2E 和GDDR6： AI內(nèi)存解決方案

  • 前言人工智能/機器學習（AI/ML）改變了一切，影響著每個行業(yè)并觸動著每個人的生 活。人工智能正在推動從5G到物聯(lián)網(wǎng)等一系列技術市場的驚人發(fā)展。從2012年到 2019年，人工智能訓練集增長了30萬倍，每3.43個月翻一番，這就是最有力的證 明。支持這一發(fā)展速度需要的遠不止摩爾定律所能實現(xiàn)的改進，摩爾定律在任何情況下都在放緩，這就要求人工智能計算機硬件和軟件的各個方面都需要不斷的快速改進。從2012年至今，訓練能力增長了30萬倍內(nèi)存帶寬將成為人工智能持續(xù)增長的關鍵焦點領域之一。以先進的駕駛員輔助系
  • 關鍵字： ADAS  ML  DRAM  內(nèi)存  

三星電子平澤工廠第二生產(chǎn)線開始量產(chǎn)

  • 實現(xiàn)DRAM量產(chǎn)后，預計生產(chǎn)新一代VNAND與超精細制程的晶圓代工產(chǎn)品 憑借更快更薄的產(chǎn)品搶占移動設備市場，下一步進軍汽車電裝市場 韓國首爾2020年8月30日 /美通社/ -- 三星電子平澤工廠第二生產(chǎn)線正式開工，首發(fā)量產(chǎn)產(chǎn)品是采用了EUV（Extreme Ultraviolet，極紫外光刻）制程的16Gb（吉字節(jié)）LPDDR5移動DRAM，開創(chuàng)業(yè)界先河。 ? ? 三星電子 16GB LPDDR5 ? ?三星電子平澤工廠第二生產(chǎn)線的建筑面積達12.89萬平方米（
  • 關鍵字： EUV10  納米級  LPDDR5  DRAM  

三星宣布其全球最大半導體生產(chǎn)線開始量產(chǎn)16Gb LPDDR5 DRAM

  • 三星今日宣布，其位于韓國平澤的第二條生產(chǎn)線已開始量產(chǎn)業(yè)界首款采用極紫外光（EUV）技術的16Gb LPDDR5移動DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm級(1z)工藝打造，擁有當下最高的移動產(chǎn)品內(nèi)置內(nèi)存性能和最大的容量。"基于1z的16Gb LPDDR5將行業(yè)提升到了一個新的門檻，克服了先進節(jié)點下DRAM擴展的主要發(fā)展障礙。"三星電子DRAM產(chǎn)品與技術執(zhí)行副總裁Jung-bae Lee表示。三星平澤2號線占地超過128900平方米，相當于約16個足球場，是迄今為止全
  • 關鍵字： 三星  LPDDR5  DRAM  

7nm、24核心、DDR5、PCIe 4.0：Intel一下子都有了！

  • 早在2019年初的CES大展上，Intel就宣布了基于10nm工藝、面向5G無線基站的Snow Ridge SoC處理器，直到今年2月底才正式發(fā)布，定名凌動Atom P5900，但沒有公布具體規(guī)格。根據(jù)最新消息，Snow Ridge的繼任者代號為“Grand Ridge”，而這次，詳細的規(guī)格參數(shù)提前一覽無余。Grand Ridge將采用7nm工藝制造，BGA封裝面積47.5×47.5平方毫米，而且特別強調(diào)是Intel自家的7nm HLL+工藝，這意味著它可能要到2023年才會面世。但等待是值得的，除了先進
  • 關鍵字： 7nm  24核心  DDR5  PCIe 4.0  Intel  

曝英特爾11代移動標壓處理器明年Q1發(fā)布 支持DDR5內(nèi)存

  • 　　根據(jù)外媒 VideoCardz 的消息，9 月 2 日，英特爾將推出其 Tiger Lake-U 系列處理器，采用 Willow Cove 架構和 Xe 核顯。爆料者 @momomo_us 的最新消息稱，英特爾計劃在 2021 年初推出名為 Tiger Lake-H 系列產(chǎn)品?！鴙ia Vide
  • 關鍵字： 英特爾  處理器  DDR5  

第四代低功耗動態(tài) DRAM 與其延展版的車輛應用解決方案

  • 日本計劃在東京奧運會上展示無人駕駛技術，展現(xiàn)了近年來汽車智能化的成果。隨著5G技術與人工智能（ AI）的發(fā)展，車載通訊技術已慢慢從早期的娛樂影音播放以及導航系統(tǒng)，發(fā)展到現(xiàn)在的深度學習與車聯(lián)網(wǎng)（ V2X），并朝著無人駕駛的目標前進。而實現(xiàn)此目標的關鍵因素正是半導體。目前，先進駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）是車載通訊中最普遍的應用之一，它包含不同的子功能主動式巡航控制、自動緊急煞車、盲點偵測以及駕駛人監(jiān)控系統(tǒng)等。車輛制造商一直試著添加更多主動式安全保護，以達到無人駕駛的最終目標。因此，越來越多的半導體產(chǎn)商與車輛制造
  • 關鍵字： ADAS  NOR  DRAM  AI  V2X  EM  

DDR5內(nèi)存標準確定，中國企業(yè)的標準沒能入選

  • 都說一流的企業(yè)定標準，可見能夠參與制定標準的企業(yè)，都是最頂尖的企業(yè)，所以我們能夠看到每當一項國際標準出爐時，各國的企業(yè)們都是打破頭的想把自己的標準定為國標標準。比如大家最熟悉的通信標準制定，從1G到5G標準的確定，那可是一項波瀾壯闊的通信技術競爭史，也是中國通信技術的崛起史。而不久前，跳票了近2年時間之后，JEDEC終于確定了JESD79-5 DDR5 SDRAM標準，這也是一項國際標準，有利于內(nèi)存企業(yè)們盡快推出自己的DDR5內(nèi)存。但與DDR4標準有中國企業(yè)參與不同，瀾起科技在DDR4F時代，發(fā)明的DDR
  • 關鍵字： DDR5  內(nèi)存標準  

KLA推出全新突破性的電子束缺陷檢測系統(tǒng)

  • 近日?KLA公司?宣布推出革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢查系統(tǒng)。該系統(tǒng)具有獨特的檢測能力，能夠檢測出常規(guī)光學或其他電子束檢測平臺無法捕獲的缺陷，從而加速了高性能邏輯和存儲芯片的上市時間（包括那些依賴于極端紫外線（EUV）光刻技術的芯片）。eSL10的研發(fā)是始于最基本的構架，針對研發(fā)生產(chǎn)存在多年的問題而開發(fā)出了多項突破性技術，可提供高分辨率，高速檢測功能，這是市場上任何其他電子束系統(tǒng)都難以比擬的。KLA電子束部門總經(jīng)理Amir Azordegan 表示：“利用單一的高能量電子
  • 關鍵字： DRAM  NAND  

PC 新時代！DDR5 內(nèi)存規(guī)范正式發(fā)布：最高速度達 6.4Gbps，單芯片密度達 64Gbit

  • 作為計算機內(nèi)存發(fā)展的重要里程碑，JEDEC固態(tài)技術協(xié)會發(fā)布了下一個主流內(nèi)存標準DDR5 SDRAM的最終規(guī)范。DDR5是DDR標準的最新迭代，DDR5再次擴展了DDR內(nèi)存的功能，將峰值內(nèi)存速度提高了一倍，同時也大大增加了內(nèi)存容量?；谛聵藴实挠布A計將于2021年推出，先從服務器層面開始采用，之后再逐步推廣到消費者PC和其他設備。外媒anandtech報道，和之前的每一次DDR迭代一樣，DDR5的主要關注點再次放在提高內(nèi)存密度以及速度上。JEDEC希望將這兩方面都提高一倍，最高內(nèi)存速度將達到6.4Gbps
  • 關鍵字： PC  DDR5  內(nèi)存  
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ddr5 dram介紹

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